|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
DWB系列半导体（高）低温箱
产品详细介绍—60℃～＋60℃ 精度±0.5℃～±0.01℃
天津市中科电子致冷有限公司
2021-08-23
LJB系列半导体冷阱（槽）
产品详细介绍 LJB系列半导体冷阱，应用半导体致冷器件为固体冷源，以智能化数量控温仪表为控制核心，采用大功率半导体器件为控制元件，因此，具有体积小、无噪声、操作简便、控温精度高等优点，广泛应用于军工、电子、石油化工、生物制药、大专院校及科研院所等领域，是理想的实验室和产品检测仪器。
主要技术指标 1．冷室尺寸：Φ80～Φ300mm（直径） 100～300mm（深度） 2．温度范围：＋60℃～—65℃ 3．控温精度：±0.5℃～±0.01℃ 根据用户的具体要求，增加计祘机通讯接口和升降温速率控制的功能，根据用户的特殊要求，承接异型产品的研制开发项目。
天津市中科电子致冷有限公司
2021-08-23
一种液电脉冲激波发生器的参数获取方法
本发明公开了一种液电脉冲激波发生器的参数获取方法，包括： 根据液电脉冲激波器的运行工况条件获得限制参数，根据限制参数、 不均匀电场条件、金属外筒与高压电极的间隙绝缘条件、绝缘构件沿 面绝缘条件确定结构参数取值范围集，在结构参数取值范围集内选取 液电脉冲激波发生器的结构参数，判断液电脉冲激波发生器的结构参 数是否同时满足电气绝缘条件、稳定击穿条件与尺寸限制条件，若是， 则认为激波发生器的结构尺寸适合于该运行工况条件，否则将不满足 条件的结构参数重新在该结构参数取值范围内选取，直至结构参数满 足限制条件
华中科技大学
2021-04-14
双波长可调谐掺铥光纤激光器
本发明公开了一种双波长可调谐掺铥光纤激光器，属激光器技术领域。由泵浦源、掺铥光纤、泵浦光聚焦透镜、分色镜、激光准直透镜、两个反射式体布拉格光栅（以下简称为ＶＢＧ）和宽带介质膜高反镜组成。本发明利用两个ＶＢＧ作为谐振腔端面反射元件，使两个ＶＢＧ所对应的反射波长同时起振，利用体布拉格光栅反射波长随角度可调谐的特性，振荡的两个波长可分别独立在几十纳米的范围内进行调谐，其调谐范围的大小与ＶＢＧ设计参数有关。本发明有益效果是：适用于高功率运行，且可进一步升级为多波长同时输出的激光器系统。
江苏师范大学
2021-04-11
全固态调Q倍频无衍射激光器
本发明公开一种全固态调Q倍频无衍射激光器,包括光学平台,连续式输出808nm波长光束的半导体激光器,聚焦透镜,平面镜一,能够吸收808nm波长泵浦光并输出1064nm波长光束的工作物质,适用于1064nm波段的调Q晶体,适用于1064nm波长倍频的倍频晶体,平面镜二和轴棱锥,上述半导体激光器,聚焦透镜,平面镜一,工作物质,调Q晶体,倍频晶体,平面镜二和轴棱锥依次支撑定位于光学平台上.采用上述方案后,本发明的全固态调Q倍频无衍射激光器,可以在获得达到较高的输出功率,拥有良好的无衍射光束质量的脉冲式Bessel光束的同时简化实验仪器,降低实验成本.
华侨大学
2021-04-29
单芯片高光束质量光子晶体激光器
可以量产/n波长范围905-1064nm、水平、垂直发散角<10度；直流输出功率>5W;窄脉冲输出功率>20W;光子晶体激光器模块窄脉冲输出功率>130W；并与传统半导体激光器工艺相兼容。此外还开展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶体激光器研究。“先进半导体光子晶体激光器技术研究”获得2013年度北京市科学技术奖二等奖，光子晶体高功率高亮度激光器被评为“2014中国光学重要成果”。市场预期：半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核
中国科学院大学
2021-01-12
GY-3型 He－Ne激光器
产品详细介绍物理实验用激光电源
波长632.8nm
发射功率大于1.5mW
一种单一波长的光源
可用于几何光学实验
干涉、衍射等光学实验
包括激光器和配套电源箱
天津市兆仟科技发展有限公司
2021-08-23
高性能全光纤微型传感器/激光器
直径为几个微米到几十纳米的微纳光纤具有大的消逝场，高的非线性，低的损耗，易于操作，成本低廉等一系列特点。利用微纳光纤可以制备成具有多种功能的尺寸在1mm以内的微小器件，并且具有与普通光纤一样的输入输出端，插入损耗极低。本项目有两种代表性的器件：1.微型流/气体传感器，体积小，所需被检测物的量也极小，十分适合用于检测有毒有害气体液体，另外该种传感器也可以用于检测振动等；2.全光纤的微型分布反馈式激光器，器件成本极其低，效率高，体积小于100umX1mm
南京大学
2021-04-14
高性能n-型有机半导体
在梯形双噻吩酰亚胺小分子的基础上，设计并成功合成了一系列具有半梯形结构的全受体类型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了这些材料的构性关系。实验表明，均聚物的聚合方法选择至关重要，通过Stille和Yamamoto偶联方法对比发现，Stille聚合能够得到高分子量、低缺陷态、高性能的高分子半导体；采用全受体结构能够有效拉低前沿轨道能级，基于这些均聚物材料的有机薄膜晶体管都表现出良好的单极性n-型性能，晶体管器件的关电流仅为10 −9 -10 −10 A，电流开关比高达10 6 ；晶体管迁移率性能与构建单元长度反向关联，PBTI1的最高电子迁移率为3.71 cm 2 V -1 s -1 ，该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，比PBTI5的电子迁移率高出两个数量级。 通过深入表征发现，这一系列全受体类型均聚物表现出来的晶体管迁移率趋势与其半导体薄膜结构有序度直接相关。拉曼光谱表明，梯形构建单元共轭长度的增加带来较大的单体间扭转角，影响聚合物骨架的平面性。同步辐射X射线衍射表明，梯形构建单元的增长使得聚合物薄膜中π-π堆积方向的结晶性降低，不利于电子的分子间传输。这些结果表示，较长的单体结构会对聚合物薄膜形貌和载流子传输造成负面影响，因此发展更长的梯形构建单元对全受体类型均聚物迁移率的提升不会带来帮助。该研究表明全受体结构是实现高性能单极性n-型聚合物材料的有效途径，同时为n-型梯形小分子和聚合物的结构设计和发展提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26