本成果提出了两种镁/铝复合材料新型加工方法，可以用来制备具有特种用途的镁铝复合材料。主要包括：镁/铝复合棒材的挤压制备和镁铝复合板材的 挤压加工，已经申请了国家发明专利，并获得授权。具体介绍如下： 1. 一种铝合金包覆镁合金棒材的挤压加工制备方法： 采用挤压加工制备铝合金包裹镁合金的棒材，最终产品可为棒材及 板材及管材等型材，具体方法包括：在铝合金挤压锭的中心嵌入镁合金材料, 此复合挤压棒随后进行挤压加工成棒材，最终棒材外表为铝合金，心部为镁 合金，且其比例与原始挤压棒中镁合金和铝合金的比例相当。与单纯的铝合 金棒材相比，此种复合结构可显著降低比重，减轻结构重量；与单纯的镁合 金棒材相比，外表的铝合金复合结构使此复合结构具有优异抗腐蚀性能。 2.  一种镁铝多层复合板材的挤压加工方法： 提出了利用挤压加工制备镁铝复合板材，通过对镁合金和铝合金铸态坯料挤 压加工可以制备出单层或多层复合板，通过调控挤压坯料中镁合金和铝合金的 比例可以有效调控多层复合板材中的镁合金和铝合金的比例。与传统的累积叠 轧方法相比，此方法的优点如下： 1） 采用铸态坯料制备板材，无需将难变形的镁合金加工成板材后再进 行复合，因此加工成本低； 2） 由于挤压坯料为块状而非板材，表面氧化物量少，可以有效的减少 表面氧化物对复合板材截面结合的影响； 3） 整个复合板材中镁合金处于中心部位，铝合金处于表面，可以有效 的防止中心易腐蚀的镁合金部分的腐蚀。

产品详细介绍50L中试高压反应釜---树脂合成制备系统1 使用范围用于不饱和聚酯树脂及其他高分子树脂的合成制备与中试研究2 执行标准 GB150-1998 钢制压力容器HG/T 20592-94 机械搅拌设备HG 20592～20635-97 钢制管法兰、垫片、紧固件HG/T 20546-2009 化工装置设备布置设计规定3 中试50L高压反应釜系统规格3.1 设备规格型号50L高压反应釜系统及辅助设备3.2 设备外观尺寸50L高压反应釜制备系统外观设计尺寸见各自分设备尺寸4 中试50L高压反应釜系统的主要配置及技术参数 4.1 不锈钢反应釜及其系统4.1.1高压反应釜(1)材质：304不锈钢材质，内外抛光；50L容积；厚度≥6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃；(3)夹套可以承受的温差：≥60℃；(4)高压反应釜正常工作压力范围：–2MPa ～ 5MPa；(5)零死角底放料阀，釜体需设计取样口；(6)釜体口与釜盖连接处凹槽“O”型圈式设计，使高压反应釜体系统具有良好的密封性，能满足系统的真空度要求。(7)侧接口：采用不锈钢法兰密封，保证整个导热系统的导热介质大流量充分循环。(8)标准高压反应釜盖，有可视窗口，开口设计不少于5个。(9)配备立式分馏柱、立式冷凝柱、卧式冷凝器、馏分储罐(带视镜)。4.1.2常压掺合反应釜(1)材质：304不锈钢材质；内外抛光；100L容积；厚度≥6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃。(3)掺合釜压力工作范围：常压。(4)零死角底放料阀。(5)标准反应釜盖，有可视窗口，有投料口，釜内预留温度传感器接口(掺合釜夹套内通循环水，温度无需监控)。4.1.3搅拌系统搅拌电机功率范围：0.4KW≤功率≤1.2KW；最大转速为120 r/min，配备变频器。搅拌方式的设计需满足充分搅拌反应物料(无死角)的要求。4.1.4搅拌密封系统套管式密封搅拌系统，PTFE或更高材质密封，可根据情况选配机械封。要求整体密封性达到真空度小于2000Pa。4.1.5进料系统恒压滴定漏斗或负压进料，两釜体通过管路密封相连。4.1.6减压蒸馏系统冷凝回流柱，配减压蒸馏系统。4.1.7支架系统凳式支架或根据具体需求确定。整个系统拆卸与安装要求方便。4.2 高精度温控系统(1)全封闭温控系统，控制温度范围：-20~300℃；(2)控温精度稳定性在：±0.1℃，精确控制高压反应釜体温度，配备液晶屏显示器，显示设定温度、夹套温度及实际反应温度，并可显示三者的温度曲线；(3)可设定釜体和夹套的最大温差，防止温度差过大引发的爆裂；(4)可编程控温，保存并随时调出使用，方便快捷；(5)如遇突发放热现象，超过机器设定值，加热功能停止。

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。

本专利公开了一种无氰离子的电镀工艺，属于材料表面处理领域。该工艺本专利是采取新的电镀液，具有渗透性强、分散性好的特性。 铸件在整个电镀过程中，可以克服现有铸钢件电镀工艺的所有缺陷，实现铸件快速高效优质电镀，该工艺具有镀层厚度均匀、镀层光泽度好、镀层与铸件结合力牢固、镀层致密、镀层抗氧化能力好的特点，镀层的中性盐雾化试验、酸雾化试验达到国家规定的标准（96小时无腐蚀点）。目前该项技术已经发展成熟，有很大的推广应用价值。通过X射线能谱仪分析镀层的成分，具体分析谱图见附件。

三维（3D）亲锂集流体可以调节锂金属负极中锂枝晶生长，然而目前大部分集流体的亲锂层在高温环境下使用熔融法预储存锂时面临着熔化或脱落的挑战。针对该问题，邓永红研究团队通过简单的去合金法制备了一种带有亲锂锌位点的3D多孔CuZn合金集流体。由于亲锂锌位点以量子点的形式存在于CuZn合金中，熔融法预锂化时亲锂锌位点不仅不会融化与脱落，反而由于锌对锂具有强

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。

本发明公开了一种金属复合物催化剂、其制备方法以及在制备D,L-薄荷醇中的应用，该金属复合物催化剂由如下重量百分比的元素组成：镍70-85％、铝8-10％、钒5-10％、钴2-10％。该金属复合物催化剂应用于百里酚加氢制备D,L-薄荷醇时，具有反应活性高，手性化合物消旋化速度快的特点。同时异构化中加入的某种碱是减少轻组分副产物的关键。整个工艺反应选择性好，制备工艺简单，生产成本低，合成路线对环境友好。