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高分子台面
l、表面为高分子材料,使桌面耐酸碱、耐磨、耐油 2、桌面采用高压纤维板,使桌面更具有抗冲击力 3、特别的圆弧桌角,不易撞击受损规格:2800×600  。 4、不含木箱,木箱包装50元 备注:以上是高分子台面的详细信息,如果您对高分子台面的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取高分子台面的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
分子结构模型
产品详细介绍
浙江省青田县城东华联工艺厂 2021-08-23
分子结构模型
产品详细介绍
浙江省青田县城东华联工艺厂 2021-08-23
高分子黑板笔
产品详细介绍高分子黑板笔,是一种全新的、真正百分之百的“无尘粉笔”。书写过程100%无粉尘污染,轻松书写,轻松擦除,字迹鲜明。成本和传统粉笔相当。
广州无尘教育工程有限公司 2021-08-23
高分子黑板笔
产品详细介绍高分子黑板笔,是一种全新的、真正百分之百的“无尘粉笔”。书写过程100%无粉尘污染,轻松书写,字迹鲜明。成本和传统粉笔相当。
广州无尘教育工程有限公司 2021-08-23
基于人工智能的新型疫苗及治疗性大分子开发
1. 痛点问题 本项成果涉及新型疫苗的设计与应用,具体涉及生物大分子药物及疫苗的研发过程中的抗原精准设计。 2. 解决方案 基于AI的大分子药物及疫苗抗原设计。
清华大学 2024-09-24
海洋高分子微球的微流控制备方法及其应用
中国发明专利ZL202210046308.4:采用无乳化剂、无有机交联剂的微流控法制备规整球形的海洋高分子微球,微球实心或空心、粒径(200纳米-50微米)、微观结构可控可调,可作为吸附材料、药物香精等载体材料的应用。
厦门大学 2025-02-07
太赫兹波传输和调控功能器件
太赫兹(THz)科学技术既是重大的基础科学问题,也是国家的重大需求。然而,作为一段全新的的电磁波谱,实现THz波传输与控制的相关器件极为匮乏,大大限制了THz科学技术的发展及应用。本项目提出了THz波物质探测、低损传输、高速控制的新理论和新技术,研制出多种实用化THz功能器件。本项目的主要成果包括:(1) 提出了THz波吸收的理论模型,研制出吸收率达到85%以上的窄带、多带和宽带太赫兹吸收材料,解决了传统电磁波吸收材料无法有效工作于THz频段的技术难题;(2)提出“人工电磁结构”与“电子功能材料”相结合构建可调谐太赫兹功能器件的思想,研制出开关速率达到0.1ms的太赫兹开关、调制速率达到10Mbps的太赫兹波调制器,带内透射达到80%的太赫兹带通滤波器,以及高效太赫兹功率衰减器;(3)基于高阻Si的深能级掺杂技术和石墨烯二维晶体材料,研制出宽带太赫兹波空间调制器,开关速率达到5MHz,空间调制面积达到3英寸,为提高太赫兹成像速率和分辨率奠定了基础;(4)提出极化约束实现太赫兹波导低损耗传输的新概念。基于“聚合物空芯波导”与“周期性金属光栅结构”的集成,研制出一种双面光栅聚合物空芯波导实现了单模的传输,大幅度降低太赫兹传输损耗到0.68dB/m,达到了实用化的要求。 这一研究成果既加深了对THz波谱特性和基本物理现象的理解,也解决了THz传输、控制、波谱识别和应用成像的多个关键科学问题。本项目成果的实施,可望实现载波300GHz以上高速无线通信,为太赫兹波无线通信、雷达探测、医疗诊断以及以及波谱成像等应用系统提供了重要的技术支撑。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等国际主流期刊上发表SCI 论文66 篇。申请国家发明专利22 项,已授权专利7 项,获得教育部自然科学一等奖1项。跟国内外综合比较,本项目的研究成果总体上处于国际先进水平,对推动太赫兹科学快速进入实际应用领域具有重要的科学意义。
电子科技大学 2021-04-10
太赫兹波传输和调控功能器件
本项目提出了THz波物质探测、低损传输、高速控制的新理论和新技术,研制出多种实用化THz功能器件。
电子科技大学 2021-04-10
PMOS触发的低压ESD触发SCR器件
随着集成电路工艺的进步,MOS管的特征尺寸越来越小,电路的工作电压也不断下降,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势下,将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内,使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。本发明涉及可用于65nm半导体工艺的静电保护(ESD)器件,特别涉及低电压触发的SCR器件。    本发明提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。本发明采用PMOS进行触发NMOS导通,NMOS的导通电流触发SCR晶闸管,从而减小SCR器件的ESD触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间,PMOS首先被触发导通,PMOS开通之后,触发NMOS导通,NMOS导通后,其导通电流触发晶闸管SCR导通。晶闸管电流(SCR current)导通大部分ESD 电流,从而实验了ESD保护。
辽宁大学 2021-04-11
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