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西安建筑科技大学副校长刘晓武出席中国高等教育博览会并开展访企拓岗
4月15日,第61届中国高等教育博览会在福州市开幕,副校长刘晓武受邀参加,并赴企业开展调研交流,推进校企合作、人才输送等相关事宜。
西安建筑科技大学 2024-04-19
科技部等九部门印发《科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2022—2030年)》
加强科技支撑碳达峰碳中和涉及基础研究、技术研发、应用示范、成果推广、人才培养、国际合作等多个方面,《实施方案》提出了10项具体行动。
科技部 2022-08-18
中国石油大学孙道峰教授团队在晶态多孔材料的分离应用研究方面取得系列进展
借鉴高分子膜的加工技术,孙道峰教授团队利用HOF是由高可逆性氢键连接而成的特点,通过熔铸法制备了首例HOF多晶膜,并研究了其压力响应的气体渗透性能。
中国石油大学(华东) 2022-05-31
【第57届高博会系列报道之十】“碳达峰 碳中和”与生态文明建设论坛在西安举办
本次论坛总结了“碳达峰 碳中和”以及生态文明建设与教育研究领域的最新研究成果,从不同角度绘制了双碳路径蓝图,探讨了“双碳”目标下的人才培养问题,为双碳政策下社会高质量发展指明了方向。
中国高等教育学会 2022-08-09
中国矿业大学王绍荣教授团队获批江苏省碳达峰碳中和科技创新专项
该专项紧扣江苏经济社会绿色低碳转型发展的科技创新需求,着力突破重点行业领域碳达峰碳中和关键技术,加快科技成果转移转化,开展重大技术应用推广与集成示范,集聚碳达峰碳中和领域战略科技力量,努力提升经济社会绿色低碳发展的科技支撑能力。
中国矿业大学 2022-06-01
教育部副部长吴岩:依托大学优势,把大学科技园建设成为大学科创园
教育部党组成员、副部长吴岩表示,国家大学科技园是国家创新体系的重要组成部分。
大创工场 2024-01-22
物理学院高鹏、刘开辉等利用电镜测量转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁
近日,北京大学物理学院量子材料科学中心、电子显微镜实验室高鹏课题组,与凝聚态物理与材料物理研究所刘开辉课题组、中国科学院大学和中国科学院物理研究所张余洋课题组等合作,利用透射电子显微镜的电子能量损失谱测量并结合第一性原理计算,揭示了h-BN/石墨烯异质结构中的转角关联耦合效应。研究发现,角度依赖的层间摩尔势改变了石墨烯的能带结构,导致石墨烯M点层内带间跃迁能量红移,并且晶格相对扭转诱发的h-BN的布里渊区相对于石墨烯M点的旋转也贡献了新的带间跃迁途径。结果表明,在堆垛的二维材料器件中需要仔细考虑扭转耦合效应带来的影响避免意外干扰;同时,转角连续可调的带间跃迁也可以为新型光电器件设计提供新的自由度。该研究成果以《转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁》(“Tunable Interband Transitions in Twisted h-BN/Graphene Heterostructures”)为题,于7月5日发表在《物理评论快报》(Physical Review Letters 2023, 131, 016201)。
北京大学 2023-08-22
物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术,成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备,晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸,有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡,为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日,相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”(Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply)为题,在线发表于《科学通报》(Science Bulletin)。
北京大学 2023-08-22
中山大学王雪华、刘进教授团队研究成果入选2021年度中国半导体十大研究进展
研究团队通过将量子点精确地集成在带有角向光栅的微环腔的波幅位置、并结合超低吸收的零场镜面高反结构,同时实现了单光子的发射增强和轨道角动量的高效提取,在国际上率先实现了可携带轨道角动量的高亮度固态单光子源,有望为高维量子信息处理提供小型化、可集成、易扩展的半导体核心光量子器件。
中山大学 2022-05-30
南京大学闻海虎团队和聂越峰团队合作在镍基新超导体机理研究中取得重要进展
铜氧化物超导体自从1986年被发现以来,其超导机理一直被本领域科学家高度关注。具有库仑排斥的两个电子,为什么在高达160多开尔文(约等于零下113度)下仍然能够相互吸引形成电子配对,并凝聚成为宏观的量子相干态,这是横亘在凝聚态物理领域的一个重大科学问题。2008年至今,铁基超导体家族的发现和壮大也为超导机理的研究注入了新的活力。随着研究的深入,从仅有的两大非常规超导家族出发,实际上人们很难直接得到普遍的规律和共识。如果出现一个除铜基,铁基之外的第三家族的超导体,这一情况可能得到很大的改善。2019年,美国斯坦福大学小组在介于铁、铜之间的镍元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中发现了9-15 K左右的超导电性,它似乎具有与铜氧化物超导体类似的3d9最外层电子轨道,这为非常规超导机理的研究提供了一个崭新的平台。科学界非常关心它的超导形成与铜氧化物超导体有何异同,因此在学界迅速掀起了对镍基超导体研究的热潮。 超导体内部的单粒子激发需要一定的能量即为超导能隙,这也是超导态为什么能够在一定温度下稳定存在的原因。而两个电子形成配对的内在因素直接决定着超导能隙函数的表现形式。因此探测非常规超导体的机理问题的首要任务是知道超导能隙的函数形式。就镍基超导体实验而言,得到Nd1-xSrxNiO2超导薄膜样品似乎比较困难,因此国际上关于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相关实验还不是很多,许多实验并不能直接反映超导的能隙函数。最近南京大学闻海虎团队和聂越峰、潘晓晴团队通力合作,成功在Nd1-xSrxNiO2超导薄膜样品中测量到高质量的扫描隧道谱,证明了Nd1-xSrxNiO2中存在两类超导能隙,一类是V型隧道谱即典型的d波超导能隙,能隙最大值为3.9meV,这一点与铜氧化物超导体及其类似;而另一类是完全能隙形式(full gap)的隧道谱,能隙值为2.35meV,这一点又与铜氧化物不一致,而与铁基超导体相似。聂越峰实验组利用分子束外延(MBE)技术制备出高质量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超导转变的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜,闻海虎小组进行了后续的氢化处理,进一步优化了Nd1-xSrxNiO2 (112)镍基薄膜的超导转变温度及表面平整度,这是实验能够获得成功的关键因素之一。这一结果揭示了Nd1-xSrxNiO2超导体的能隙函数,发现与铜氧化物之间既有相似之点也有不同之处,并为接下来继续对镍基超导体开展深入研究奠定了坚实的实验基础。
南京大学 2021-02-01
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