XM-614大脑分叶模型   XM-614大脑分叶模型可拆分为2部件，大脑作正中矢状切面，左侧大脑半球作水平切面，并剖开颞叶显示间脑，小脑作矢状剖面，按不同功能部位进行定位，并用颜色加以区别。 尺寸：自然大，21.5×17×14cm 材质：PVC材料

产品详细介绍产品简介：　　 MicroMR系列2MHz多维核磁共振岩心分析仪是一款多功能岩心分析设备，不仅可满足石油勘探领域的孔隙度、渗透率、饱和度、可动流体饱和度、束缚流体饱和度等相关分析测试，还可提供二维扩散测量。加入扩散系数后可将弛豫时间无法区分的信息明显区分出来，测试结果客观真实、精准度高、重复性好，仪器性能稳定，性价比高。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度磁场强度：0.055±0.01T，仪器主频率约：2MHz；3、探头线圈直径：25.4mm；4、扩散梯度；应用解决方案：1、常规岩心孔隙结构及流体饱和度；2、二维扩散测试应用案例一：一维T2分布、D分布应用案例二：二维D-T2分布注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本发明涉及一种固体氧化物燃料电池用封接材料及其制备方法，属于燃料电池技术领域。其特征在于所述材料主要组成为ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，优选该组成为：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制备方法包括压制素坯，在空气气氛下加热熔融，骤冷获得玻璃熔块，破碎、分级等，或采用其它方法得到玻璃粉。该材料与氧化铈基电解质材料、镓酸镧基电解质材料在浸润性能、热膨胀系数和化学稳定性方面匹配良好，适用于封接金属、陶瓷部件，特别适用于封接固体氧化物燃料电池的玻璃基封接材料。

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本项目的主要目的是针对现有分界开关的问题，研制具有可靠的零序保护能力和高可靠性免维护的智能分界开关系列产品，同时，能够实现短距离同步显示控制遥控操作，减少现场人员爬杆，实现完整的10KV分支线路远程监控，取代需要经常更换维护的储能电池。 本项目的研制和投产对于增强我省10KV分支线路配电网智能化的水平，提高我省电力自动化设备和配电网智能化设备的研制生产能力，具有显著意义。 主要特色以及技术创新如下所示： （1）为了在较短的时间内获得较大的线圈励磁电流，使

本实用新型公开了一种限位开关式卡盘安全扳手，包括扳手主体，所述扳手主体由上扳手体和下扳 手体可拆卸组合而成，上扳手体顶部设有把手，所述下扳手体底部设有用于卡住卡盘的方形轴，下扳手 体内部设有蜂鸣器和电源，所述方形轴一侧设有一开孔，方形轴内部设有接触开关、弹簧和限位销，所 述弹簧两端分别连接限位销和接触开关的动触头，所述限位销可自由的从方形轴一侧的开孔伸出，限位 销伸出一头为圆弧性，所述接触开关、蜂

本发明公开了一种自适应大电流直流开关，其特征在于，包括 导电回路和驱动机构，所述导电回路包括第一连接板 8、第二连接板 1、 软连接 2 以及触头装配；所述驱动机构包括直推支架 3、平行导轨机 构，梯形丝杆机构和传动机构。技术效果在于多个触头并联时能够很 好的保证每个触头的良好接触，并且接触压力均等；能够有效减小接 触电阻，增加开关的通流能力；还能有效减小开关的体积。 

本发明公开了一种基于波形控制的复合开关，所述复合开关包 括复合开关单元、波形采集单元和智能控制单元；波形采集单元的输 出端与智能控制单元的输入端相连，智能控制单元的输出端与复合开 关单元的控制端相连。本发明主要应用于可控核聚变等离子体破裂故 障防护，具有开关动作精度高、响应速度快、可识别波形且隔离可靠 的特点，可及时地导通破裂防护回路，实现破裂防护，有效提高了设 备安全性。 

目简介： 开关磁阻电机驱动系统 ( Switched Reluctance Drive 简称 SRD) ， 即开关磁阻电机调速系统是 20&nbs