该软件用于连铸结晶器摩擦力数据的在线分析和离线分析。它将 MDF 数据和连铸工艺参数数据库进行关联，实现信息集成，是分析摩擦力变化趋势、规律和进行事故分析的方便工具。对于工艺参数数据库经常和可能出现的错误，做了一系列的容错算法和经验处理，目前的摩擦力专用数据库能将每一块坯的各种工艺信息与此板坯在结晶器中的摩擦力信息较好地一一对应，且操作方便。可按 cast _no 、炉号（ pono ）、坯号（ slab_no ）三种方式分别对应找到其在结晶器内的摩擦力信息。本软件具有数据导入、曲线浏览、表格浏览、曲线打印、报表打印（表格打印）等功能。软件将原始专用数据表（这里称作工艺数据表）、摩擦力数据文件导入到软件专用的数据库中，点击工具条上的查询按钮，即可以三种方式浏览工艺参数、摩擦力数据，生成曲线，打印曲线和报表。

一种固件可重构的手机数据采集控制器，利用微控制器芯片的 在线固件烧写功能，提供智能手机对其进行固件烧写操作的接口，并 对数据采集控制器的固件存储 Flash 存储单元空间进行分块，能够在一 个微控制器中安装多个采集控制固件。由手机来启动微控制器对应的 采集控制固件。当微控制器中未安装对应的采集控制固件时，则由手 机自动从网上查找、下载相应的采集控制固件，并安装到数据采集控 制器的空闲块区中。这既可以避免更换手机测量功能时对数据采集控 制器采集控制固件的重新烧写，又可以避免将固件程

一种固件可重构的手机数据采集控制器，利用微控制器芯片的 在线固件烧写功能，提供智能手机对其进行固件烧写操作的接口，并 对数据采集控制器的固件存储 Flash 存储单元空间进行分块，能够在一 个微控制器中安装多个采集控制固件。由手机来启动微控制器对应的 采集控制固件。当微控制器中未安装对应的采集控制固件时，则由手 机自动从网上查找、下载相应的采集控制固件，并安装到数据采集控 制器的空闲块区中。这既可以避免更换手机测量功能时对数据采集控 制器采集控制固件的重新烧写，又可以避免将固件程序设计得十分复 杂和

本项目属光、机、电、材一体化技术领域，具有多学科综合的特点。半导体激光器具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高、便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大。半导体激光技术已成为一种具有巨大吸引力的新兴技术并在工业中得到了广泛的应用。高功率半导体泵浦激光器是半导体激光技术中最具发展潜力的领域之一。 半导体激光器最大的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大。封装成本占半导体激光器组件成本的一半，封装技术不仅直接影响泵浦激光器组件的可靠性，而且直接关系到泵浦激光器芯片的性能能否充分发挥。本项目对非致冷高功率980nm泵浦激光器的封装技术进行了研究，整个封装技术涉及光学、电学、热学、机械等，精度达微米数量级。通过采用激光器芯片的倒装贴片技术，小型化、全金属化无胶封装技术，最终满足了光纤放大器对泵浦激光器小体积、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合则采用透镜光纤直接耦合，最大限度地减小耦合系统的元件数和相关损耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用双光纤光栅波长锁定技术，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的边模抑制比和波长稳定性。项目组通过采用这些技术，最终解决了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术。 经国家光学仪器质量监督检测中心测试，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技术指标如下：    1. 管壳尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作温度：0-70℃    3. 中心波长：980nm    4. 谱 宽：1nm    5. 阈值电流：24mA    6. 输出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本项目的研究成果，通过与相关企业开展产学研合作，经过近五年的技术研发和不断改进，非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术研究成果已成功应用于相关产品的批量生产，为企业创造了较好的经济效益。在社会效益方面，填补了我国非致冷高功率半导体泵浦激光器方面的不足，对行业技术进步和产业结构优化升级起到了积极的推动作用。 耦合封装是对精度要求非常高的一系列工艺过程，这注定它很难实现自动化技术。因此，小型化泵浦激光器封装技术的研究成果，特别适合在中国这样人力成本低且技术基础好的环境。通过对小型化980nm泵浦激光器封装技术的研究，实现了封装技术的源头性创新，有助于向其他半导体泵浦激光器和光电器件的耦合封装拓展。该技术在光电子器件的应用方面具有广阔的市场潜力和广泛的推广应用前景，将成为形成光电子器件封装技术产业的重要技术支撑。

本发明公开了一种模块化多电平换流器功率运行区间的获取方 法，包括下述步骤：(1)根据已知的模块化多电平换流器的基本参数， 建立旋转坐标系下模块化多电平换流器的稳态数学解析模型；(2)确定 要考虑的运行约束条件；(3)根据稳态数学解析模型计算各约束条件下 功率运行区间；(4)将各约束条件下的功率运行区间取交集，获得考虑 多重运行约束条件下模块化多电平换流器的功率运行区间。本发明考 虑的运行约束条件，通过建立一套旋转坐标系下模块化多电平换流器 的稳态数学解析模型，并通过取交集得到考虑多重约束条件下的功率

大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。 项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。 该大功率电源的研制解决了微波、毫米波领域整机系统对供电的需求问题，实施后极大的提升整机性能，同时降低整机体积。

宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。

大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。

针对现有无功功率可调补偿装置结构复杂、投资大，维护使用不方便等不足，本实用新型提供一种无功功率可调补偿装置，该种无功功率可调补偿装置，结构简单、操作方便、投资低、使用寿命长、补偿效果显著。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无功功率可调补偿装置，由无功元件、晶阐管开关、用于降压的变压器等构成，其结果特点是：用于降压的变压器为调压变压器，变压器原边绕组的始端接高压母线、末端接地或者接另一相的高压母线，次边绕组始端附近的调节触点经分接开关接低压母线，该低压母线与次边绕组的末端之间接有无功元件与晶阐管开关的串联体。 本实用新型的无功元件为电容器组或电抗器或滤波器，使得本实用新型既可吸收电网中的感性无功功率，也能吸收容性无容功率，还可在提高电网的功率因数的同时，滤除谐波提高电网质量。

高功率密度伺服电机是一种采用紧凑型结构的新型稀土永磁电机。该电动机极槽最优化配合，使电机体积、成本、加工性能、电机力能指标达到最佳，同时对力矩波动具有较强的抑制作用。高密度伺服电机和高精度磁编码器以及驱动控制器三个部分可以组成高精度驱动控制系统。是先进制造技术的基础，其应用范围非常广阔，如数控机床、精密电子装备、工业自动化装备、工业机器人、航空、航天等领域。