产品详细介绍1.概述扬州晶明科技有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/3-JM5930.htm)生产的JM5930动态信号测试分析系统采用USB2.0接口，集信号调理、数据采集、信号分析与输出于一体的高性能、多功能系统。配接相应的传感器，可测量力、压力、加速度、速度、位移、应变、温度等各种工程量，构成振动冲击信号测试分析系统、动态应变测试分析系统，可直接替代进口设备，广泛应用于航空、航天、军工、高校、研究所、计量院、工矿企业等单位，作为检测计量系统。    扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  2.系统特点2.1 高精度2.2 系统采用模块化设计，具有较高的可靠性及可维护性2.3 采用多种创新性设计，具有较高的性能2.4 系统具有较强的兼容性和工程适应性2.5 全电子化、程控化设计2.6 系统具有较强的可扩充性3.系统组成3.1 采集器主机3.2 调理单元3.3 系统软件4.主要性能指标4.1 通道数：16/84.2 AD位数：24 bits4.3 采样方式：并行同步采样4.4 采样速率：最高96KHz/CH，多档可设置4.5 精度：优于0.3%4.6 数据接口：USB2.04.7 采样触发方式：手动触发、定时触发、内触发（信号触发）、外触发4.8 采样长度：取决于设置或硬盘容量4.9 自动识别所配调理单元，并完成相关调理控制功能4.10 采用过采样技术，大大降低了对前置滤波器的要求，提升了系统的可靠性及精度4.11 在45%采样率以下平坦度优于0.02dB，55%以上衰减率大于120dB4.12 配套功能完善的采集控制软件 5、 JM3822应变调理模块性能参数本公司的应变模块可以配接绝大多数的信号输入,如上图所示5.1 通道数：25.2 信号输入类型：DC_STRAIN、AC_STRAIN、IEPE、DCV、ACV可选5.3 增益：应变（DC_STRAIN、AC_STRAIN）（V/V）： 100、300、1000、3000、10000、30000可设置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可设置5.4 应变测量范围： 0～±50000με5.5 应变适用桥路电阻： 50～10000Ω5.6 应变供桥电压：2V、3V、5V、10V可设置精度：0.2%电流：30mA max电平：输出对地对称5.7 自动平衡范围：应变：约8000μεIEPE、DCV、ACV：约±1Vp5.8 自动平衡时间：<1秒5.9 应变测量共模抑制比:≥80dB(DC～50HZ)5.10 精度应变：±0.5%±2μεIEPE、DCV、ACV：<±0.3%±2mV5.11 线性度：0.05%FS5.12 应变测量噪声：<1μεRMS RTI（输入短路、最大增益时）5.13 应变测量稳定度：温漂：零点：±2μVVTI/ /℃ 灵敏度：±0.02%FS/℃ 时漂：零点：±0.1%FS/ 2h（输入短路）灵敏度：±0.1%FS/ 2h 5.14 最大带宽（保证最大带宽点衰减率不大于-4dB）：DC_STRAIN、DCV：DC～100kHzAC_STRAIN、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz5.15 滤波器截止频率（-3±1dB，100kHz点-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰减率：约-12dB/oct5.16 输出：±5Vp/5mA5.17 过载指示：±4.7V±0.2V6、 JM5862电荷调理模块性能参数6.1 通道数：26.2 信号输入类型：Q、IEPE、DCV、ACV可选6.3 增益电荷（mV/pC）：0.1、0.3、1、3、10、30、100、300、1000、3000可设置IEPE、DCV、ACV增益（V/V）：1、3、10、30、100、300可设置6.4 IEPE工作电压：24V工作电流：约4mA6.5 积分、一次积分、二次积分可设置 6.6 精度：不积分：0.5%积分：3%6.7 最大带宽（保证最大带宽点衰减率不大于-4dB）：DCV：DC～100kHzQ、IEPE、ACV：0.3Hz～100kHz6.8 滤波器截止频率（-3±1dB，100kHz点-1dB ～ -4dB）： 30、100、300、1k、3k、10k、30k、100k Hz衰减率：约-12dB/oct6.9 电荷输入噪声（输入端旋接金属保护帽）：<3μV(最大增益折合至输入)6.10 输出电压：±5Vp/5mA6.11 过载指示：±4.7V±0.2V7、 JM5902转速模块性能参数7.1 配接电涡流传感器7.2 通道数:27.4 频率范围：DC～5KHz（±0.5dB）7.5 初始位置调零7.6 精度误差：＜1%7.7 输出：±5Vp8、数据采集分析软件8.1、信号调理、数据采集与信号分析功能一体化，方便使用。8.2、结构化的项目管理功能，直观明了。8.3、数据预处理：数据编辑和截取、选抽、去零点、数据平滑、趋势消除、微分积分、数字滤波等。8.4、时域分析：单踪时域分析（包括时域的特征统计）、利萨如图分析、自相关分析和互相关分析。8.5、频域分析：付里叶分析、功率谱分析、功率谱密度分析、频响函数分析、互谱分析、相干分析、脉冲响应函8数、冲击响应谱、倒频谱分析、最大熵分析等。8.6、提供了与office软件的接口功能：将数据文件转换成文本文件（.txt文件），Excel表格文件（.xls文件），及与功能强大的分析处理软件Matlab的数据格式转换功能。8.7、叶片疲劳分析软件。9、模态分析软件9.1、模态试验测量的数据可以直接用来进行模态分析，也可以将其它类型的数据（转为标准的UFF格式）导入项目进行模态分析。9.2、包括试验模态分析（EMA)和运行状态模态分析(OMA)。9.3、模态测试与分析软件特点：（1）方便的建模功能：有常见的线、面、圆、长方体、圆柱、球形模型等自动创建功能，并可由它们组合成需要的模型，并支持模型的编辑与修改。（2）多批次测量的数据可以对单批或其中几批数据进行分析以确认试验的有效性。（3）支持各种频谱分析功能，如频响的幅频、相频，实频、虚频，奈奎斯特图、脉冲响应函数，信号的自谱、互谱分析等功能。（4）模态识别：不仅能用于输入输出可测情况的传统试验模态分析(EMA)，而且还具有环境激励、仅有响应测量的运行模态分析(OMA)功能。（5）时域ODS和频域ODS：时域ODS用于观察机械结构在各时间点上的振动状态；频域ODS用于观测机械结构在各频率点上的运行状态振型，还可用于区分同一频率点在不同模态空间上的强迫振动振型。（6）模态参数列表和振型动画显示。（7）可方便地生成报告：识别所得模态参数输出方便，各种曲线存储为BMP或JPG文件，振型动画也可直接输出成AVI文件，方便生成多媒体试验报告。扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-878504160514-8785041687867922,82960507传真     0514-82960507 0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

本发明属于电子元器件的封装设备技术领域，并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置，包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等，其中热压机构被设计为双路结构，并 用于实现料带的封合，保证压力的一致性，进而完成料带的良好热封； 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动；调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距，进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明，能实现单侧压头的温度均匀分布，两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封，同时具备 结构紧凑，便

本发明公开了一种基于平板显示ＴＦＴ基板的大面积红外探测器件及其驱动方法，采用薄膜晶体管基板，并采用化学溶液法制备ＰｂＳ或者Ｇｅ半导体量子点，作为光电转换材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低温旋涂、喷墨打印或者转印等方法，沉积可传感红外信号的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子点层；在量子点光电转换层上利用溅射方法制备对红外吸收较少的公共导电层；薄膜晶体管背板的像素源电极、量子点光电转换层，以及透明电极构成红外光敏电阻结构，该光敏电阻吸收红外信号后，产生光生载流子，从而改变电阻的阻值。本发明提出的红外探测器件成像面积大，

本成果通过有机光电器件中有机薄膜的缺陷态来揭示： 1. 有机半导体薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能级排布或者出现的界面能级钉扎的机理； 3. 缺陷态的存在对器件中载流子传输的影响； 4. 使用有效的有机、无机材料掺杂来极大的提高有机半导体薄膜的电导率。从而获得以有效、简单的使用方法来提高有机光电器件的性能。

忆阻器具有运行功耗低、读写速度快、集成密度高等优势，在信息存储、逻辑运算、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的一种变革性技术。

本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该 器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵 列；所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元，所述金属单元 包括第一金属微结构和第二金属微结构，所述第一金属微结构包括第 一金属图形，所述第二金属微结构包括第二金属图形，所述第一金属 微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解 决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作