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安徽大学谢峰老师课题组在宽禁带半导体紫外探测和激光器研制方面取得新进展
近期，信息材料与智能感知安徽省实验室谢峰老师课题组在宽禁带半导体日盲紫外探测器和白光激光器研究方面取得新进展，相关研究成果相继发表在国际知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇论文均以安徽大学信息材料与智能感知安徽省实验室为第一单位，谢峰老师为论文第一作者。
安徽大学
2022-08-26
基于熔覆-挤压工艺的100MN/300MN/1200MN第三代液压机及产业化项目可行性报告
清华大学
2021-04-13
成分振荡金属氮化物涂层的制备方法
本发明属于表面工程技术的应用，具体是成分振荡金属氮化物涂层的制备方法，在等离子体偏压反溅清洗过的表面平整的基片上，以反应溅射工艺模式在基片表面沉积成分振荡金属氮化物涂层，沉积过程中，通过改变N2气与Ar气的分流量或分气压来控制溅射气体中N2气与Ar气的含量比，且N2气与Ar气的含量比变化曲线随涂层沉积时间呈现出周期性变化规律。本发明制得的涂层中N元素的含量比沿涂层生长方向的分布具有振荡特征；涂层是由多个亚层组成的多层结构，而每一亚层中N元素含量比的变化呈现梯度分布特征，该涂层具有梯度化与多层化的双重复合结构特征。
四川大学
2016-09-29
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法，该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300～600℃的温度区间内 热解，使光纤表面形成均匀厚度的碳膜；再将光纤在氮气条件下以 1100～1600℃的温度区间高温加热，使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅，然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合，使氮化硅微米管增强导电性，然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物，再均匀涂在洗净的铜箔表面，可得到 氮化
华中科技大学
2021-04-14
物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术，成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备，晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸，有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡，为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日，相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）为题，在线发表于《科学通报》（Science Bulletin）。
北京大学
2023-08-22
中山大学王雪华、刘进教授团队研究成果入选2021年度中国半导体十大研究进展
研究团队通过将量子点精确地集成在带有角向光栅的微环腔的波幅位置、并结合超低吸收的零场镜面高反结构，同时实现了单光子的发射增强和轨道角动量的高效提取，在国际上率先实现了可携带轨道角动量的高亮度固态单光子源，有望为高维量子信息处理提供小型化、可集成、易扩展的半导体核心光量子器件。
中山大学
2022-05-30
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），设计了结终端扩展结构（Junction Termination Extension, JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。
中国科学技术大学
2022-06-02
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
现代产业学院
将科大讯飞人工智能新技术、项目式教学、企业文化素养、工程师队伍导入人才培养过程的产业学院模式。并以 “以企业为主体、以市场为导向”的产学研合作体系，设立了专门的事业部，专门负责与应用型本科和高职院校开展共建人工智能产业学院、专业的共建业务。
科大讯飞股份有限公司
2023-04-25
XR产业服务
通过XR行业组织、科研创新机构、服务平台等产业服务手段，延伸和丰富XR产业链。以科研创新、扩大影响力、聚拢资源、完善产业链为主，助力地方政府XR产业及数字经济发展。
※案例：
行业组织运营管理——黑龙江省虚拟现实产业技术创新战略联盟、黑龙江省虚拟现实科技学会、哈尔滨市虚拟现实行业协会、XR行业黑龙江同乡会、东北亚元宇宙产业联盟（筹备）
产业生态运营管理——哈尔滨数字经济产业园（筹备）、东北亚VR数字产业园（筹备）
科研创新支撑——虚拟现实数字技术研究院、黑龙江虚拟现实工程技术研究中心
爱威尔星空（北京）技术有限公司
2021-12-08