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全功能男女性护理人模型、多功能护理人模型
产品详细介绍名称：高级男女性全功能护理人模型 型号：ZH/122B一、特点高级全功能组合式护理训练模拟人是根据临床基础护理操作与实习护理技术大纲的要求，经专家研讨由我公司开发研制的最新产品。该产品综合了基础护理与外科护理的主要功能。 本模型由进口PVC塑胶材料，经模具浇模工艺制成。具有形象逼真、操作真实、拆装方便、结构合理和经久耐用等特点。还可以拆装分部件进行局部功能教学训练。是目前国内最先进、功能齐全、材料讲究的全新高级护理训练模型。二、产品功能：1、清洗梳理头发（假发）、洗脸2、眼、耳滴药水清洗3、口腔护理4、氧气吸入法5、鼻饲法6、气管切开护理7、可进行口腔直接气管插管操作训练8、洗胃法9、胸腔解剖重要器官结构观察10、手臂静脉注射、输液、输血训练11、三角肌皮下注射12、大腿、臀部肌肉注射13、女性导尿术14、女性膀胱冲洗15、灌肠法16、女性会阴护理17、造瘘引流术护理18、胸、腹部穿刺训练包括胸腔、腹腔、肝脏、腰椎穿刺。①胸腔穿（在左侧肩胛线第7-8肋间，避免在第9肋间以下穿刺）；②腹腔穿刺（在下腹部脐与髂前上棘连线中外1/3交点处）（暂缺）；③肝脏穿刺（在右侧腋中线第8-9肋间，深度不超过6cm）（偏高）；④骨髓穿刺（在左侧髂前上棘后方1-2cm处）；⑤腰椎穿刺（在第3-4腰椎棘突间隙，成人进针深度为4-6cm，髂嵴最高点平第4腰椎棘突）。19、整体护理：床上擦浴、座式擦浴、穿换衣服、冷、热疗法20、创伤护理：消毒、换药、止血、包扎（1）、大腿皮肤裂伤（消毒、清洗）（2）、大腿感染性溃疡（消毒、清洗、换药）（3）、足坏疽，第1、2、3足趾和足跟压疮（褥疮）（4）、上臂截肢残端（供包扎训练）（5）、小腿截肢残端（供包扎训练）三、适用范围1、适用于高等医学院校、护理学院、职业卫生院校等临床教学示教及学员实践操作训练2、医院医护人员继续教育临床教学实践操作训练3、基层卫生单位临床医学普及培训四、保养、保修1、鼻饲、洗胃、灌肠、男女导尿等功能操作训练结束后，要排空操作时灌注入胃、肠、膀胱的残液。2、长时间不用时，应将模型擦试清理干净，装包存放在阴凉干燥处、以延长使用寿命。3、模型为组装式，保管好拆装时螺母，备有零部件可供更换。4、本模型免费保修壹年，终身维修。
上海中弘科教设备有限公司
2021-08-23
带考核功能的网络型多功能综合布线实训装置
产品详细介绍
【发明专利】
一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200910089129.3
一种双绞线端接故障演示装置，专利号：200920110601.2；
一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200920110300.X；
一种综合布线实训装置，专利号：200920110299.0；
一种打线端子快换装置，专利号：201020188141.8
【外观设计专利】
多功能综合布线实训装置，专利号：201030165270.0
【功能简介】
多功能综合布线实训装置（实训仪）是用来进行综合布线工程实训类教学及学习的仪器，具备综合布线工程中基本技能实训和部分工程实训功能，同时能够检验综合布线系统工程中线缆端接与打线的连接情况，并以彩色图形的方式形象的展示双绞线线缆中常见的各种接线故障。
【仪器特点】
1.由双绞线打线实训、双绞线跳线制作实训、双绞线端接测试实训和双绞线端接故障演示实训等装置组成，物理上与实训室中心设备间（CD）用5E类双绞线相连。
2.能满足2-6人同时进行双绞线端接实训，双面操作；
3.可进行双绞线端接测试及故障演示实训，测试及演示的双绞线端接常见的故障现象包括开路、短路、交叉线对、反向线对和串对等。测试结果可以回放显示。
4.打线训练模组采用斜口专利技术、模块化设计，更换便，支持学生无限次重复压接线实训，无使用寿命限制。
5.实训操作机架可维护性强，各个训练功能和测试功能模组全部采用结构化设计，当其中一部分因磨损需要更换时可以采用最小化的方式，只需对单一模组进行更换，节约维护成本和教学成本。
【规格参数】
长0.6米，宽0.53米，高1.8米，开放式机架。配36U双面开放式机架1个，双绞线端接测试及故障演示装置GCT-MTP 1台，实训模组2套，24口网络配线架2个，理线环2个，双口地弹信息插座1个，地弹电源插座1个，零件盒1个。可供2-4名学生同时操作（双面操作，互不干涉）。
北京华育迪赛信息系统有限公司
2021-08-23
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均
华中科技大学
2021-01-12