本发明涉及膜分离和资源回收技术领域，公开了一种络合反应协同双极膜电渗析实现镁锂分离的新工艺。该工艺利用乙二胺四乙酸根可在特定条件下与镁离子选择性络合形成带负电荷络合物的特性以及电渗析系统的阴阳离子分离性能，实现卤水、油气田废水、海水等锂镁混合体系中的镁锂分离。上述方法利用现有的商业阳离子交换膜与含有乙二胺四乙酸根的料液或废液即可实现镁锂混合溶液中锂离子的选择性分离，无需研发新型一多价选择性离子膜，可规避目前一多价选择性阳离子交换膜研发所面临的膜选择性与通量相互制约、分离层稳定性差等问题，为目前镁锂分离提供一种新的策略，具有工艺简单，锂离子选择高，周期短，环境友好及可连续化生产等优势。

本发明公开了基于自适应权重与多传感器融合的双车协同避障及路径规划方法，涉及路径规划避障领域，该方法包括：建立包含障碍和地面摩擦力标记的地图；基于考虑依赖关系的遗传算法对运输任务进行排序，得到最佳运输顺序；对当前道路安全进行风险判断，计算出道路安全性评价系数；基于考虑自适应权重的路径规划算法，计算车辆的最佳路径；按照最佳运输顺序和最佳路径执行当前运输任务；确定路径上的受影响障碍物，根据后车跟随避障与自适应引导车策略进行自适应避障；计算安全间距阈值；根据车辆之间有效距离与安全间距阈值的比较结果，控制后车的速度。本发明确保任务分配和路径规划智能化，提升了双车控制系统的效率和可靠性。

本发明公开了一种多自由度开关功放大负载差异情况下的分步协同控制法。此方法适用于任何负载差异过大且多路输出的开关功率放大器。在同步精确控制法的基础上采用分布协同控制法，用来解决实际负载差异过大导致系统运行剧烈振动的问题，其特征在于：分步协同控制算法实现负载差异过大情况下大负载自由度和小负载自由度先后启动。先启动大负载相的电流控制，同时保持小负载相处于静止状态。实时监测大负载相的实际电流值，当实际电流达到给定电流的预设范围边界时，再启动小负载相的电流控制。同步精确控制其他相负载的电流，公共桥臂独立运作，开关状态与电流误差绝对值最大的那一相负载桥臂匹配。负载桥臂的运作变化取决于电流误差信号的极性和电流误差绝对值最大相的电流变化状态，依据设定的容差范围对所有负载电流进行同步精确控制。

利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。