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采用氢化物气相外延(HVPE) 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展, 对于大功率白光 LED 而言, 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件, 由于同质 GaN 衬底价格昂贵, 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料, 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配, 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高, 一般在 105~108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学 2021-04-14
m-石英衬底用于二维材料的可控生长
分析了m-石英衬底用于二维材料的可控生长,以及其在取向、维度及能带结构等多个方面对单层二硫化钨的调制能力,论文第一作者为程春课题组博士生王经纬。 尽管石英和二硫化钼具有不同的对称性,但是两者奇特的大周期匹配使取向排列的单层二硫化钨外延生长成为可能。通过进一步调节反应条件,课题组实现了对单层二硫化钨形貌从二维到一维的可控调节。同时,由于石英各向异性的热膨胀系数,生长的单层二硫化钨产生了随
南方科技大学 2021-04-14
电力产业
国投电力控股股份有限公司,是国家开发投资集团有限公司旗下的沪市A股上市公司(股票简称“国投电力”,股票代码“600886”)。自2002年成功上市以来,十几年间实现了令人瞩目的跨越式发展,总资产增长46倍,经营利润增长970倍,成为中国效率最高、效益最好的综合能源公司之一。 作为国投集团的电力业务主体,公司积极践行“为出资人、为社会、为员工”的“三为”理念,把握经济发展机遇,坚持稳中求进,力促转型升级,为公司发展补短板,努力做强做优做大国有资本,加快推进公司高质量发展。公司经营范围主要包括投资建设、经营管理以电力生产为主的能源项目;开发及经营新能源项目、高新技术、环保产业;开发和经营电力配套产品及信息、咨询服务。公司业务遍布中国十多个省、自治区、直辖市,以及英国、印尼等多个国家,涉及水电、火电、新能源、固废发电和境外投资五大领域。发电业务作为国投电力的核心业务,占营业总收入95%以上。 为适应新时代发展要求,国投电力充分发挥在电力领域优势的同时,积极开展配售电业务、储能产业、能源互联网等领域工作,大力推进国际水电、火电、新能源、电网等电力工程项目,形成以电力建设为核心,逐步开拓市政、环保等多领域综合发展的业务格局。截至2018年底,公司资产总额2208亿元,已投产控股装机容量3403万千瓦,其中水电装机1672万千瓦,火电装机1575万千瓦,新能源156万千瓦。 从装机结构来看,公司是一家以水电为主、水火并济、风光为补的综合电力上市公司,为国内第三大水电装机规模的上市公司,处于行业领先地位。从业务分布来看,公司是一家国内为主、海外开拓的电力上市公司,项目主要分布在四川、云南、天津、福建、广西、安徽、甘肃等十多个省区,以及投资印尼万丹火电项目和英国海上风电。从盈利能力来看,在市场竞争加剧和面临较大节能环保压力的背景下,公司以水电为主的电源结构优势明显,经济效益和社会效益突出,抗风险能力强。自上市以来,公司已累计现金分红14次,平均分红比率为35.60%,打造了值得信赖的上市公司品牌。 面向未来,公司将始终坚持“为出资人、为社会、为员工”的企业理念,主动适应新形势,关注能源改革与市场变化,创新发展模式,有序建设雅砻江中游水电,优化存量火电,积极发展风险可控、有盈利能力的海外项目,确保公司持续健康稳定发展,争创一流上市公司。
国家开发投资集团有限公司 2021-02-01
安徽大学谢峰老师课题组在宽禁带半导体紫外探测和激光器研制方面取得新进展
近期,信息材料与智能感知安徽省实验室谢峰老师课题组在宽禁带半导体日盲紫外探测器和白光激光器研究方面取得新进展,相关研究成果相继发表在国际知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上,三篇论文均以安徽大学信息材料与智能感知安徽省实验室为第一单位,谢峰老师为论文第一作者。
安徽大学 2022-08-26
二氧化硅中空微球的产业化生产与结构调控关键技术
本团队采用新型结构导向技术来实现亚微米和纳米二氧化硅中空微球的溶胶凝胶法和沉淀法高浓度制备,能够满足大规模工业生产的需要,并能对其纳米壳层结构进行精准调控,为相关功能材料的性能设计提供合成技术基础。现有二氧化硅中空微球制备技术的投资成本高、设备生产率低、控制难度大,无法在工业规模上对其特有的纳米结构进行精准调控,严重限制了中空微球在高端产业中的应用。本团队基于全新的中空结构导向技术,在间歇反应釜中通过溶胶凝胶法和沉淀法实现中空微球的高密度、大批量生产,具有设备生产率高、微球结构规整、壁厚可控、容易复合改性等优点,突破了中空微球规模化生产的技术瓶颈。通过改变导向剂分子结构和生产工艺微调,可在 50-400 纳米范围内对中空微球的壁厚进行精准调控,使其对不同波长的光信号产生各种响应,并能通过控制中空和多孔结构调节比表面积、导热系数、阻尼特征、机械强度等性能,满足不同功能材料领域的要求。该技术还可以实现脂溶性物质或纳米颗粒与二氧化硅的复合,制备出具有功能多样性的复合中空微球, 如将氧化锡锑(ATO)与二氧化硅中空微球复合,可制备兼具紫外光、可见光、近红外反射和隔热功能的复合中空微球保温填料。 
华南理工大学 2023-05-09
基于熔覆-挤压工艺的100MN/300MN/1200MN第三代液压机及产业化项目可行性报告
清华大学 2021-04-13
物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术,成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备,晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸,有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡,为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日,相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”(Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply)为题,在线发表于《科学通报》(Science Bulletin)。
北京大学 2023-08-22
中山大学王雪华、刘进教授团队研究成果入选2021年度中国半导体十大研究进展
研究团队通过将量子点精确地集成在带有角向光栅的微环腔的波幅位置、并结合超低吸收的零场镜面高反结构,同时实现了单光子的发射增强和轨道角动量的高效提取,在国际上率先实现了可携带轨道角动量的高亮度固态单光子源,有望为高维量子信息处理提供小型化、可集成、易扩展的半导体核心光量子器件。
中山大学 2022-05-30
成分振荡金属氮化物涂层的制备方法
本发明属于表面工程技术的应用,具体是成分振荡金属氮化物涂层的制备方法,在等离子体偏压反溅清洗过的表面平整的基片上,以反应溅射工艺模式在基片表面沉积成分振荡金属氮化物涂层,沉积过程中,通过改变N2气与Ar气的分流量或分气压来控制溅射气体中N2气与Ar气的含量比,且N2气与Ar气的含量比变化曲线随涂层沉积时间呈现出周期性变化规律。本发明制得的涂层中N元素的含量比沿涂层生长方向的分布具有振荡特征;涂层是由多个亚层组成的多层结构,而每一亚层中N元素含量比的变化呈现梯度分布特征,该涂层具有梯度化与多层化的双重复合结构特征。
四川大学 2016-09-29
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法,该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300~600℃的温度区间内 热解,使光纤表面形成均匀厚度的碳膜;再将光纤在氮气条件下以 1100~1600℃的温度区间高温加热,使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅,然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物,再均匀涂在洗净的铜箔表面,可得到 氮化
华中科技大学 2021-04-14
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