单相功率电表 7110/7120 ‒待机功率解析度达 0.001W ‒具波峰因素比显示 ‒更高 50 阶谐波分析能力 ‒1000 组量测数据保存空间 ‒电流波峰因素最高 CF9 ‒自动换档速度快   ICROTEST Power Meter 7110/7120的输入电流波峰因素可达到CF3/CF9 并拥有量程范围内所有数据均能量测优异特色，自动换档速度上亦是同等级功率表更快 能迅速锁定电流量程、准确进行功率消耗分析，量测范围从0.001W到16KW均能量测   MICROTEST 7110/7120 能量测内含DC成份的AC功率消耗 对于分析正负半周不对称电器之电流信号，得到的功率因素PF更准确 市面上电器产品为因应欧盟对电器的待机规范，厂商均致力于将待机功耗尽可能降低 并能帮助电器厂商精准分析自家产品的待机功耗并能搭配个人电脑做长时间功耗分析     关注微信公众号，看产品视频  

本发明公开了一种基于模型预测的开关磁链永磁同步电机的转 矩控制方法，包括如下步骤：对电机逆变器的开关管状态进行组合得 到八组开关矢量信号；在当前时刻 k，在每一组逆变器开关矢量信号 下 ， 预 测 下 一 时 刻 k+1 的 p 相 绕 组 电 流 得到 d 轴和 q 轴 的电流预测值 id；预测下一时刻 k+1 的 电 机 转 矩 和 电 机 磁 链 计算 成 本 函 数 得到成本函数最小时的逆变器开关矢量信号；定 义 根据 m 的值，控制单个采样周期内成本函数最小时的逆 变器开关矢量信号的有效作

本发明公开了一种电机定子冷却结构，其包括内壁向内凸起形 成多个水套齿的冷却水套，电机定子铁心模块刚好嵌插入水套齿之间 形成的空隙，并与水套齿抵接固定，冷却水套内部有由水道隔离筋分 开形成多条环绕的水道支路，水套齿内部空腔内，有与水套成一体的 水道挡板伸入，该水道挡板顶部和两侧面分别与水套齿内壁形成沿空 腔内壁的水道。本发明还公开了具有上述冷却结构的开关磁阻电机， 该电机绕组线圈缠绕在模块化定子铁心齿部间及轭部形成的条形槽 内，电机定子铁心模块由两端的铁心压条压紧并且固定。本发明可以 对电机绕组进行很

本发明公开了一种适用于交流电机的变开关频率 PWM 转矩脉 动控制方法，该系统主要包括转矩脉动预测模块与开关周期更新模块。 本发明以 PWM 转矩脉动峰值为控制对象，基于两电平电流纹波实时 预测模型，建立了 PWM 转矩脉动预测算法。应用该预测算法，以 PWM 转矩脉动峰值为控制对象，改变两电平电压源逆变器开关频率。相对 于固定开关频率 PWM 控制(CSFPWM)，变开关频率 PWM 控制 (VSFPWM)可有效降低逆变器平均开关频率，从而减小开关损耗，同 时可有效改善电机驱动系统的 EMI 噪声

本新技术成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310005129.7），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘恒定导通时间调制电压型控制方法及其装置，根据输出电压与电压基准值的关系，采用恒定导通、关断、恒定导通组成的控制时序，或关断、恒定导通、关断组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。该成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等多种拓扑结构的开关变换器，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，稳压精度高。

本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310022501.5），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制C型控制方法及其装置，根据基准电压Vref和输出电压Vos经过误差补偿器后生成的控制电压Vc与电感电流Is的关系，结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间，产生三段时间t1、t2和t3，每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果的优点是：瞬态响应速度快，稳压精度高，稳定性能好，电磁噪声小，抗干扰能力强，应用范围广，且具有限流功能。

本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N⁺衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P⁺ 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两

本实用新型公开了一种用于户外高压隔离开关现场安装检测的测力连杆。目前的连杆在初次装配时，由于基础和支架精度问题，往往会产生安装不到位，立柱不垂直，互相不平行，回转台有卡涩，触头触指未对齐等问题。本实用新型包括第一连杆关节和第二连杆关节，所述的第一连杆关节与第二连杆关节之间设有第一双头螺纹杆和第二双头螺纹杆，所述的第一双头螺纹杆与第二双头螺纹杆之间设有一力传感器。本实用新型可以通过力传感器测得连杆内部的拉、压力来判断各部件是否出现问题以及相应的程度；本实用新型结构简单，可以方便地用于各种类型的隔离开关的安装。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。