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一种降乳菌培养工艺及其应用在白酒中的生产工艺
研发阶段/n本发明涉及一种降乳菌及其应用在白酒中的生产工艺,该菌株是一株分离于浓香型高温大曲的地衣芽孢杆菌331,它利用糖类不产乳酸,能在酸性环境pH2.5-3.5下生长良好;2009年12月10日保藏于湖北武汉武昌珞珈山武汉大学中国典型培养物保藏中心,保藏号为:CCTCC?NO:M?209297。本发明生产流程对使用者原有工艺没有严格限制,在入窖前的粮醅中加入大曲粉的同时,加入降乳菌,入池发酵成熟后蒸酒,就能控制大曲白酒中乳酸乙酯含量。此降乳菌株发酵特性独特,降低乳酸乙酯含量效果明显,并且能将乳酸
湖北工业大学 2021-01-12
新型戊糖乳杆菌素的高效制备及其在低温食品中的防腐保鲜应用
 一、成果简介 本课题受到国家高技术研究发展计划(863 计划)项目与国家科技支撑计划项目的资助。针 对化学防腐剂在食品中应用的潜在危害,开展了新型天然生物防腐剂-乳酸菌细菌素的高效制 备和应用研究。获得了一种新型细菌素-戊糖乳杆菌素,并对其分子结构,生物学特性,工业 化制备及应用进行了深入研究。二、技术指标
中国农业大学 2021-04-14
天然高分子(壳聚糖、透明质酸和寡糖)的改性及加工技术
以天然高分子壳聚糖、透明质酸等为原料对其进行改性使其溶解在水、油(普通有机溶剂)等类衍生物,扩大了其作为生物医用材料的应用。然后还以新的生物材料制备方法光聚合方法、电纺丝方法、超临界聚合等方法对改性后的衍生物进行加工,使得其可以应用在生物医用材料如皮肤烧伤敷料、药物控释、人工组织工程支架等生物材料领域。并且还开展了光固化超硬、超耐磨、自清洁材料,光聚合药物缓释材料,光聚合有机高分子纳米微颗粒,光聚合信息存储材料等项目的研究。 溶解性:可溶解水、乙醇等12种有机溶剂;聚合速率,可光聚合壳聚糖单体最大转化率92%,聚合速率12秒;制备材料为无毒。用于食品包装等,生物医药,生物医用材料等,开发前景使用性能优良,具有广阔的市场前景。以壳聚糖等为主要原材料,主要设备是常温反应釜。若生产规模为100吨/年,设备投资约10万元,厂房面积需300m2,动力100KW,操作人员约3人。产品综合成本约80000~120000元/吨,市场平均售价约355000~460000元/吨,年利润约400~600万元,具有一定的经济效益。
北京化工大学 2021-02-01
一种蛋白质-壳聚糖复凝聚食品微胶囊体系及其制备方法
本发明提供了一种蛋白质‑壳聚糖复凝聚食品微胶囊体系及其制备方法,本发明将蛋白质和海藻酸钠或果胶混合溶解于pH5.0以上的水溶液,然后再与壳聚糖溶液混合,调节pH值,低速搅拌使蛋白质‑壳聚糖–海藻酸钠或蛋白质‑壳聚糖‑果胶之间发生复杂的复凝聚反应,离心收集复凝聚相后,加入Ca2+,使复凝聚体系中的‑COO‑与Ca2+发生交联反应,从而提高蛋白质‑壳聚糖复凝聚体系的稳定性。本发明只需要通过控制海藻酸钠或果胶及Ca2+的添加量及交联时间即可达到交联的目的,不涉及有毒有害试剂,生产工艺简单易行、安全高效,易于规模化生产,对于包埋各种功能性成分具有广阔的市场前景。
青岛农业大学 2021-04-13
魔芋葡甘聚糖基质蛋白质分子印迹膜及其制备方法和应用
研发阶段/n本发明提供一种蛋白质分子印迹膜,能够选择性识别结合模板蛋白质分子,是以魔芋葡甘聚糖为主要基质,其制备方法是将魔芋葡甘聚糖充分溶胀后,加交联剂或与其它高分子共混,中和后加入模板蛋白质分子,充分混合后流涎成膜,干燥脱水形成模板蛋白质的分子印迹,加洗脱液充分洗脱模板蛋白质分子后制成魔芋葡甘聚糖蛋白质分子印迹膜。本发明所得蛋白质分子印迹膜,可作为生物分离模拟亲和膜应用于蛋白质分离纯化,尤其是基因工程蛋白质产品的分离纯化,生物传感检测中的敏感膜部件以模拟抗体识别相应抗原等。
湖北工业大学 2021-01-12
一种壳聚糖/纳米TiO2复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种壳聚糖/纳米TiO2复合材料及其制备方法和应用,该制备方法包括:将壳聚糖溶液与纳米TiO2粉末混合,用超声波分散处理后,于160-180℃下反应1-2h,制得壳聚糖/纳米TiO2复合材料;其中,壳聚糖溶液的浓度为0.05-0.2g/L,纳米TiO2粉末的添加量为0.1-1.0g/L壳聚糖溶液。本发明的制备方法操作简单,安全性好,能使纳米TiO2均匀分散在壳聚糖中。采用该方法制得的壳聚糖/纳米TiO2复合材料结构稳定,具有较好的力学性能和加工性能,可用于制备纤维材料;且该复合材料能有效分解水稻白叶枯病原菌的胞外多糖,对水稻白叶枯病原菌具有抗菌活性,光催化效率高,用于水稻栽培中能有效防治水稻白叶枯病。
浙江大学 2021-04-13
有机官能化系列笼型倍半硅氧烷纳米材料制备技术
该技术通过分子设计和环境友好的水解反应,利用顶角-戴帽法和官能团剪裁等手段制备带有多种可反应性基团的中空笼型纳米材料。材料具有质轻、透气、超低介电常数、耐热、易加工、可溶解性、生物相容性等特性,体现了不同于传统纳米材料的优点,与聚合物有非常好的相容性和分散性。这类有机-无机杂化材料实现了将有机材料的耐热性能和高强度与有机高分子材料的加工工艺简单完美结合的目的。 笼型倍半硅氧烷与高分子聚合物的相容性良好,基本可以达到分子级均匀分散,这是普通无机填料无法达到的,得益于笼型倍半硅氧烷分子具有有机部分,既使在惰性基团取代笼型倍半硅氧烷中也可以与有机基体实现良好的相容行为。同时,材料的耐热性能指标(如玻璃化转变温度,5%质量损失热降解温度)均有大幅度提高,这是因为笼型倍半硅氧烷的Si-O骨架部分提供了优异的抵抗热冲击性能,此外,还可以利用多官能化笼型倍半硅氧烷进行交联反应实现三维交联结构,以进一步提高耐温性能。另外,笼型倍半硅氧烷可以作为各种催化剂和其他功能性材料的载体,在拓宽这些功能材料使用温度的同时提高其某些性能,如提高电致发光材料的发光效率和发光纯度,提高催化剂的催化效率和选择性。 可以预见,随着各个交叉学科领域的不断扩展,笼型倍半硅氧烷作为典型的有机-无机杂化材料的优异性能将会引起人们越来越浓厚的研究兴趣。 粒子尺寸:1.5~3nm;溶解性:根据官能团不同,可溶解于有机溶剂或水;颜色:白色;耐热性:热分解温度在250℃以上。可用于耐高温材料、航空航天材料、复合材料、超低介电材料、塑料及纤维改性、功能高分子材料、特种涂料、生物材料等制备。在高附加值材料领域,应用前景广阔。项目投资300~400万。
北京化工大学 2021-02-01
4HBL-2 型自走式半喂入花生联合收获机
由青岛农业大学与临沭县东泰机械有限公司联合研制成功。能 一次性完成挖掘、输送、去土、摘果、分离、清选及集果等作业。该机能够适 应倒伏花生的扶禾,其扶禾率可以达到 95%以上;研制的双簧自动涨紧夹秧机构, 无需人工调节,在工作中自动缓冲涨紧,稳定性好;研制的对辊差相半喂入摘 果机构,动力消耗少,秧蔓完整,摘净率可以达到 99.5%,果实无破碎;成功研 制的清选机构,降低了发动机的动力消耗,果实清洁,洁净率达到 95%以上。经 山东省农业机械试验鉴定站检测主要性能指标达到或超过了任务书的要求。并 经农业部组织专家鉴定认为,整机主要性能指标达到国际先进水平。项目具有青岛农业大学科技成果介绍 2017 -64- 广阔的推广前景。 
青岛农业大学 2021-04-11
面向工控系统信息安全防护的半实物演示验证平台及方法
本发明公开了一种面向工控系统信息安全防护的半实物演示验证平台及方法;该平台包括依次相连的物理层、控制层和监控层;物理层用于构造并显示虚拟的物理对象模型,并在控制层的控制指令的控制下模拟运行物理对象模型,生成实时现场数据;控制层用于根据物理层上传的生产实时数据与监控层下发的统一调度指令,根据内嵌的信息安全防护算法生成控制指令;监控层用于根据控制层上传的系统实时运行数据和控制指令生成统一调度指令,实现对实际生产过程进行实时的监测与控制
华中科技大学 2021-04-10
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
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