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厦门大学电子科学与技术学院李澄副教授课题组指导本科生发表新型半导体光电器件衰减机制研究重要成果
研究者通过X射线光电子能谱证明界面修饰层对电子传输层与钙钛矿层缺陷的双重钝化作用；通过光、电信号的瞬态响应，证明苯丙氨酸层可提升界面处的载流子电荷转移；通过本课题组创建的宽场荧光成像显微镜，实现了抑制碘缺陷移动的实时原位观测。
厦门大学
2022-06-15
中国药科大学药学院周建平/丁杨团队在Adv Sci,Nano Lett,J Control Release连发三文报道抗阿尔兹海默症研究成果
基于阿尔兹海默症（AD）病理机制和血脑屏障（BBB）药物渗透限制，该团队全面总结了近年来靶向阻断AD疾病进程的纳米药物应用进展，并探讨了以病理机制指导的纳米药物设计原则。
中国药科大学
2022-05-31
宁夏回族自治区科技厅关于组织开展 2023年自治区农业科技园区申报工作的通知
为深入贯彻党的二十大精神，认真落实自治区第十三次党代会决策部署，全力推动乡村振兴样板区建设，切实培育农业农村发展新动能，加快现代农业技术集成应用与科技成果转化推广，根据《自治区农业科技园区管理办法》（宁科规〔2023〕7号），现将2023年自治区农业科技园区（以下简称“园区”）申报事宜通知如下。
自治区科学技术厅
2023-08-09
农业水文与水土环境团队在基于多源数据融合的高分辨率遥感蒸散发模型方面取得新进展
该项研究工作提出了新的面向复杂种植和灌溉条件的农业区遥感蒸散发时空数据的融合方法，该算法采用农业区相对均匀气象和灌溉条件的水文响应单元代替传统的分解窗口，并提出一种ET校正的方法，基于作物种植结构对ET进行分解和重构。
中国农业大学
2022-06-01
国务院办公厅转发国家发展改革委国家能源局《关于促进新时代新能源高质量发展的实施方案》
为更好发挥新能源在能源保供增供方面的作用，助力扎实做好碳达峰、碳中和工作。按照党中央、国务院决策部署，现就促进新时代新能源高质量发展制定《关于促进新时代新能源高质量发展的实施方案》。
中国政府网
2022-06-08
【成电重研院】第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆举办
4月9日，以“芯”成果·新生态|集成电路产业发展现状及趋势”为主题的第二届科创中国·高等学校技术交易大会集成电路产业分论坛在重庆召开。论坛由中国科协和重庆市人民政府指导，中国高等教育学会、中国科协科学技术创新部、重庆市教育委员会、重庆市科技局、中国科学技术出版社共同主办，电子科技大学承办，电子科技大学重庆微电子产业技术研究院、成都市电子学会协办。
云上高博会
2023-04-11
西北农林科技大学园艺学院葡萄种质资源与育种团队在研究葡萄MADS-box基因对花和胚珠发育的调控机制方面取得新进展
该研究报道了一个SEP亚家族的VvMADS39基因，结合功能研究及其参与的网络调节机制，证实VvMADS39对葡萄花分生组织的维持及在胚珠发育过程中发挥重要作用。
西北农林科技大学
2022-10-13
中山大学药学院（深圳）陈红波、程芳研究团队在免疫抑制新靶点 发现和新型免疫抑制剂研发领域取得系列成果
LAG-3和PD-1是两个潜在的器官移植免疫排斥治疗靶点，成功制备了间充质干细胞来源的FGL1/PD-L1双靶点外泌体，发现其能够在小鼠异体心脏移植模型中有效减轻移植排斥，展现了良好的治疗效果。
中山大学
2022-05-31
西安交大电光晶体研究成果在《科学》发表
电光晶体是电光调制器、电光开关、电控光束偏折器等重要电光器件中的核心关键材料，广泛应用于光纤陀螺、激光雷达、量子通信等前沿技术领域。目前，电光器件小型化、轻量化、集成化、低驱动电压和低功耗的发展趋势，对晶体的电光性能提出了更高的要求。
西安交通大学
2022-04-22
石墨烯体系单原子缺陷研究进展发表
石墨烯中电子除了自旋这个内秉自由度，还有子格赝自旋和谷赝自旋自由度。石墨烯中电子的多自由度给石墨烯带来了很多新奇的物理性质。单原子缺陷是材料体系中最简单的缺陷形式，可以作为一种模型体系来帮助了解缺陷对材料性质的影响和调控。物理学系何林教授课题组长期致力于研究石墨烯中的单原子缺陷，发现缺陷可对石墨烯中自旋、子格赝自旋和谷赝自旋相关的电学性质产生深刻影响。例如，他们利用扫描隧道显微镜（STM）首次证实石墨烯中单原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上实现了对其自旋磁矩调控，实现了三种自旋量子态；观测到石墨烯中单原子缺陷引入的对称性破缺态，并系统地测量了缺陷附近谷极化和谷依赖的自旋极化在实空间的分布情况。 石墨烯中电子的子格赝自旋来自于其六角晶格结构，有A和B两套子格，因此波函数数学形式上类似于自旋。对于电子自旋有很多有意思的可观测物理现象，那么对应石墨烯中的子格赝自旋是否有可观测的物理现象呢？带着这一问题，何林教授课题组开展了深入研究。他们发现石墨烯中的单原子缺陷可以使准粒子在石墨烯手性不同的两个谷之间发生弹性散射，并伴随着子格赝自旋的旋转，在缺陷附近产生一个原子尺度的子格赝自旋涡旋，而赝自旋在涡旋（单原子缺陷）的绕数直接反映了体系的Berry相位（图1）。通常来说，贝利相位的测量需要借助于外加磁场，因为磁场可以驱动准粒子沿闭合的轨迹绝热运动，所以这一的结果提供了一个简单的方法测量不同层石墨烯Berry相位的方法。何林教授课题组利用STM测量单原子缺陷引起的谷间散射形成的电荷密度波振荡，证明电荷密度波振荡在实空间中增加的额外波前条纹数直接反映了子格赝自旋在涡旋的绕数，从而可直接测量不同层石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他们对双层石墨烯进行了详细的研究，并将相关结果推广到多层石墨烯体系。进一步他们还研究了相同和相反绕数的子格赝自旋涡旋的量子干涉。上述结果直接证明了子格赝自旋有很多丰富有趣的物理现象亟待深入研究，也为子格赝自旋物理提供了全新的研究思路。
北京师范大学
2021-02-01