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碳化硅材料外延关键技术研究
小试阶段/n本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性，不同于一般的半导体外延技术， SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以及实现 途径上都突出了电力系统应用的特点。目前，国际上已经形成了从碳化硅衬底材料、 外延材料到器件制备的一整套产业体系。高质量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 础材料，目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展趋势都是向大直 径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。 目前，几乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延层上制备的。高质量的碳化硅
中国科学院大学
2021-01-12
齿科全景锥形束CT（CBCT）
CBCT区别于螺旋CT的特点：1. 射线量极低：相比传统多排螺旋CT，锥形束CT一次投照只相当于传统CT的1/30-1/40放射量, 仅相当于4次数字化曲面断层投照放射量。2. 3. 口腔科应用方便，可作为口腔常规检查手段。4. 在轴向位有更清晰的图像，图像分辨率可以达到0.1mm－0.5mm。5. 使用操作简单通常说来，锥形束CT口腔技术人员或普通放射人员都可操作，而不像传统CT操作需要专业人员持有上岗证。6. 购买、维护费用相对低廉 CBCT市场前景：1. Cone beam（锥形束）CT是当今口腔头颅影像设备中最有前途和实用性的设备。2. 小动物、微结构及仿生学的研究需求巨大。3. 美国牙医协会(ADA)预计在今后5年内至少有10万台以上的市场。4. NewTom12英寸锥形束CT（可投照全头颅,重组20cm直径*22cm高的3D图像）为例，购买价格为人民币三百多万，其利润每台约200万左右。5. 目前主要厂家韩国的vatech，美国i－cat，carestream，planmeca，主要生产中小fov的产品。
上海理工大学
2021-04-13
工业自动化线束
机器人电缆线束，报警与安防电缆线束，通讯线束，同轴数据电缆线束；自动化设备线束。医疗设备线束：生化检测类，射频类，监护类机内外线束等
永瞻电子科技（东莞）有限公司
2023-08-01
薄膜材料生长系统
集成电路产业需要大量高端薄膜生长设备，上个世纪80年代，MBE作为一种尖端技术，国外就对中国进行了技术封锁，禁运中国。甚至在今天，MBE仍然属于美国对中国出口的管制类产品，每一台都要经过复杂的审批过程。
南京大学
2021-04-10
24053型电子束演示器
24053型电子束演示器采用JG-4充气型静电偏转阴极射线演示管（简称电子束管）。当管子各电极加上工作电压之后，自阴极射出的具有一定能量的电子束，使管内的惰性气体电离发光，形成细而明亮的光束，显示了电子束的径迹，该仪器的一侧装有小黑板，可不用暗室进行教学演示实验，本仪器的主要用途为：①演示加速后的电子，在没有外来电场或磁场的作用时，按直线运动。②观察电子束在电场力的作用下发生的偏转。③观察电子束在磁场中所受的洛仑兹力。④说明热电子发射现象等。该仪器还具有价格低廉，体积小，重量轻，使用方便，安全可靠等优点。
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
锥体系传导束XM-655A
XM-655A锥体系传导束模型
XM-655A锥体系传导束模型包括皮质脊髓束和皮质延髓束，前者以深红色表示，后者以粉红色表示，神经核用彩色球表示，传导束用铁丝表示，主要显示它们的起止经过和联系。
尺寸：放大，50×23×73cm
材质：铁丝+塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
丘脑核束内囊及纹状体模型
XM-657丘脑核束内囊及纹状体模型
XM-657丘脑核束内囊及纹状体模型由5部件组成，放大4倍，显示丘脑、纹状体、内囊以及下丘脑的外形、结构、毗邻和相互关系等。
尺寸：放大4倍，20×4×37cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而，Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈，而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此，Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学
2021-04-14
采用氢化物气相外延（HVPE） 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展， 对于大功率白光 LED 而言， 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件， 由于同质 GaN 衬底价格昂贵， 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料， 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配， 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学
2021-04-14
高端薄膜材料生长系统
"专门针对实验室对小样品的生长需求，设计小型紧凑的生长腔室、样品台，同时降低购买价格与运行成本。 紧凑的生长腔室 （内径 ~ 300 mm）：内表面积小，更容易实现超高真空，整体占地面积不到1㎡。 电子束加热的小样品台：定向加热，降低了传统灯丝热辐射加热的耗散，保证了较低的环境温度，对真空有利。同时加热速率很快。 30多个标准法兰接口：可扩展性好。 小样品托（18 *12 mm）：刚好适合10 mm左右样品，同时兼容ARPES，STM等标准样品托。"
南京大学
2021-04-10