采用氢化物气相外延(HVPE) 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展, 对于大功率白光 LED 而言, 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件, 由于同质 GaN 衬底价格昂贵, 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料, 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配, 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高, 一般在 105~108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学
2021-04-14