XZ-0178型水质分析测试仪可用于测定自来水、循环水、污水中的浊度、色度、悬浮物、余氯、总氯、化合氯、二氧化氯、溶解氧、氨氮（以N计）、亚硝酸盐（以N计）、铬、铁、锰、铜、镍、锌、硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐氮、阴离子洗涤剂、COD、硫化物等参数，化学法和电极法一体机，用户可根据自己的要求，以百分比的形式标定使用，为客户提供方便。本仪器可广泛用于水厂、食品、化工、冶金、环保及制药行业等部门的检测，是常用的实验室仪器。

一种离心泵振动故障融合诊断方法及振动信号采集装置,其特点是:它通过离心泵振动信号采集装置采集离心泵的正常状态,质量不平衡,转子不对中和基础松动振动信号;利用小波包分解,重构技术实现离心泵振动信号的特征量提取,并将特征向量分别输入子模糊神经网络I和II,由模糊模式识别子系统预处理后代替相应的传感器信度函数分配的相关系数,整个子模糊神经网络包括数据模糊化层,输入层,隐含层和输出层,利用D-S证据理论的组合规则,求得融合后信度函数分配,从而实现离心泵的正常,不平衡,不对中和基础松动状态的融合诊断.其方法科学合理,诊断效率高,诊断结果准确;信号采集装置具有结构简单,性能可靠,信号采集全面,真实有效优点.

氢气再循环泵是氢燃料电池系统中的关键部件之一，主要有两种技术路线：电机驱动机械式氢气再循环泵（机械泵）和喷射式氢气再循环泵（喷射泵）。目前国内均无成熟产品，机械泵主要依赖进口，然而该类产品存在大流量下升压能力差、结冰堵转、故障率高等缺点。喷射泵利用氢罐自身压力运行，可完全克服机械泵的缺点，且无需电机驱动、无运动部件，完全避免了由电机带来的能耗、密封、防爆、减振及降噪等致命缺陷，是氢气再循环泵的变革性技术和终极解决方案。本项目综合运用多喷嘴引射新器件、多相适应新技术、全局优化新方法，研发安全、可靠、高效、无源的喷射式氢循环系统，以期解决燃料电池氢循环密封难、能耗高、寿命短等痛点，推动行业进步。

本实用新型公开了一种基于SLM技术的轻量化柱塞及柱塞泵，该柱塞包括柱塞主体和封盖，所述柱塞主体由柱塞头部、连接部和柱塞尾部依次一体成型而成，所述柱塞头部为中空球体，所述中空球体上开有过油孔，所述柱塞尾部为中空圆柱体，所述中空圆柱体的侧壁上至少开有四条均匀分布的通油流道，所述通油流道与所述中空圆柱体的轴线平行，所述通油流道与过油孔在所述连接部交汇相通。本实用新型将SLM快速成型技术应用于柱塞泵柱塞的制造，从而设计出一种封闭的空心薄壁柱塞结构，可以显著减轻柱塞的质量，减小了驱动力和运动中的惯性力，同时减小了无效容积，提高了容积效率，减轻了磨损，显著提高柱塞泵的使用性能和寿命。

本实用新型公开了一种TBM变转速变排量泵控电液推进系统。变频电机变排量液压泵和变频电机低压大排量液压泵作为控制系统的流量和压力输出，变频电机变排量液压泵和变频电机低压大排量液压泵经多个插装阀通断装置连接到TBM的推进液压缸组，插装阀通断装置用于控制油路的通断使油路中的油液改变流向，实现推进液压缸组的正常推进、差动快速推进、快速缩回和空载快速推进的四种状态。通过本实用新型使得TBM在软岩地段掘进和空载推进时，能使用差动快速推进功能来提高推进速度，节省工作时间，提高工作效率，提升系统效率。

本发明公开了一种降低离心泵承磨环磨损程度的装置，包括高压清水泵(1)、承磨环(4)、叶轮(10) 和离心泵(13)，高压清水泵(1)依次通过输水管(2)、水封管(3)、离心泵(13)的泵壳孔(7)与中心开有径向孔 (6)的承磨环(4)相连通，承磨环(4)设置在离心泵(13)的泵壳底部，承磨环(4)的近吸水室侧底面(9)与叶轮 (10)进口外缘的间隙 L1 小于承磨环(4)的近压水室侧底面(12)与叶轮(10)进口外缘的间隙 L2。本发明成本 较低，便于推广;能够使水泵的泄漏损失减少，使得水泵的效率提高;能大大降低承磨环的磨损程度， 使水泵长时间保持高效运行。

影响水泵和排灰泵正常工作的关键因素之一是泵的过流部件的磨蚀。在磨损和汽蚀的共同作用下，过流部件表面的金属会逐渐剥落造成金属流失，其结果导致出水量减少、工作效率降低和电耗增加。我国河流多含泥沙，而黄河含沙量为世界之首，所以，我国水电站、提灌站，特别是引黄泵站中水泵过流部件的流失速度很高，严重影响着工农业的正常生产。因此，降低泵的过流部件的流失已成为当前亟待解决的重要问题。FCB 合金是由澳大利亚昆士兰大学采矿、矿业和材料工程系研制成功的一种新型铁基耐磨材。就总体而言，该合金与高铬铸铁在组

本发明涉及一种有杆泵抽油机抽油控制方法及其系统。该方法通过采集抽油机悬点载荷和位移数据生成地面示功图，由波动方程计算得出地下泵功图；根据泵功图图形特征，应用模糊逻辑进行游动阀漏失等泵工况分析及控制：若有严重故障则停机待检，否则根据分析得出的泵充满程度调整运行参数，若符合“抽”条件则计算或调整停抽时间进行“间抽”控制，否则根据泵充满程度计算新的冲次参数。采用该方法的 ARM 嵌入式抽油控制器，可将泵功图诊断和实时抽油控制结合起来，实现故障保护、停抽、“间抽”或冲次参数调整，可显著提高工作效率。

本项目是一种首创的基于固体电化学原理的氧泵。该氧泵具有两大功能：一、测定金属氧化动力学；二、可以在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。测定金属氧化动力学时，氧泵通过将金属氧化过程消耗的氧量经过电化学过程转化为电荷量来获取氧化动力学曲线。由ZrO2固体电解质管、隔断阀和石英管构成一个封闭体系，在ZrO2固体电解质管内外壁上沉积或涂覆铂电极构成电化学氧泵，将氧化样品与固体电解质电化学氧泵分别处于不同的温度，实现氧化温度和氧压可调，将氧泵电流积分与氧化时间做图可获得氧化动力学曲线，可用于金属及合金氧化动力学测定，包括产生挥发性氧化物的体系的动力学测定，以及其它吸收氧过程的动力学测定。本发明方法的结构简单，操作简便，测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化。本仪器可以替代电子热天平，为高新科技产品。 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压，可广泛用于科研和生产。 国际首创，成果列入1998年4月美国出版的“High-temperature Research in Progress：1997”，采用本技术的研究结果多次在 Oxidation of Metals 上发表。获得发明专利，发明专利号：98101027.X 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。 本发明的氧泵操作简便，控制和测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化，为高新科技产品。可以根据实际需要提供特定的技术与产品。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。