高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种基于多源遥感数据的城市不透水层率息提取方法
一种基于多源遥感数据的城市不透水层信息提取方法,包括根据夜间灯光亮度影像,计算归一化灯 光亮度并基于阈值分割方法对城市地表进行区域类型分割;利用灯光亮度、陆地表面温度与归一化土壤 调节植被指数,构建增强型归一化不透水层指数;通过建立每一种类型分割区域的增强型归一化不透水 层指数 MNDISI 与不透水层率之间的线性定量关系,进行不透水层的提取工作。本发明较好地结合了多 源遥感数据的优势,有效抑制了光谱混淆对于不透水层率估算结果的不利影响,为城市土地利用和环境 变化监测提供了一种新的途径。
武汉大学 2021-04-13
可变温霍尔效应测试仪高低温磁场型0.1GS分辨率
霍尔效应测试仪—高低温磁场型本仪器系统由:电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 产品概述: 本仪器系统由:电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可测试材料: Ø 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!  
北京锦正茂科技有限公司 2022-05-10
造影剂r1 核磁共振造影剂驰豫率测试仪
产品详细介绍产品简介:   PQ001核磁共振造影剂驰豫率测试仪是一款经典的小核磁,专为核磁共振造影剂研究应用设计开发而成,该设备配套有造影剂专用弛豫时间测试软件,可以直接测试得到不同浓度造影剂样品的T1、T2弛豫时间,R1、R2弛豫速率以及造影剂样品的弛豫效率r。弛豫时间测试过程非常简单,样品无需特别配置,软件实现中英文双语选择界面,操作简便,易学易用。技术指标:1、磁体类型:永磁体;2、磁场强度:0.5±0.08T,仪器主频率:21.3MHz;3、探头线圈直径:15mm;应用解决方案:1、Gd类,Fe类,Mn类等核磁共振造影剂T1、T2弛豫时间测试,弛豫效率r测试; 2、细胞液弛豫测试  .....应用案例一:T2弛豫时间测试应用案例二:T1 弛豫时间测试应用案例三:r2弛豫效率测试造影剂专用测试软件注:仪器外观如有变动,以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司 2021-08-23
表面等离激元共振法测液体折射率实验仪 COC-SPR
实验原理 1、在电磁场的作用下,材料中的自由电子会在金属表面发生集体振荡,产生表面等离激元(Surface Plasmon); 2、共振状态下电磁场的能量被有效转换为金属表面自由电子的集体振动能。
成都华芯众合电子科技有限公司 2022-06-18
 锦正茂低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率
TESK301型低温控温仪的前面板有高亮黄色数码管和红色指示灯显示,保*各个角度温度示数清晰可见。按键位置设置规范,按键图标清晰明了。同时TESK301具有三个输出功率范围,充分保*了各个控温区间控温的稳定性,减小温度过冲。安装有标准的RS232 接口,可以通过控制软件利用上位机控制,用户也可开发自己的应用软件。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率      TESK301内置了一个标准恒流电源向电阻温度计供电,通过四线法测量温度传感器电压信号,经16位A/D转换,自校准,数字滤波,查分度表,修正计算后显示实测温度,经与设定温度比较后,实时PID运算给出控制信号,通过机内固态继电器周期控制加热电压来实现温度的控制。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率     您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 作为北京高科技企业,锦正茂科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务,对内承接科研生产任务,对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换,形成了科学管理的现代化经营模式,专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备(液氮 液氦)制冷机系统集成 ,定制 ,高低温真空磁场发生系统,Helmholtz线圈(全套解决方案),电磁铁(全系列支持定制),螺线管,电子枪(高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm),高低温磁场真空探针台,霍尔测试系统,电输运测量解决方案,磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全,性能可靠,至今已有近10余年的历史,是国内(较早)生产探针台,电输运,电磁铁的厂家之一。    
北京锦正茂科技有限公司 2022-08-26
含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法
本发明涉及氧还原催化剂的制备方法,旨在提供一种含硫、氮和过渡金属元素大孔碳氧化原催化剂的制备方法。该方法是:将硫脲溶液加入葡萄糖溶液,于水浴中滴加盐酸,反应得到葡萄糖硫脲预聚体溶液;将含过渡金属盐和纳米CaCO3粉末的悬浊液加入其中,加热反应后喷雾干燥,得到催化剂前驱体;然后升温进行深度聚合、碳化;冷却球磨,再使用盐酸去除模板,漂洗后干燥,得到产品。本发明将过渡金属元素在多孔材料形成前加入,能够形成更多的催化中心,是催化中心的分布更加均匀。得到的催化剂比表面积大,导电性好,具有极高的催化活性,特别适用于大电流工作状况。合成的非贵金属催化剂可用于多种燃料电池,也可作为空气电池的阴极催化剂,成本低廉。
浙江大学 2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
一种介孔二氧化硅包覆纳米金颗粒的制备方法
本发明公开了一种利用介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法,结合纳米金球合成的传统手段-柠檬酸钠还原法,采用一锅两步法发展了一种介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法,该方法选择在碳链的阳离子表面活性剂如十六烷基三甲基溴化铵的碱性水溶液体系中对纳米金颗粒进行包覆。采用本发明的包覆方法,无需引发剂活化和后续分离纯化,具有简单、高效、高产的特点,并且产物 Au@mSiO2 的大小均一,粒径大小在 20-120nm 的范围内连续可调,且在整个范围内呈现出均一有序的介孔状结构。
华中科技大学 2021-04-14
利用两嵌段聚合物 PS-PAA 合成介孔二氧化硅材料
该方法合成的材料具有规则的孔隙结构,高度有序,合成条件温和简单,可操行强,重复性好,材料具有较大的比表面积,可用于多种功能化,进行药物释放等应用。
上海理工大学 2021-01-12
基于环境孔压静力触探探头的重金属污染物浓度的测试方法
本发明提供一种基于环境孔压静力触探探头的重金属污染物浓度的测试方法,通过X射线能谱分析装置和电阻率测试装置完成重金属污染成分及浓度的测定。X射线能谱分析装置包括X射线发射器,X射线探测器以及高性能滤波片。通过X射线探测分析,检测土壤中重金属污染成分。电阻率测试装置由外周的四个环形电极组成,环形电极之间通过绝缘层隔离,中间两个环形电极为测试电极,上下两个环形电极为发射电极,发射电极用于向土体发射电流,测试电极用于测量电位差,再结合根据欧姆定律可以计算电极周围土体的电阻率大小,通过特定重金属元素的浓度电
东南大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 42 43 44
  • ...
  • 47 48 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1