本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法，包括以下步骤：1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块，将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压；2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升，可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上，以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃；其中，j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压，使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程，能减小过冷温度和增益温度，保证半导体脉冲激光器的温度要求。

本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室 温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒 的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气 体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批

将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄 ZnO 纳米片表面，同样可大大提高 ZnO 纳米片的光催化性能，结果如下图所示，这主要归因于石墨烯量子点与 ZnO 纳米片形成 p-n 结，促进光生载流子的分离效率。此外，将 N 掺杂石墨烯量子点与 TiO2 纳米片复合，构筑高效可见光催化剂，可

产品详细介绍 产品名称： 高功率半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 12281271316产品信息： 产品名称： LCM-LL-250型 绿光微功率激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 61910274716产品信息： 产品名称： 375nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118957316产品信息： 产品名称： 蓝光405 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118956016产品信息： 产品名称： 蓝光473 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189545816产品信息： 产品名称： 绿光523 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118954116产品信息： 产品名称： 绿光532 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189525516产品信息： 产品名称： 黄光556nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189511616产品信息： 产品名称： 黄光561nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189501816产品信息： 产品名称： 黄光589nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118949416产品信息： 产品名称： 黄光593nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189474716产品信息： 产品名称： 红光635nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189455616产品信息： 产品名称： 红光639nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189445316产品信息： 产品名称： 红光 671 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189393016产品信息： 产品名称： 690 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189384116产品信息： 产品名称： 457 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118937916产品信息： 产品名称： 445 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189343316产品信息： 产品名称： 375 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189323116产品信息： 产品名称： 拉曼780 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118929816产品信息： 产品名称： 785 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118927716产品 产品名称： 808 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189252716产品信息： 产品名称： 830nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189233916产品信息： 信息： 【激光系列产品】 光纤激光器  多模泵浦激光器  激光二极管未封装bar  激光二极管冷却装置  激光器电源  氦氖激光器  CO2激光器  半导体泵浦激光器  氩离子激光器  氦镉激光器  氮分子激光器  皮秒激光器  激光二极管电源  激光光谱测量  激光能量计/功率计  激光雕刻、打标、切割机  激光二极管模块  深紫外、紫外固体激光器  超快飞秒激光器  热电制冷产品  激光光束定位系统  激光光束分析仪  视频显微镜测量系统  激光准直器  多通道激光功率计  半导体激光器  激光测距仪  红外激光显示卡  调Q激光器  激光护目镜  光学平台  光学调整架  光学微调架  可调嵌入式光学调整架  倾斜位移台  通用调整台  光学延迟线  手动位移台  XY位移台  光学旋转台  角位移调整台  激光器附件  可变光阑  扩束镜  拉曼激光器  大功率光纤耦合激光器  单模垂直腔面发射激光器  紧凑型氩离子激光器  新型氩离子激光器