高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
在二维极限下的高温超导体中对零能束缚态的研究
通过超高真空分子束外延技术,在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层(厚度小于1纳米)高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜,其超导转变温度大约在60 K左右,并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低,Fe原子以孤立吸附原子形式存在,且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空(~10-10 mbar)扫描隧道谱实验发现,对特定的吸附原子/单层FeSe(FeTe0.5Se0.5)耦合强度[数量占比约13% (15%)],Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰(图1)。该电导峰紧密分布在吸附原子附近,衰减长度~3 A,且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明,零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失,可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释(图2A和图2B)。进一步的控制实验和分析显示,零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程,这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合(图2C-图2G)。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子,结果基本相同。相比于单层FeSe,统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出,无外加磁场时,强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称,可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中,马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此,实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系,同时无需外加磁场,观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。
北京大学 2021-04-11
新型高效自养脱氮技术—低成本解决污水处理脱氮问题
一种新型的高效生物脱氮技术,特别针对我国特殊污水处理国情开发研制。 该技术具有无需有机碳源、脱氮负荷高(1.1-1.5 kg NO3--N/(m3 .d)、处理成本低、占地面积小等优点,适用于我国大范围的低碳氮比污水脱氮。 
江南大学 2021-04-13
中山大学王雪华、刘进教授团队研究成果入选2021年度中国半导体十大研究进展
研究团队通过将量子点精确地集成在带有角向光栅的微环腔的波幅位置、并结合超低吸收的零场镜面高反结构,同时实现了单光子的发射增强和轨道角动量的高效提取,在国际上率先实现了可携带轨道角动量的高亮度固态单光子源,有望为高维量子信息处理提供小型化、可集成、易扩展的半导体核心光量子器件。
中山大学 2022-05-30
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理,在绝缘层硅(SOI,silicon-on-insulator)上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸,其光子模式(因工作于光锥以下)能够较好地局域在平板内,抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道,测量出高透平顶透射光谱带,证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源,无需低温和强磁等极端环境,实现了拓扑界面态的选择性激发,实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为,验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理,是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作,多次引起国际同行关注,论文入选ESI高被引。该工作中,他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论,攻克了数十纳米加工工艺等关键技术,率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系,突破了单一自由度调控的传统框架,提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制,为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域,提供了新方法和新思路。
中山大学 2021-04-13
低硼硅玻璃安瓿
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
铅碳电池技术
比传统铅酸蓄电池具有更高的比功率、更长的使用寿命,比电容器具有更高的比能量。在特定的放电深度范围内,充放电功率可提高50%,循环寿命比普通铅酸蓄电池延长3倍以上。同时比电容器与电池的外并方式简化了外电路,大大降低了生产费用。由于铅碳电池负极中加入过高的碳材料,导致充电时负极过早析出氢气;同时,碳材料超级电容的放电区间与铅负极的放电区间并不一致,这是制约铅碳电池发展的关键问题,也是铅碳电池发展的瓶颈问题,只有解决好这个问题,铅碳电池才能更加快速地发展。本项目的研究对于发展新能源汽车产业,以及电能源储存领域具有重要意义。同时,铅碳电池的生产可以减少铅的使用量、增加铅酸蓄电池的使用寿命,对于解决我国传统铅酸蓄电池企业环境问题具有积极意义。项目组制作的样品电池通过多种方式的性能检测。其中以日本启停电池标准(SBA S0101)进行测试的12V9Ah铅碳电池的循环寿命超过30万次,比普通铅酸蓄电池高出5倍以上。按照欧洲EUCAR标准测试,循环寿命可达7万次,达到第4批普通电池寿命的4.3倍。
厦门大学 2021-04-11
真空碳管炉
产品详细介绍 真空碳管炉  ◎产 品 说 明  设备特点:  真空碳管炉主要供大专院校、科研单位在真空或保护气氛条件下对无机材料(如功能陶瓷、透明陶瓷、碳化硅、氧化锆、氧化锌、二氧化铝等)及金属材料(如硬质合金)等进行烧结处理。  技术参数:  1、型号:ZT-25-20  2、 额定功率:25KW3、最高工作温度:2000℃  4、工作区尺寸:直径90x120  5、极限真空度:6.67x10-3Pa6、温度控制:热电偶+红外自动控制  结构说明:  本产品是由炉体、炉盖、炉底、真空系统及电气控制系统等组成,占地小,易于搬运。  1、炉盖、炉体及炉底均采用双层水冷结构,保持炉壳温度不超过60℃.打开炉盖装料,炉体内有用碳毡或金属隔热屏做成的保温层,发热元件采用石墨筒。炉体侧部设计有观察窗及热电偶,以便进行温度分段自动控制,及1700℃以下采用钨铼热电偶,1000℃-2000℃采用红外传感器。  2、真空系统采用二级泵,及K-159油扩散泵与2XZ-8D直联泵,真空机组上设有放气阀及充气阀。  3、电气控制采用大电流变压器、调压器及温度控制仪表组成温度控制执行回路。电路设有断水、过流、超温报警及保护功能。 
上海晨鑫电炉有限公司 2021-08-23
绿色增材制造关键技术
3D打印加建筑,利用层层堆积的基本原理,采用工业机器人逐层重复铺设材料层构建自由形式的建筑结构的新兴技术。建筑3D打印机的构成和传统打印机基本一样,主要包括控制组件、机械组件、打印头、耗材和介质等。建筑3D打印机根据电脑上设计的完整的三维模型数据,通过一个运行程序将材料分层打印输出并逐层叠加,最终将计算机上的三维模型变为建筑实物。目前项目已经在江北新区有实体展示,处于可以产业化阶段。
东南大学 2021-04-13
节能节材深井离心泵
项目简介 深井离心泵是一种量大面广的水泵品种,本项目采用深井离心泵极大扬程设计法大 大提高了井泵的单级扬程,其产品的轴向长度大大缩短,性价比大幅提高,比原有 QJ 型 产品生产成本降低 1/3 同时提高水泵效率,综合技术指标居国内领先和国际先进水平。 本项目还特别适用于工程塑料井泵的工程塑料导叶的设计和制造,其性能可以与空 间导叶比美,但制造工艺性大大优于空间导叶。
江苏大学 2021-04-14
一种片材下料装置
本发明公开了一种片材下料装置,包括支撑底板组件,支撑底板组件的导轨上设有移动底板组件,移动底板组件的底部连接横向驱动组件,移动底板组件的上部设有料盒组件,料盒组件的上方设有下料组件,下料组件固装于纵向支撑组件,纵向支撑组件上还设有纵向驱动组件;横向驱动组件驱使移动底板组件带动料盒组件横向移动以补偿因薄膜变形和输送进给误差所导致的横向下料位置偏差,下料组件向下冲压薄膜使其落入纵向支撑组件的下料托板上,纵向驱动组件带动下料托板下移从而使得薄膜平稳进入料盒组件。本发明能够自适应纵向调整下料位置,并补偿因薄膜变形和输送进给误差所导致的横向下料位置偏差,具有结构紧凑,操作简单方便,可靠性高的特点。
华中科技大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 21 22 23
  • ...
  • 239 240 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1