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一种多光束分束器
本发明公开了一种多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器为柱状光波导，所述光波导的横截面为等边多边形，边数为 L； 工作时，待分束的光束与光波导的主轴呈锐角，从光波导的一端入射， 入射后的光束在所述光波导内经光波导不同的侧面多次全部反射，最 终均匀分成多束子光束从光波导另一端出射。本发明提供的多光束分 束器，结构简单，分束均匀，尤其是能实现奇数份均匀分束，光损耗 小，可实现分光器复用，并可应用于光通信、光检测等领
华中科技大学
2021-04-14
一种多光束分束器
本发明公开了一种多光束分束器，其特征在于，所述多光束分 束器为柱状光波导，所述光波导的横截面为等边多边形，边数为 L； 工作时，待分束的光束与光波导的主轴呈锐角，从光波导的一端入射， 入射后的光束在所述光波导内经光波导不同的侧面多次全部反射，最 终均匀分成多束子光束从光波导另一端出射。本发明提供的多光束分 束器，结构简单，分束均匀，尤其是能实现奇数份均匀分束，光损耗 小，可实现分光器复用，并可应用于光通信、光检测等领
华中科技大学
2021-04-14
XM-655A锥体系传导束模型
XM-655A锥体系传导束模型
XM-655A锥体系传导束模型包括皮质脊髓束和皮质延髓束，前者以深红色表示，后者以粉红色表示，神经核用彩色球表示，传导束用铁丝表示，主要显示它们的起止经过和联系。
尺寸：放大，50×23×73cm
材质：铁丝+塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
东南大学分析测试中心聚焦离子束双束系统采购公开招标公告
东南大学分析测试中心聚焦离子束双束系统采购 招标项目的潜在投标人应在微信公众号“苏美达达天下”获取招标文件，并于2022年06月16日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。
东南大学
2022-05-27
S波段医用加速器束流模块
1. 痛点问题
恶性肿瘤是威胁人类健康的主要疾病，已成为我国城乡居民死亡的第一原因。根据世界卫生组织（WHO）统计，肿瘤治疗采用手术、放疗、化疗三大手段进行综合治疗，对恶性肿瘤的治愈率（5年生存率）可达到45%，其中的40%（绝对值的18%）由放射治疗贡献。在最新统计数据中， 发达国家的治愈率已上升至55%，其中放射治疗贡献40%，对应绝对值的22%。随着技术不断发展，放射治疗将在未来扮演更重要的作用。
我国放射治疗装备国产化率低，相关研究落后。早在1976年我国成功研制首台国产医用直线电子加速器，达到世界先进水平。但未能结合数字化和图像诊疗等技术，我国厂商与国外先进水平迅速拉开差距，国产设备市占率从2000年初的50%迅速下降至不足10%。目前这种放疗设备严重依赖进口的情况，造成一定的经济负担，也不利于国内放射治疗物理师和相关工程技术人员的培养，客观上限制了放射治疗技术在我国的推广与应用。因此从我国公共卫生事业的发展与战略角度，亟需解决放疗设备国产化问题。
医用直线加速器利用高能X射线或电子线对肿瘤进行照射。束流模块是医用直线加速器中产生高能X射线或电子线的部分，是其中的关键核心部件，类似于汽车的发动机。衡量医用加速器性能的重要指标“剂量率”主要由束流模块决定，目前国际主流加速器的剂量率在1200MU/min左右。
束流模块是目前制约国产医用直线加速器性能提升的“卡脖子”技术，剂量率、稳定性和可靠性是其关键，也是国产设备和进口产品存在水平差距的主要因素。突破高性能束流模块的关键技术，对于振兴国产医用加速器产业发展、实现高端医疗器械“自主可控”的国家战略具有重要意义。
2. 解决方案
本项目通过对紧凑的优化屏蔽系统、高精度的机械对中系统、集成冷却和高精度温控系统、功率源及加速管匹配等核心技术的攻关，S波段高性能束流模块实现剂量率1400MU/min，为国际同类产品的先进水平。可靠性方面，已开展可靠性测试，无故障时间大于1800小时，高压无故障时间大于200小时，该指标可实现束流模块在医院较高负荷使用环境下一年内无故障。
合作需求
寻求医用加速器相关企业开展业务合作。
清华大学
2021-12-13
浅、深感觉传导束XM-655B
XM-655B浅、深感觉传导束模型
XM-655B浅、深感觉传导束模型展示深浅感觉传导束的起止行程和位置，脊髓丘脑前束和脊髓丘脑侧束分别以绿色和紫色表示，三叉丘系以草绿色和深蓝色表示，深感觉以浅蓝色表示，神经核用彩色球表示，传导束用铁丝表示。
尺寸：放大，50×23×73cm
材质：铁丝+塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
浅、深感觉传导束XM-655B
XM-655B浅、深感觉传导束模型
XM-655B浅、深感觉传导束模型展示深浅感觉传导束的起止行程和位置，脊髓丘脑前束和脊髓丘脑侧束分别以绿色和紫色表示，三叉丘系以草绿色和深蓝色表示，深感觉以浅蓝色表示，神经核用彩色球表示，传导束用铁丝表示。
尺寸：放大，50×23×73cm
材质：铁丝+塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
分子辅助育种
一、利用分子遗传技术预测作物杂种优势：利用分子遗传距离确定亲本间亲源关系，预测杂种优势强的可能亲本组合，加速育种进程、减少育种中的盲目性、多出优良新品种。/line二、作物优良基因标记及分子辅助育种：利用特殊的分子标记，对作物的优良基因进行标记，并通过分子聚合育种技术，将重要的优良基因组合到新组合中，选育出优良品种。
南开大学
2021-04-10