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美的微晶凌晶板教室灯
【产品信息】 显色:≥ 80 功率:40W 色温: 4000K / 5700K 产品尺寸: 598*598 mm 【产品优势】 微晶防眩 高显指 直角边框,可嵌入,可吊装 专业护眼,绿色环保,节能省电
美智光电科技股份有限公司 2021-08-23
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M ,714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。 非酶葡萄糖传感器:检测范围为0. 002mM~4. 096mM,检测极限为0. 53uM(信 噪比为3),响应时间为3s,另外还具有较优异的选择性与再现性,因此该复合 材料是高性能非酶葡萄糖传感器的潜在候选者。
重庆大学 2021-04-11
高纯气相法纳米氧化铝
产品特点   高纯气相法纳米氧化铝ZH-Alum通过等离子体气相燃烧法制备,反应迅速、产量大、纯度高、原晶粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于形成单分散,粉体表面带电荷,气相法制备可以替代进口产品。   产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 磁性异物 颜色 气相法氧化铝 ZH-Alum80 20 >99.9 80+-15 0.03 混合相 <200ppb 白色 气相法氧化铝 ZH-Alum100 15 >99.9 100+-15 0.04 混合相 <200ppb 白色 气相法氧化铝 ZH-Alum150 10 >99.9 150+-20 0.05 γ相 <200ppb 白色 气相法氧化铝 ZH-Alum220 5 >99.9 220+-20 0.05 γ相 <200ppb 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理   产品应用   1、高纯气相法纳米氧化铝应用于锂电池隔膜材料,提高耐高温性和安全性;也用于锂电池阳极,提高导电性和可逆放电电容;用于负极包覆,提高耐温和安全性;用作锂电池电极涂层,可以起到隔热,绝缘的作用,提高安全性能;   2、高纯气相法纳米氧化铝掺杂铝到钴酸锂中,可形成固溶体,稳定晶格,提高倍率性能和循环性能;   3、用高纯纳米氧化铝对钴酸锂进行包覆,可以提高热稳定性,提高循环性能和耐过充能力,氧的生成和LiPF6的分解,可避免LiCo02与电解液直接接触,减少电化学比容量损失,从而提高LiCoO2的电化学比容量;   4、纳米氧化铝中铝离子的掺杂,可以提高电池的电压,提高电池使用的安全性;   5、高纯气相法纳米氧化铝应用于改性进尖晶石锰酸锂材料,生产出的电池可逆容量大;   6、石油化工:催化剂、催化剂载体及汽车尾气净化材料;   7、抛光材料:亚微米/纳米级研磨材料、单晶硅片的研磨、精密抛光材料。   包装储存   本品为塑料袋内包装,外面为纸箱包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。   招商代理   气相法纳米氧化铝ZH-Alum100替代国外进口产品、面向全国各大代理商和经销商招商,欢迎大家来厂考察交流。   技术咨询与索样   联系人:王经理(Mr.Wang)   电 话:18133608898 微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-11-28
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想,党的二十大精神,以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神,围绕重点产业链部署创新链,瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题,为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》(晋政办发〔2021〕42号),现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)重点支持方向予以发布,请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处 2023-08-08
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器,是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学 2021-04-14
种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法及其产物
本发明涉及一种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法,包含以下步骤:1)将乙酰丙酮钌、含铂化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中;所述的含铂化合物为氯铂酸或氯铂酸钠;2)将步骤1)中得到的混合溶液在180~250℃下,搅拌反应30~600min;3)将步骤2)中得到的产物经分离,得到沉淀物,即为立方体铂钌核壳纳米晶。本发明还涉及上述方法制备得到的立方体铂钌核壳纳米晶。该制备方法通过一步法获得形貌尺寸均一的立方体铂钌核壳纳米晶,所得的产物尺寸适中、分散性好,且制备方法简单。
浙江大学 2021-04-13
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域,特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示,形貌上纳米线根部直径300nm~600nm,高度2~4um,对于一根纳米线,随高度增加,直径逐渐减小,成圆锥形,圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径,高度以及锥角发生变化。成分上Si和O,不含催化剂。所述方法的工艺步骤为:(1)生长基底及载物盘的清洗;(2)半封闭势井形气流装置的组合(3)锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°,炉内压强保持在0.04~0.06Mpa,然后在上述温度和压强保温2~5h,保温时间届满后,所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线;所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体,H2的体积百分数为3~7%,Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学 2016-10-21
过度氧化诱发的非晶合金纳米管超弹性研究获进展
为剖析非晶合金纳米管超弹性的结构起源,该团队综合利用三维原子探针技术(3D-APT)、电子能量损失谱(EELS)、X射线光电子能谱(XPS)、导电原子力显微分析技术,解析了Zr基非晶合金纳米管及纳米片中氧的形态和分布。
中国科学院物理研究所 2024-01-08
高纯纳米二氧化锆
产品特点   高纯纳米二氧化锆通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散,纳米氧化锆,硬度较大、常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性,具有抗热震性强、耐高温、化学稳定性好、材料复合性突出等特点。   产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 纳米二氧化锆 ZH-ZrO215N 15 99.99 65.16 0.11 单斜 白色 纳米二氧化锆 ZH-ZrO230N 30 99.99 45.68 0.35 单斜 白色 纳米二氧化锆 ZH-ZrO23Y 50 99.99 43.26 0.38 3Y 白色 纳米二氧化锆 ZH-ZrO25Y 50 99.99 43.14 0.42 5Y 白色 纳米二氧化锆 ZH-ZrO28Y 50 99.99 43.54 0.40 8Y 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理   产品应用   1、高纯纳米二氧化粉体烧结成的陶瓷由于其相变增韧的良好性能;在纳米复合材料研究中,将纳米二氧化锆作为弥散相对基体进行增强韧化;稳定纳米氧化锆作为一种理想的电解质已被应用于固体氧化物燃料电池中;   2、高纯纳米氧化锆具备特殊的光学特性,对紫外长波、中波及红外线反射率高达85%以上。涂层干燥后,纳米粒子紧密填充涂层之间的空隙,形成完整的空气隔热层,并且其自身低导热系数能迫使热量在涂层中的传递时间变长,使得涂层也具有较低的导热系数,从而可以提高涂层的隔热性能;   3、高纯纳米氧化锆还可以耐火材料:电子陶瓷烧支承垫板,熔化玻璃、冶金金属用耐火材料;在高技术领域的应用日益扩大;   4、高纯纳米氧化锆应用于各种油性涂料,油漆。提高耐磨性,用于功能涂层材料中有防腐、**作用,提高耐磨、耐火效果;   5、纳米氧化锆可以用在**度、高韧性耐磨制品:磨机内衬、拉丝模、热挤压模、喷嘴、阀门、滚珠、泵零件、多种滑动部件等。   包装储存   本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。   技术咨询与索样   联系人:王经理(Mr.Wang)   电话:18133608898  微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-11-28
孙晶茹
孙晶茹,女,博士,湖南大学信息科学与工程学院通信工程系副教授,硕士研究生导师。2004年硕士毕业于东北大学计算机软件与理论专业,并于当年进入湖南大学信息科学与工程学院工作。2014年博士毕业于湖南大学计算机科学与技术专业。2016年3月—2017年3月,英国赫特福德大学访学。主要从事忆阻器存算一体电路设计、图像加密技术,智慧交通等方向的研究工作。近年来发表SCI检索论文20余篇,主持国家自然科学基金面上项目一项,湖南省自然科学基金项目2项,湖南省科技计划项目1项,参与国家自然科学基金项目及其他省部级项目多项。
孙晶茹 2021-12-31
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