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21001圆柱体组
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
21001圆柱体组
产品的详细介绍，请直接咨询我们。电话：13285746781
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想，党的二十大精神，以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神，围绕重点产业链部署创新链，瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题，为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》（晋政办发〔2021〕42号），现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）重点支持方向予以发布，请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处
2023-08-08
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器，是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学
2021-04-14
孙晶茹
孙晶茹，女，博士，湖南大学信息科学与工程学院通信工程系副教授，硕士研究生导师。2004年硕士毕业于东北大学计算机软件与理论专业，并于当年进入湖南大学信息科学与工程学院工作。2014年博士毕业于湖南大学计算机科学与技术专业。2016年3月—2017年3月，英国赫特福德大学访学。主要从事忆阻器存算一体电路设计、图像加密技术，智慧交通等方向的研究工作。近年来发表SCI检索论文20余篇，主持国家自然科学基金面上项目一项，湖南省自然科学基金项目2项，湖南省科技计划项目1项，参与国家自然科学基金项目及其他省部级项目多项。
孙晶茹
2021-12-31
体外过敏原检验分析仪
主要研究体外过敏源自动检测分析仪等的关键技术与仪器。围绕常见疾病的筛查、老年人与病人护理等的需求，提供无创、无辐射、快速的检测与诊断技术，并研发高性价比的仪器和系统。该系统可以用于无意识老年人、脊髓损伤病人和其他需要进行膀胱容积监测的患者，以及需要通过尿量预测实现对患者尿失禁护理和治疗的医院。本体外过敏原自动检测仪具有敏感度高、特异性强、操作简便、分析时间短（<5s）、自动化程度高、定量分级（5-7级）、成本低等特点，既可以适用于社区和基层医院，也适用于三甲医院和大型实验室。目前已完成工程样机研制,分析时间<5s；定量5-7级。
北京航空航天大学
2021-04-13
锥体外系XM-655C
XM-655C锥体外系
XM-655C锥体外系左侧半表示皮质—纹状体—苍白球系，由苍白球发出纤维组成豆袢和豆核束，它们分别与红核、黑质、底丘脑核、丘脑核发生联系，右侧半以示皮质（额叶、枕叶、颞叶）桥脑—小脑—红核—脊髓系，部分纤维至丘脑核，由此发出纤维至运动皮质，形成环路。
尺寸：放大，42×45×75cm
材质：优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-655C锥体外系
XM-655C锥体外系
XM-655C锥体外系左侧半表示皮质—纹状体—苍白球系，由苍白球发出纤维组成豆袢和豆核束，它们分别与红核、黑质、底丘脑核、丘脑核发生联系，右侧半以示皮质（额叶、枕叶、颞叶）桥脑—小脑—红核—脊髓系，部分纤维至丘脑核，由此发出纤维至运动皮质，形成环路。
尺寸：放大，42×45×75cm
材质：优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而，Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈，而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此，Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学
2021-04-14
采用氢化物气相外延（HVPE） 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展， 对于大功率白光 LED 而言， 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件， 由于同质 GaN 衬底价格昂贵， 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料， 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配， 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学
2021-04-14