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河北因朵科技有限公司 2022-01-05
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青果软件集团有限公司 2022-08-02
第四届全国高校教师教学创新大赛产教融合赛道全国赛在重庆邮电大学举行
11月11-14日,由教育部高等教育司指导、中国高等教育学会主办的第四届全国高校教师教学创新大赛产教融合赛道全国赛在重庆邮电大学举行。
中国高等教育学会 2024-11-17
专家报告荟萃㉚ | 上海海事大学原校长黄有方:国际著名高校交叉学科实践对我国新文科建设的思考
我们国家的新文科建设实际上已经进行了好多年,应该讲在我们山东大学原校长的带领下我们新文科建设在全国各高校发展的非常健康,特别是在本科教育层面上,我们对新文科建设、“四新”建设认识已经达到相当高的高度,我也参加了一些会议,在这个方面有一些思考。
中国高等教育博览会 2025-02-18
专家报告荟萃㉑ | 吉林大学农学部学部长杨振明:主动担当作为,服务农业强国——吉林大学新农科建设实践
从吉林大学农学部的历史进程与发展出发,并从四个方面深入探讨了吉林大学新农科建设实践。
高等教育博览会 2025-07-07
华中科技大学科研信息化服务平台建设项目(一期)——科研管理平台采购项目竞争性磋商公告
华中科技大学科研信息化服务平台建设项目(一期)——科研管理平台采购项目竞争性磋商
华中科技大学 2022-05-27
华中农业大学植物科学技术学院植物生长室设备采购及安装项目(第二次)竞争性磋商公告
华中农业大学植物科学技术学院植物生长室设备采购及安装项目竞争性磋商
华中农业大学 2022-06-23
内地与港澳大学校长圆桌会在香港举行
积极支持内地与港澳大学联合成立生命科学开放联盟,创办世界一流科技期刊,发起和参与国际大科学计划。
微言教育 2025-08-13
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法;提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术;提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数,进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法,并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证,并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍,准确率提高到95%;定位技术误差一般不超过30cm;总体运算时间在秒级,Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白,对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项,发表SCI、EI论文14篇,并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学 2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
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