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23033单刀双掷开关
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
LW30A-550型六氟化硫罐式断路器
LW30A-550型六氟化硫罐式断路器
山东泰开高压开关有限公司
2021-06-23
物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸，有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡，为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日，相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）为题，在线发表于《科学通报》（Science Bulletin）。
北京大学
2023-08-22
中山大学王雪华、刘进教授团队研究成果入选2021年度中国半导体十大研究进展
研究团队通过将量子点精确地集成在带有角向光栅的微环腔的波幅位置、并结合超低吸收的零场镜面高反结构，同时实现了单光子的发射增强和轨道角动量的高效提取，在国际上率先实现了可携带轨道角动量的高亮度固态单光子源，有望为高维量子信息处理提供小型化、可集成、易扩展的半导体核心光量子器件。
中山大学
2022-05-30
高效率高功率密度开关电源的软开关技术
随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。
技术特征
1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。
2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。
南京航空航天大学
2021-05-11
高效率高功率密度开关电源的软开关技术
随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。技术特征1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。应用范围:项目组将脉冲电源技术的相关研究成果，与中国航天科技集团公司第504研究所、第510研究所、中航工业第614研究所和中国船舶集团公司第704研究所展开密切合作，研发了相应产品，并取得了应用。
南京航空航天大学
2021-04-10
一种并联型的发电机出口断路器
本发明公开了一种并联型的发电机出口断路器，包括载流回路 以及与载流回路并联连接的开断回路；当发生短路故障时，载流回路 快速动作形成燃弧断口，利用断口电弧电压将故障电流转移至开断回 路，并由开断回路直接开断故障电流或快速限流后实现故障电流的开 断。本发明中载流回路包括具有数十微欧导通阻抗的负荷开关单元， 能保证 90％以上系统额定电流通过该单元，减少额定工况下 GCB 装 置上的热损耗；同时，载流回路具有快速动作能力，一般可选取在故 障发生后 2 个工频周波内分断至满开距；载流回路可以保证触头打开 后
华中科技大学
2021-04-14
一种断路器燃弧时间控制装置及方法
本发明公开了一种断路器燃弧时间的控制装置及方法；控制装 置包括充电变压器、电容器组、电抗器、第一中高压快速开关、第二 中高压快速开关、充电电阻、充电开关、整流器以及用于控制第一中 高压快速开关或第二中高压快速开关闭合的控制电路；当两组超快速 开关分别与断路器串联和并联时，关合串联的开关，使单频振荡回路 导通，电压加在断路器上，使一定开距下的断路器产生自击穿燃弧； 当燃弧时间达到需要的时间，关合并联的超快速开关进行电流转移， 使断路器电弧熄灭。由于超快速开关的分散性极小，保证了这两组开关关合时序的准确
华中科技大学
2021-04-14
智能型直流断路器电弧能量抑制系统及其方法
本发明涉及直流配电网技术领域，具体涉及智能型直流断路器电弧能量抑制系统及其方法，包括高频信号注入模块，产生并注入高频载波信号至电弧通路；电弧特征识别模块采集电弧电压电流信号，利用VMD‑HHT算法识别电弧类型并生成特征信息；磁通扰动观测模块检测电流磁通量，计算磁通扰动值及相位差；深度学习控制模块接收电弧特征信息和相位差，通过深度强化学习算法生成IGBT控制时序信号；多端口换流控制模块接收该信号，控制多级IGBT并联子模块的开关频率，基于PWM控制方法高效抑制电弧能量。双启发式算法控制模块结合遗传算法和粒子群算法，自适应分配各端口驱动电流，实现IGBT模块并联均衡。
上海理工大学
2021-01-12
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10