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双面高温超导涂层导体
双面高温超导涂层导体是指用薄膜沉积的方法将微米级高温超导薄膜材料制备在厚度为几十到一百微米、宽度为几毫米到几厘米、长度为百米到几千米的Ni合金薄带的两个表面上，使其具有承载大电流能力的带状材料。
电子科技大学
2021-04-10
拓扑超导体研究
实验的纳米线中的自旋轨道耦合不是均匀的。在纳米线结构中电极和超导体的电场以及屏蔽效应都会调制自旋轨道耦合的大小，造成空间不均匀。最简单的模型可以假设纳米线分成自旋耦合大小不同的两段。这个假设立刻能给出衰减的Majorana振荡。其衰减机制是：随着磁场的增大，两段纳米线之间的耦合增强导致二者能谱之间的相互排斥增强，使得能量较低的能谱在振荡的同时变得更低。通过更仔细的参数调节，在不同长度纳米线中观测到的各种形状的衰减都可以被拟合，更加确定了不均匀自旋轨道耦合在纳米线中的存在。此外，这个理论发现，存在不均匀自旋轨道耦合的时候，纳米线中的另一种拓扑束缚态Andreev束缚态也会产生衰减振荡。最新的实验也支持了非均匀自旋轨道耦合是纳米线中不可忽视的因素。
南方科技大学
2021-04-13
准各向高温超导导体
为了实现高载流、准各向同性的目标，对涂层导体临界电流各向异性、稳定性、机械特性、失超及恢复特性、过流特性进行理论和实验研究，建立涂层导体临界电流各向异性模型。对涂层导体面外弯曲特性、扭绞特性进行了系统实验研究。
在此基础上，提出准各向同性涂层导体股线的概念，设计制作了铜包套、铝包套和不锈钢包套股线的圆截面和方形截面股线，对股线进行临界电流、交流损耗、拉伸和弯曲、扭绞特性、稳定性、失超及恢复特性、过流特性进行系统理论和试验研究。
分析和实验研究正常导体与涂层导体之间的电流转移长度，为超导股线与正常导体端部焊接提供了技术依据。对激光焊接不同金属材料功率进行实验探索，获得不同包套材料所需激光焊接功率；研制加工模具，在现有光缆生产线上，实现了10米长圆截面超导股线的加工。并对10米股线长样进行了临界电流实验。
华北电力大学
2022-06-15
安徽大学谢峰老师课题组在宽禁带半导体紫外探测和激光器研制方面取得新进展
近期，信息材料与智能感知安徽省实验室谢峰老师课题组在宽禁带半导体日盲紫外探测器和白光激光器研究方面取得新进展，相关研究成果相继发表在国际知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇论文均以安徽大学信息材料与智能感知安徽省实验室为第一单位，谢峰老师为论文第一作者。
安徽大学
2022-08-26
薄膜材料生长系统
集成电路产业需要大量高端薄膜生长设备，上个世纪80年代，MBE作为一种尖端技术，国外就对中国进行了技术封锁，禁运中国。甚至在今天，MBE仍然属于美国对中国出口的管制类产品，每一台都要经过复杂的审批过程。
南京大学
2021-04-10
柔性透明导电薄膜
中试阶段/n透明导电薄膜是平台式材料，是光电产业上游重要产品。柔性透明导电薄膜可以用于大尺寸柔性触控，柔性显示与照明、薄膜太阳能电池，可穿戴设备等战略性新兴柔性光电子产业，解决陶瓷基透明电极面临主要成分的资源短缺和固有的脆性等不利因素，在相关领域取代ITO薄膜及金属网格。本项目开发从材料到薄膜加工工艺的全链条技术，开发一系列面向不同光电器件需求的产品。目前，团队通过第三方机构认证的样品透过率导电性耐弯折特性处于国际先进水平。目前，正在进行小试阶段的研发工作，高纯原料和部分装备可国产化。
华中科技大学
2021-01-12
薄膜加工技术
研究团队在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明导电薄膜 研发。所制备的液晶光学窗口元件实现可见区平均透过率大于 90%，明视觉反射 率分别为:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方块电阻低于 13 欧姆，理论 电磁屏蔽能力优于 24dB，经用户确认，性能指标处于国内领先，达到国际先进 水平。填补了高性能透明导电薄膜研发的空白，打破了西方国家在该领域的技术 垄断。该研究工作为透明导电薄膜关键元件在国防军工产品的装备应用提供理论 依据和技术支撑。2)1064 带通
上海理工大学
2021-01-12
记忆合金
温控弹簧，执行标准：ASTM F2063-2005，主要性能指标：可提供压缩弹簧和拉伸弹簧及形变片，应用范围温度30℃--100℃，可演示四种记忆方式。有记忆功能的金属，金忆合金如何变成五角星与弹簧等。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
多元氧化物纳米薄膜及薄膜晶体管
北京工业大学
2021-04-14
物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸，有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡，为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日，相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）为题，在线发表于《科学通报》（Science Bulletin）。
北京大学
2023-08-22