|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种平底螺旋立铣刀正交车铣轴类零件的切削力建模方法
本发明公开了一种平底螺旋立铣刀正交车铣轴类工件的切削力 建模方法，包括步骤：分别建立螺旋立铣刀坐标系和轴类零件坐标系， 确定两个坐标系间的坐标变换；在建立的坐标系中，明确正交车铣切 削运动轨迹，确定轴向进给、径向进给和总进给；根据计算得到的正 交车铣运动轨迹和确定的进给，确定正交车铣切屑几何；对每个离散 层建立微元正交车铣切削力计算公式，根据确定的正交车铣切屑厚度、 切削深度和正交车铣切入切出角，判断各离散层是否参与切削，确定 微元切削力的积分限，积分参与切削的微元切削力，获得当前切削状 态总切削力
华中科技大学
2021-04-14
具有抗耐药性的含三唑结构链接子的组合抗菌肽及其合 成方法
近年来，滥用抗生素产生的耐药性问题日益严重，对人类疾病造成了巨大的威胁。寻找新的可替代抗生素的新药迫在眉睫。抗菌肽（Antimicrobial peptides），是生物体经诱导产生的一类具有抗菌活性的小分子多肽，来源广泛，其分子量小，大约在 3~6 kD 之间，有耐热、 耐酸性强，水溶性好，快速的杀菌能力等特点（Hancock REW，Scott MG. Proc Natl AcadSci USA，2000，97（16）：8856~ 8861）。抗菌肽的抗菌机制不同于普通抗生素，抗菌机制一般包括①
兰州大学
2021-04-14
一种抗盐胁迫基因 CbCRT1、制备方法以及其编码产物 的氨基酸序列
西北地区的 70%的土地为贫瘠土壤，其中高盐碱土壤又占了近一半，这导致大多数植物很难生存，这就进一步限制了农民的可用耕地面积 （于法稳，2001）。因此，选育具有抗盐特性的作物就变得非常 重要。但是，由于缺乏合理的筛选手段和技术，且随机选育所需的人力物力都十分巨大，目前筛选得到的具有抗盐特性的作物数量很少，且抗性不强。 近些年来，科学家发现了一些能在高盐碱土壤上生长的抗盐胁迫植株，并将该植株中抗盐胁迫相关的基因进行克隆获得具有抗盐胁迫能力的转基因作物
兰州大学
2021-04-14
一种智能手机上下文感知服务的低功耗传感器轮询方法
本发明在智能手机中传感器应用为上下文感知服务基础上，提出了一种为上下文感知应用程序使用的低功耗传感器轮询方法。该方法可以动态清除不必要的传感器活动，从而使得这些传感器可以更长时间地保持睡眠状态。同时也提出了一种寻找应用请求与传感器活动间关系的方法。采用这种方法，轮询调度器总能计算并匹配用户调用的多种应用程序组合探测频率来引导低功耗轮询以避免非必须活动。使用不同上下文应用程序对此方法进行评估，结果表明中间件中低功耗轮询响应时间极小(97ms)，与传统穷举轮询操作相比，大约可以节约70％的能耗，该上下文感知服务实现可以减少智能手机的传感器能耗并延长其电池使用时间。
四川大学
2016-10-25
一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法和系统
本发明公开了一种高精度的航空发动机叶片自动三维测量方法， 包括以下步骤：1)配准：将设计模型所处的设计坐标系与工件实体所 处的测量坐标系进行配准；2)路径规划：通过数据处理装置规划距离 传感器在测量过程中的运动路径，以使工件实体上的被测区域一直处 于距离传感器的测量范围内；3)自动测量：距离传感器对工件实体的 正面区域和反面区域进行采样，得到工件实体的完整表面轮廓。本发 明使用距离传感器作为测量终端，可以获得被测区域
华中科技大学
2021-04-14
一种含双馈风电机组的电力系统故障电流计算方法
本发明公开了一种考虑双馈风电机组励磁调节特性的电力系统 故障电流值计算方法，包括 S1 建立双馈风电机组受励磁调节特性影响 的等效受控电流源模型；S2 建立电力系统的正序阻抗矩阵、负序阻抗 矩阵和零序阻抗矩阵； S3建立不同故障类型下的故障点边界条件方程； S4 进行迭代计算获得双馈风电机组的受控电流源值； S5 根据双馈风电 机组的受控电流源值、以阻抗矩阵表征的电网节点电压方程以及故障 点边界条件方程获得当前迭代计算时各节点的各序电压值，并计算实 际节点的电压值；S6 获得当前迭代计算的节点实际电
华中科技大学
2021-04-14
一种水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数的优选方法
本发明公开了一种水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数优选方法，用于在水轮发电机组励磁系统中对 PID 控制参数进行优选。根据水轮发电机组励磁系统建立仿真模型，然后依据该仿真系统建立以水轮发电机机端电压和参考电压为状态量的目标函数，运用本发明设计的优选方法求解目标函数得到最优 PID 控制参数。本发明设计的水轮发电机组励磁系统 PID 控制参数的优选方法，采用一种新型启发式优化算法优化目标函数，能搜索到更小的目标函数值，得到的解代表更优的 PID 控制参数。更优的 PID 控制参数能使水轮发电机组励
华中科技大学
2021-04-14
含有二硫键和金刚烷的甲基丙烯酸酯单体及其制备方法
本发明公开了一种含有双硫键和金刚烷的甲基丙烯酸酯单体及其制备方法。甲基丙烯酸羟乙酯经 N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后与胱胺反应，得到一端双键一端氨基的中间产物，继续用 CDI 活化氨基， 再与金刚烷胺反应得到含有双硫键和金刚烷的甲基丙烯酸酯单体。该单体容易发生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以与其它的含有双键的单体共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有双硫键，在还 原剂存在的条件下能够断链降解，可用于制备氧化还原敏感功能高分子材料。
武汉大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14