本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。

基于多元信息融合的油菜生长模型是用数学方程描述油菜、气候和土壤之间的作用过程,根据气象条件、土壤条件以及管理方案，动态定量的描述油菜生长、发育、籽粒形成及产量。油菜生长模型最重要的意义是对整个油菜生育系统的知识进行综合，并量化生理生态过程及其相互关系,即综合知识和量化关系。油菜模型是利用计算机强大的信息处理和计算功能,对不同生育过程进行系统分析和合成,相当于所研究系统的最新知识的积累和综合。在这种知识合成的过程中,还能鉴定知识空缺,从而明确新的研究方向，同时，油菜模拟研究在理解油菜生理生态过程及其变

研发阶段/n本成果主要用于促进动物生长，改善动物的生产性能。内容包括①筛选得到一种双拷贝生长抑素与乙肝表面抗原融合表达质粒，免疫大鼠后，阳性率为60%，体增重提高13.5%。②克隆GM-CSF、CpG、VP22等基因佐剂，提高了原有生长抑素质粒的免疫反应，抗体阳性率可达71.4%。③引入以asd为标志的染色体-质粒平衡致死系统，建立了生长抑素平衡致死系统；由于终载体中不含Amp抗性基因，提高了安全性。④突破原有注射裸质粒的免疫方式，开创肌肉注射携带质粒的灭活沙门氏菌、肌肉注射（或口服）携带质粒的减毒

本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<

XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型   功能特点： ■ XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型共有3种不同生长指标的新生儿仿真模型，此3种模型人为1套，供学生训练与考核用。 ■ 3种新生儿模型均为男性，其身高分别为52cm、50cm、47cm，头围分别为42cm、34cm、31cm，体重分别为3kg、2kg、1.7kg。 ■ 身长测量：新生儿仿真模型的关节可活动，在自然状态下腿部呈M型，在测量新生儿身长时，操作者可拉直新生儿的关节，并且可推直新生儿的脚，使之与腿部呈90度角。  ■ 可进行新生儿抱持、包裹、擦浴、穿衣、换尿布、喂奶、清洁眼、耳、鼻等基础护理操作，可测量体重、胸围、腹围、头围等。 ■ 可进行皮肤护理。

产品详细介绍万深RootGA根系动态生长监测分析和显微成像系统1、用途：定时自动成像雾培、水培、琼脂培养基培、土培、沙培的盆栽农作物根系，并动态监测其根系生长速度，动态跟踪根系细微结构、根尖数和根毛变化，以及根尖病变情况，宏观动态统计分析不同时刻点根系的整体发展变化，还可分析洗净根系情况，获得根系生长的动态数据，以便科学客观地评价植物生长质量相应关键因素，如分析：光照、水肥、温湿度环境对生长与抗逆性的影响。2、系统组成：多组的自动对焦800万像素多关节的大景深拍摄仪+背光套件+透明培养器皿套件，连续变焦单筒体视测量显微镜、500万像素显微相机、手动X-Y移动显微平台+上下光源，根系分析软件和电脑（酷睿i5 8400 CPU /8G内存/500G硬盘/1G显存/ 19.5”彩显/无线网卡）。3、 主要性能指标：1）多关节的大景深拍摄仪+背光成像套件可在植物侧面等位置上，在不同时刻点自动拍照跟踪监测根系，自动生成根系的整体发展变化和生长的动态数据，动态图示标记活体根系每天的新生长区和统计其对应的新生长根量，包括不同深度位置上的根量变化。系统具备对根系生长异常的预警机制。该动态跟踪分析的根系成像视野为240mm宽*380mm高，自动拍照分析的时间间隔0.5-48小时可调（若定时拍照时间点前接入电脑，即可自动启动拍照。1台电脑能自动轮巡监测10个视野以内的作物植株原位根系动态变化（标配默认提供4套动态生长监测成像硬件，若要实时监测10个视野的作物植株原位根系，需配10套拍照成像组件）。1分钟内自动拍完全部照片后，该监控电脑即可另做他用（不用被独占）。2）可按被监控根系分块区域图像显示根量随时间变化的密度热力图，各部位的变化精细度可由分块监控大小来自定义控制。根系软件能自动生成根系生长的视频，以便按时间节点来回溯查看。3）可对原位土培根系图像进行交互引导分析、锁定编辑根系路径、修正根系的长短、粗细、位置等。具有鼠标编辑点的跟随放大镜。能自动拼接多张原位根系图。4）可做洗净根系分析：1)根总长；2)根平均直径；3)根总面积；4)根总体积；5)根尖计数；6)分叉计数；7)交叠计数；8)根直径等级分布参数；9)根尖段长分布，10)可不等间距地自定义分段直径，自动测量各直径段长度、投影面积、表面积、体积 等，及其分布参数；11)能进行根系的颜色分析，确定出根系存活数量，输出不同颜色根系的直径、长度、投影面积、表面积、体积。12)能进行根系的拓扑分析，自动确定根的连接数、关系角等，还能单独地自动分析主根或任意一支侧根的长度和分叉数等，可单独显示标记根系的任意直径段相应各参数（分档数、档直径范围任意可改，可不等间距地自定义），并能进行根的分叉裁剪、合并、连接等修正，修正操作能回退，以快速获得100%正确的结果。13)能用盒维数法自动测根系分形维数。可分析根瘤菌体积在根系中的占比，以客观确定根瘤菌体贡献量。14)大批量的全自动根系分析，对各分析结果图可编辑修正。15)能做根系生物量分布的大批量自动化估算。16)能自动测量油菜、大豆等果荚的果柄、果身、果喙部分的粗细、长、弧长、玄高等参数。能自动测量各种粒的芒长。17)能测各类针叶的叶面积、长度、粗细。18)各分析图像、分布图、结果数据可保存，分析结果输出至Excel表，可输出分析标记图。5）可单筒体视显微镜500万像素彩色成像（最高可放大270倍），能自动拼接多张显微根系图，可分辨小至0.01mm的根毛，方便观察根际细微结构、根尖数和根毛变化，以及根尖病变情况；手动X-Y移动显微平台可二维扫描微观根系，获得超高分辨率的大幅面根系图像。

本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。

金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底

团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方