首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波 长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。

主要功能和应用领域：电机控制系统、伺服系统、机床以及军工设备的静态特性和动态特性。 特色及先进性：申请了5项专利，授权了3项，是一种便携式的检测仪器。 技术指标： ？ 编码器与电机对应关系检测 ？ 控制系统的频域和时域动态分析分析 ？ 快速检测控制系统的性能指标，如果截止频率、带宽、稳定时间、超调量 ？ 根据指标，辅助建议设计控制器、补偿器等等 ？ 能产生随机信号和固定信号 国外有相似产品，也是在2015年4月生产出第一批，但是由于产品的应用领域的敏感性，一直对国内禁售。该产品是开发，调试、现场检测的很好工具。

主要功能和应用领域：电机控制系统、伺服系统、机床以及军工设备的静态特性和动态特性。

本发明公开了一种原位快速采样热重分析仪，包括工作台、加热炉、样品架、采样探针、保温管、炉温控制装置和数据分析装置，加热炉设于工作台上，样品架安装在工作台内的电子天平上，并伸入炉膛中，其上放置有坩埚；采样探针安装加热炉上，并位于坩埚的上方；保温管套装在采样探针的外部，其内设置有超细毛细管，该超细毛细管依次伸入保温管和采样探针，并延伸至坩埚内；炉温控制装置用于检测并控制加热炉的温度，数据分析装置用于获取重量和温度信

产品详细介绍JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪关键词：压电阻抗，压电陶瓷，              阻抗分析主机        压电陶瓷分析夹具及配备压电陶瓷分析软件    JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪是专门用于压电材料测试，主要是测试压电材料的正反谐振频率，正反谐振阻抗及压电材料的电容等相关系数，是一款压电器件的科学研究重要辅助工具，而且可以配合压陶瓷压电分析夹具和压电分析软件，可以测试压电陶瓷的压电器件的频率响应曲线分析等相关参数。现在是国内压电材料器件科学研究的重要工具。一、产品应用范围：1. 压电材料器件科学研究2. 压电材料的用于评定压电陶瓷片性能优劣3. 压电材料阻抗分析二、主要技术参数：1. 测试频率：10.5HZ-5.5MHZ2. 测试电平:10mV～5V±（10%+10mV）3. 输出阻抗: 10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω4. 基本准确度: 0.1%5. 显示器: 320×240点阵图形LCD显示6. 可测量22种阻抗参数组合7. 接口方式: RS232C或HANDLER8. 电压:AC-220V9. 体积：高80mm＊宽205mm＊长230mm10.重量:3KG

产品详细介绍QR-3B型碳硫联测分析仪仪器主要技术参数： 测量范围：碳：0.01-6.00% 硫：0.003-2.000%  测量时间：45秒 测量精度：符合GB223.69-2008，GB223.68-1997标准仪器主要特点：1、气体容量法定碳，碘量法定硫。2、采用国际先进的传感技术微机技术，使用进口传感器、直读碳、硫含量、彻底消除人为视觉误差。3、精度高：碳可精确至0.01%，硫可精确至0.0001%。4、自动打印分析结果。5、预留电脑接口，便于仪器升级。

产品详细介绍主要技术参数★测量范围：（因该仪器可检测的元素较多，现以钢中C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni等常见元素为例）  C：0.001～10.000%       S：0.0005～2.000%      Mn：0.010～20.500%  P：0.0005～1.0000%     Si：0.010～18.000%      Cr：0.010～38.000%  Ni：0.010～48.000%     Mo：0.010～7.000%       ΣRE：0.0100～0.5000%  Mg：0.010～0.800%      Cu：0.010～8.000%       Ti：0.010～5.000%  Al：0.010～15.000%      V：0.010～0.500%  (如改变测试条件，该范围可相应扩大)★电子天平： 称量范围：0—120g 读数精度：0.001g测量精度：符合GB223.3～5-1988、GB223.68～69-1997、2008等标准。主要特点★采用独家开发的、具有知识产权保护的最新检测软件，整机模块化设计确保了检测结果的可靠性；★采用国际先进的多项式拟合曲线技术，增加了单点校正等先进的元素理念，自动调整零点、满度；★各元素检测报告一次性打印，并可根据客户需求设计各种材料牌号自动鉴别系统，可自动鉴别材料牌号；★一台仪器可检测钢铁中所有常规元素C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni、Mo、Cu、Ti、Al、W、V、Nb、Fe、ΣRe、Mg、Co、Sb、As、Sn、Pb等；★检测功能庞大，标准配置即具备检测300个元素的通道空间。动态显示分析过程中的各项数据和释放曲线。★可检测的材料有:普碳钢、不锈钢、低合金钢、中合金钢、高合金钢、生铁、灰铸铁、球墨铸铁、耐磨铸铁、铝合金等。★采用低噪声、高灵敏度、高稳定性的红外探测器。★WINDOWS全中文操作界面，操作方便，易于掌握。 ★ 软件功能齐全，提供文件帮助、系统监测、通道选择、数理统计、结果校正、断点修正、系统诊断等四十多项功能。