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广州市天亿光电科技有限公司
广州市天亿光电科技有限公司成立于1992年,企业有着25年的发展历史,是我国最早期为数不多的从事LED产品研发、生产和应用的企业之一。多年来,我们本着技术创新、品质过硬、服务周到的宗旨,赢得了市场的好评和认同,在业内遥遥领先。在长期的市场考验中,我们不断完善自身,坚实发展。一路走来,天亿汇集了LED显示屏行业资深顶尖人才,掌握着国际领先的LED显示屏控制核心技术,并取得多项自主知识产权。特别是我们自主研发的LED显示屏互联网的控制管理技术和显示屏无需计算机的独立播放技术均处于国际领导地位,填补了该方面的技术空白,并推动了整个行业的产业模式变革和产业技术创新。
广州市天亿光电科技有限公司 2021-12-07
江西驰宇光电科技发展有限公司
江西驰宇光电科技发展有限公司成立于2016-09-07,法定代表人为黄云,注册资本为10200万元人民币,统一社会信用代码为91360106MA35KE071H,企业地址位于江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥大道699号中节能江西低碳园7-8号楼,所属行业为研究和试验发展,经营范围包含:光电产品的技术研发、生产;国内贸易。
江西驰宇光电科技发展有限公司 2021-11-02
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
项目成果/简介:1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。应用范围:南开大学在碳纳米材料的制备及应用研究方面取得了一批开创性成果,该项目技术的推广,将促进我国新材料、微电子、储能、资源保护等领域的技术进步和发展,为我国在这一新型纳米材料领域占据有利地位,提高国际竞争力,做出重要贡献。
南开大学 2021-04-11
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。
南开大学 2021-02-01
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和 复合材料等方面的应用
1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯 (graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21 世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现 了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达 到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使 SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、 ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为 0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯 (SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过 透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二 维平面结构。
南开大学 2021-04-13
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
1991年发现的碳纳米管(CNT)以及2004年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备SWNTs的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图1),纯度达70%以上,并达到了产业化规模(达200公斤/年以上)。 采用机械共混及"原位"聚合等方法,使SWNTs有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS及聚氨酯等为基质材料,电导率达0.2 S/cm、导
南开大学 2021-04-14
高性能氮化硼纳米材料
纳米氮化硼材料兼具氮化硼和纳米材料的双重优势,广泛应用于航空航天、高端电子散热材料、吸附剂、水净化、化妆品等领域。项目团队开发出一种能够实现形貌和尺寸均一且具有超大比表面积多孔氮化硼纳米纤维的规模化制备技术,目前市场尚未实现规模化生产。该技术合成工艺简单可控、成本低、过程绿色环保,处于国际领先地位。 1 产品的应用领域 图2 高性能氮化硼纳米纤维粉体 图3 氮化硼纳米纤维粉体微观形貌
吉林大学 2025-02-10
基于光电计数感应装置的新型硬币包装机
成果描述:本实用新型公开了一种基于光电计数感应装置的新型硬币包装机,包括转盘轴、转盘、盖子、硬币收集桶、连接漏斗、传动装置、PLC控制器和异步电机,转盘和盖子固定安装在转盘轴上,多个硬币收集桶安装在转盘和盖子之间,盖子上开有与硬币收集桶对齐的通孔,连接漏斗位于盖子上方,且连接漏斗、通孔和硬币收集桶同心设置,所述连接漏斗底部安装有光电计数器,转盘轴和异步电机通过传动装置连接,光电计数器和异步电机分别与PLC控制器连接。本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。市场前景分析:本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
有关三维光电子集成的研究
提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统,该系统与现有的COMS制备工艺兼容,可以实现光子学和电子学的三维集成和互联,为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路,包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括:1. 使用低温COMS兼容制备工艺,可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统;2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺,使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容;3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近,便于集成;4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段,这是硅材料无法做到的;5. 光电探测器工作于光伏模式,可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成,可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能,同时,有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。
北京大学 2021-04-11
光梓科技高速模拟光电子芯片领域成果
光梓科技是一家专业从事高速低功耗模拟光电子集成电路芯片的研发、生产和销售的高新技术企业。项目优势:1)高速低功耗模拟IC芯片在光模块的应用中有较大的成长空间且处于快速发展的阶段。2)公司拥有自己独特的多项专利技术,公司研发的CMOS全兼容高速低功耗光电子集成电路芯片目前处在全球领先水平,技术和产品的壁垒都很高。 3)与多个重量级客户已建立深度沟通与合作机制,未来3年光梓科技的业绩确定性较高,且每年保持高增速是大概率事件。4)国际化的团队。创始人史方博士和姜培教授长期在光电子集成电路领域耕耘多年,分别是成功企业家和技术领域内的国际级专家。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
浙江大学 2021-04-10
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