产品详细介绍KY-DRX-PB导热系数测试仪 (护热平板法) 该仪器基于护热平板法的原理，兼配相关国标要求，并作出了相应的改进，由计算机自动完成测试工作，并对各状态点进行数字化显示。亦可人工完成测试，满足了材料检测研究部门对材料导热系数的高精度测试要求。仪器参考标准：GB/T10294-2008(绝热材料稳态热阻及有关特性的测定,防护热板法)、GB/T3392-82《塑料导热系数试验方法，护热平板法》、GB/T3139-2005(纤维增强塑料导热系数试验方法)（玻璃钢导热系数试验方法）等。 主要技术参数 1、应用范围：本仪器适用于测定干燥或不同含湿状况下匀质板状材料的导热系数。导热系数范围：0.015～2w/m·k(或0.035～5w/m·k) 2、可以完成平板法测试，仪器提供了对实验温度实现可控状态下的测试。 3、仪器实现数字化及测温程度优于0.2级，室温自动电子补偿，亦可采用外部冰点补偿。 4、电源：220V/50HZ，采用高精度稳压电源。 5、测量结果，准确度：±3%，（±5%） 精确度：±2%，（±3%） 重复性：±2% 6、计量加热功率35W±1%。 7、可连接上位机(实际计算机自动测试，在稳态条件下只需6秒钟可测试一组数据)。 8、可显示实验参数、曲线，并实现数据打印输出。 9、工作条件 ①环境温度 ：10°～35℃ ②相对湿度 ：≤80%RH ③室温要求稳定：日平均温度波动≤±1.5℃ 10、试样尺寸及有效面积要求：最大尺寸及有效面积：200×200×50(mm) 最小尺寸：100×100×5(mm) 要求与极板接触面平整。 二、仪器装置 仪器由高精度稳压电源内置，测温仪表；上极板加热器， 上、下极板，测温热电偶，上、下极恒温水糟，计算机测试系统组成。 1、试件部分：包括恒温装置，最高80℃。 2、加热系统：计量功率加热器。 3、保护热板层，温度可设定。 4、测温系统：采用数显示高精度仪表，保证其精度和稳定性，并实现零点内部补偿。（也优采用模快化设计的系统）。 5、计量功率采用恒定加热，并数字显示，精度优于1%。可调节。 6、计算机测试部件，包括，计算机一套（用户自备）和通讯组件及软件。  

      西安安泰测试仪器设备技术支持与维修中心于2008年创立，专业从事各种测试测量仪器及系统的维修与技术支持服务，始终保持与持续拓展领先的维修技术与能力，具备对各类型采用复杂封装工艺加工生产的高端仪器进项芯片级维修的技术能力。       目前，拥有专业的维修设备70多台，及专业的自动化校准软件，支持Tektronix、KEYSIGHT、Agilent、FLUKE、KEITHLEY、R&S及Anrtisu等数十家国外品牌测试仪器的维修。 Agitek 仪器维修中心本着“诚实守信，服务至上”的理念，服务于中国及亚太地区广大电子测试仪器用户。我们始终坚持以客户服务为中心的发展理念，认真服务好每一个客户，认真维修好每一台仪器，为中国科技发展贡献一份力量！

TZCS-3身高体重测试仪落地式，带同步语音提示功能，宽屏液晶显示；身高体重可同时进行测试；操作方便，高精度。 量程：5～150KG 分度值：0.1KG 精度：±0.3% 量程：90～210CM 分度值：0.1CM 误差：±0.2% 相关产品： 身高体重测试仪 50米跑测试仪 电子肺活量测试仪-电子肺活量检测仪 立定跳远测试仪 本文中所有关于身高体重测试仪http://www.xinman8.com/302.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

产品详细介绍WMF—9801型 永磁材料特性测试仪　　利用电子积分器代替冲击法测量永磁材料的磁特性，由计算机画出退磁曲线和磁滞回线，可测得剩磁、矫顽力、磁能积等永磁参数。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极， 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维 进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

本发明属于电子元器件的封装设备技术领域，并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置，包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等，其中热压机构被设计为双路结构，并 用于实现料带的封合，保证压力的一致性，进而完成料带的良好热封； 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动；调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距，进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明，能实现单侧压头的温度均匀分布，两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封，同时具备 结构紧凑，便