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23041球形导体
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
美的微晶凌晶板教室灯
【产品信息】
显色：≥ 80
功率：40W
色温： 4000K / 5700K
产品尺寸： 1198*298*30mm
【产品优势】
微晶防眩
高显指
直角边框，可嵌入，可吊装
专业护眼，绿色环保，节能省电
美智光电科技股份有限公司
2021-08-23
美的微晶凌晶板教室灯
【产品信息】
显色：≥ 80
功率：40W
色温： 4000K / 5700K
产品尺寸： 598*598 mm
【产品优势】
微晶防眩
高显指
直角边框，可嵌入，可吊装
专业护眼，绿色环保，节能省电
美智光电科技股份有限公司
2021-08-23
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想，党的二十大精神，以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神，围绕重点产业链部署创新链，瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题，为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》（晋政办发〔2021〕42号），现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）重点支持方向予以发布，请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处
2023-08-08
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器，是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学
2021-04-14
种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法及其产物
本发明涉及一种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法，包含以下步骤：1)将乙酰丙酮钌、含铂化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N，N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中；所述的含铂化合物为氯铂酸或氯铂酸钠；2)将步骤1)中得到的混合溶液在180～250℃下，搅拌反应30～600min；3)将步骤2)中得到的产物经分离，得到沉淀物，即为立方体铂钌核壳纳米晶。本发明还涉及上述方法制备得到的立方体铂钌核壳纳米晶。该制备方法通过一步法获得形貌尺寸均一的立方体铂钌核壳纳米晶，所得的产物尺寸适中、分散性好，且制备方法简单。
浙江大学
2021-04-13
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示，形貌上纳米线根部直径300nm~600nm，高度2~4um，对于一根纳米线，随高度增加，直径逐渐减小，成圆锥形，圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径，高度以及锥角发生变化。成分上Si和O，不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）半封闭势井形气流装置的组合（3）锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°，炉内压强保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述温度和压强保温2~5h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线；所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体，H2的体积百分数为3~7%，Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学
2016-10-21
过度氧化诱发的非晶合金纳米管超弹性研究获进展
为剖析非晶合金纳米管超弹性的结构起源，该团队综合利用三维原子探针技术（3D-APT）、电子能量损失谱（EELS）、X射线光电子能谱（XPS）、导电原子力显微分析技术，解析了Zr基非晶合金纳米管及纳米片中氧的形态和分布。
中国科学院物理研究所
2024-01-08
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
孙晶茹
孙晶茹，女，博士，湖南大学信息科学与工程学院通信工程系副教授，硕士研究生导师。2004年硕士毕业于东北大学计算机软件与理论专业，并于当年进入湖南大学信息科学与工程学院工作。2014年博士毕业于湖南大学计算机科学与技术专业。2016年3月—2017年3月，英国赫特福德大学访学。主要从事忆阻器存算一体电路设计、图像加密技术，智慧交通等方向的研究工作。近年来发表SCI检索论文20余篇，主持国家自然科学基金面上项目一项，湖南省自然科学基金项目2项，湖南省科技计划项目1项，参与国家自然科学基金项目及其他省部级项目多项。
孙晶茹
2021-12-31