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GZG49系列直流电源主要应用于电力系统中各类发电厂、水电站和各类变电站，可用作断路器分合闸电源及二次回路中国的仪器、仪表、继电保护、自动控制和事故照明的电源。泰开自动化采用自主研发的智能监控模块、高频电源模块、绝缘监测模块、智能电池巡检模块等，采用统一的通信规约，由智能监控模块对整套系统进行管理，产品容量有18Ah-3200Ah不等，满足用户对不同直流电源系统容量的要求。

大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。

本发明公开了一种基于超材料结构的微波功率传感器，包括基板、输入微带信号线、悬臂梁结构输入微带信号线、悬臂梁结构输出微带信号线、输出微带信号线、叉指结构、开路短截线电感以及微带线地线，该微波功率传感器是在基板上放置由悬空的叉指结构和开路短截线电感构成的超材料结构，当输入的微波功率发生变化时，微波功率对相互平行、悬空的叉指结构的吸引，导致叉指结构的位移，从而使得叉指电容和开路短截线电感构成的超材料结构产生相应的相移输出，通过检测超材料结构的相移，实现微波功率的测量，本发明灵敏度高，且为相移输出，测量误差小，同时还具有结构简单、成本低、体积小、功耗低、工艺兼容等优势。

本发明采用的模型将协同组播通信的每个组播分为两个时隙。在第一时隙，基于在第一个时隙中是否成功接收到数据，将均匀分布的N个用户划分为两个集合S和F，其中，S代表成功用户集，F代表失败用户集。在第二时隙，成功用户将数据转发给失败用户。与传统方法相比，本发明设计的最佳中继概率Pa*和最佳中继功率值p11*，能实现协同组播通信支持任意数据传输率的能效最大化。

本发明公开了一种降低 OFDMA 系统信号峰均功率比的方法， 具体为：在发射端，将用户输入的数据经过 LDPC 编码器进行编码， 生成拥有多个可反转子集的编码码字，再进行调制；将调制后的数据 映射至用户分配到的子载波上，构造多个可反转频域符号集合；通过 对构造的可反转频域符号集合进行独立的反转以降低 OFDMA 系统信 号的峰均功率比；在接收端，将接收到的信号经傅里叶变换后再进行 子载波解映射和解调制，得到每个用户对应的接收信息，并采用 LDPC 译码器进行译码，从得到的译码码字中提取出相位反转信息以恢复原 始信息；本发明能有效地降低 OFDMA 系统信号的峰均功率比，且不 需要发送边带信息，提高系统的频谱利用率，降低系统的复杂度，同 时具有良好的纠错性能。 

本发明公开了一种用于异构网络(HetNet)上行链路的功率控制方 法，具体为：首先定位用户设备(UE)与对应接入点(AP)的距离，即 UE 向对应 AP 发送上行导频信号，AP 接收上行导频信号后根据导频信号 经历的路径损耗确定 UE 与对应 AP 的距离。在同一个微小区内，对离 AP 不同距离的用户提供不同的上行功率，此上行功率与距离呈幂函数 递减的关系，即用户距离 AP 越近，发射的上行功率越大。本发明 AP 和 UE 的位置分别建模为两个独立的齐次泊松点分布(PPP 分布)，并借 助随机几何研究该系统的性能。仿真结果分析证明，与传统的功率控 制策略相比，本发明在提高平均传输速率的同时，也在一定程度上优 化了能量效率，从而使整个系统的性能得到有效提升。

随着电子技术的不断发展，电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明：电子器件工作温度在70～80℃水平时，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化，导致散热量的迅速增加，传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统，利用闪蒸雾化和相变传热技术，实现了低温高效换热，传热系数高达26533W/(m2·K)，表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2（而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度）。

一、创新点： 1.创新1-高低压兼容工艺技术：世界首个P-sub/P-Epi高低压兼容浮置沉底工艺平台 2.创新2-抗瞬时电冲击电路技术：国际最高品质因子600V等级浮栅控制芯片 3.创新3-低损耗功率器件技术：超低开关损耗阶梯栅氧600V超结功率器件 4.创新4-高功率密度互联技术：国内首款微型智能功率驱动芯片及600V单片智能功率驱动芯片。 二、产出情况： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家国内外公司采用，项目新增销售27.2亿元，新增利润4.9亿元，新增创汇3115.5万美元，解决了我国智能功率驱动芯片的“卡脖子”问题。 1.智能生活家电领域累计销售超16亿颗，市场占有率全国第一（超过40%） 2.首次实现国产智能功率驱动芯片应用于高铁空调控制器 3.唯一一款应用于智能电表的国产功率芯片，解决了我国智能电表系统的战略安全问题 4.在新能源交通工具领域出货量超30亿颗 成功应用于亚马逊无人仓储机器人，首批供货超过1万套。