研发阶段/n内容简介：该惰性气体保护炉结构特点是：加热处理室采用工作台与盖子可同时上升或下降的结构,上升下降式机构设置在底部,热处理室盖子与工作台以圆锥表面相配合,盖子与工作台之间留有一段间隙,它们之间的磨损,不影响它们的配合,保证配合紧密,工作时热处理室盖子通过上升机构紧压在炉顶,更增加配合紧密性.因此是同类密封式热处理炉子中最为理想的结构.本产品获得一项专利，专利号：ZL200420076090.4。

产品详细介绍 DNA分子杂交技术，分子杂交炉、核酸分子杂交 一、用途特点：     此仪器是我厂与北京大学生物系、复旦大学遗传所等科研单位参照国外最新产品联合研制推出的国内首创产品。TC-4YY型多功能核酸分子杂交仪，本仪器的各项技术指标均达到国外同类产品水平。可替代进口杂交仪，本仪器采用独特的滚动式反应架装置，配套特制密封杂交管在水平轴上旋转，使杂交管内壁上的杂交反应膜各处能均匀地杂交液反复地接触，充分反应。可进行生物大分子DNA、RNA及蛋白质杂交反应。不仅比塑料袋或其它容器在水浴中进行分子杂交反应效果好，并且还能减少杂交液体积，提高杂交效率，而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危险。因此，本仪器广泛应用于生物大分子的杂交反应或其它长时间振摇的化学、生化及免疫学反应，是开展分子生物学技术不可缺少的仪器。     本仪器采用先进的单片计算机进行控制，人机界面采用点阵式液晶显示器（LCD），直观显示系统的运行状况。温度控制采用数字PID技术，输出采用PWM方式，控制精度高，稳定性好，并设有超温保护装置。仪器采用独特滚动式反应装置，每次可夹6根特制玻璃封管在水平轴旋转，旋转速度为每分钟0～16转/可调。TC-4YY型分子杂交仪除具有TC-3YY型所有功能外，杂交箱内可放入直径42mm长300mm杂交瓶。 托盘摆动速度每分钟5～50次/可调。 二、技术指标： 1.电源电压：AC220V±10％  50Hz  350W 2.使用环境：0℃～＋40℃，相对湿度：≤90%RH 3.温控范围：环境温度＋5℃～100℃可调 4.温度波动值：±1℃ 5.温度显示精度：0.1℃ 6.温度均匀性：±0.03℃ 7.瓶架转速：0～16转/分可调 8.杂交管规格：Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只（任选） 9.摇台摆动频率：5～50次/分可调 10.工作室尺寸：330mm×270mm×310mm 仪器报价以公司网站为主 相关链接：http://www.tocan.cn/category.php?id=17    公司地址：上海市翔殷路165号B区211室 邮编：200433  联系电话：021-51863860、13621641125         QQ：572980613 上海领成生物科技有限公司提供专业的产品、专业的售前、售中、售后服务，将使您的工作能够收到事半功倍的效果。欢迎新老顾客来电咨询，领成将为您提供最优质的服务！

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。

金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底

团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方

一种树径生长量的自动测量装置，通过无线网络节点远程监测装置实现实时监测树径的实时生长量和生长状态；包括装置固定模块和测量模块；装置固定模块将测量模块固定于树干上需要测量树径变化量的位置上；测量模块包括带有弹簧的直线位移传感器、测头端滑轮、转向滑轮、导向滑轮、无弹性细钢丝绳、卡头和测头端滑轮与带有弹簧的直线位移传感器的连接部分；无弹性细钢丝绳通过转向滑轮、导向滑轮和测头端滑轮后，无弹性细钢丝绳环抱于需要测量树径的位置上，通过卡头将无弹性细钢丝绳两端卡紧；根据带有弹簧的直线位移传感器的位移量来确定树径生长的变化量。

项目成果/简介:一种树径生长量的自动测量装置，通过无线网络节点远程监测装置实现实时监测树径的实时生长量和生长状态；包括装置固定模块和测量模块；装置固定模块将测量模块固定于树干上需要测量树径变化量的位置上；测量模块包括带有弹簧的直线位移传感器、测头端滑轮、转向滑轮、导向滑轮、无弹性细钢丝绳、卡头和测头端滑轮与带有弹簧的直线位移传感器的连接部分；无弹性细钢丝绳通过转向滑轮、导向滑轮和测头端滑轮后，无弹性细钢丝绳环抱于需要测量树径的位置上，通过卡头将无弹性细钢丝绳两端卡紧；根据带有弹簧的直线位移传感器的位移量来确定树径生长的变化量。

一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法，工艺步骤为石英坩埚的处理、装炉、加热、 镀膜、膜层退火。石英坩埚的处理包括清洗与烘干，装炉是将清洗并烘干后的石英坩埚 与组成镀膜装置的部件进行组装，加热是将装有石英坩埚的沉淀室加热至1000℃～ 1060℃，然后在该温度保温并向石英坩埚和沉淀室内通高纯惰性气体排除残余空气，镀 膜是通惰性气体结束后，继续在1000℃～1060℃保温，并在此温度向石英坩埚内通甲烷 气体，使石英坩埚内壁上沉积符合要求厚度的碳膜，镀膜结束后，继续在1000℃～1060℃ 保温40分钟～60分钟，然后缓慢冷却至室温。镀碳膜装置包括加热炉、放置被镀膜石 英坩埚的沉淀室和供气控制器。

揭示了自上个世纪90年代末以来，全球大气水汽压差呈现急剧增加的趋势。大气水汽压差表征了大气饱和水汽压与实际水汽气压的差值，水汽压差增加意味着通过植物蒸腾和土壤蒸发作用散失到大气中的水汽量增加，这会在很大程度上增加植被受干旱胁迫的程度。同时，植物为了减少水分损失，会关闭气孔，这会降低植物的光合作用，限制植被生长。上个世纪以来，由于受到全球变暖的影响，大气饱和水汽压持续增加，同时，由于海洋蒸发减少和陆地土壤变干，实际水汽压增加幅度小于饱和水汽压，从而导致水汽压差增加，大气干旱胁迫程度加剧。该研究综合利用5套全球遥感植被指数和叶面积指数数据产品，发现与大气水汽压增加对应的，全球植被生长自上个世纪末以来呈现生长减缓甚至生长增加停滞的趋势。通过利用两个遥感数据驱动的植被生产力模型和机器学习方法，该研究开展了量化水汽压差变化对植被生长影响的分析。分析结果显示，上个世纪90年代末以来大气水汽压差增加导致的植被生产力降低，抵消了大气二氧化碳浓度增加对植被生长的“施肥效应”。该研究也发现，由于持续的全球气候变暖，大气水汽压差增加的趋势将持续到本世纪末，其对植被生长的影响也将持续存在。然而，目前的陆地生态系统模型并未能准确反映大气水汽压差对植被生长的限制作用，因而会显著高估未来的陆地植被生产力。       该研究揭示了全球大气水汽压差的长期变化趋势，不仅强调了全球变暖所引发的一个对全球植被生长的重要影响方式，为自上个世纪末以来植被增长减缓和停滞找到了关键的科学证据，同时也有助于提高陆地生态系统模型对气候变暖响应的模拟能力。

已有样品/n生长因子和干细胞的缺乏是造成皮肤衰老的重要原因。生长因子对皮肤屏障的重建、干细胞对皮肤微循环的重建，是使皮肤年轻的的重要手段。直接将干细胞运用于工业化妆品中，由于成本高昂难以大规模应用。通过常规细胞培养，干细胞增殖后却丧失了自身性状。运用胡康洪博士发明的国际先进的独特三维灌流式培养技术，使干细胞体外增殖而不改变其性状，破碎细胞，采用一系列高效的抽提方法，获得具有抗衰老活性的干细胞抽提原液，其中含有肝细胞样生长因子（HGF）、前胶原蛋白等抗衰老因子，作为原料用于工业化妆品。通过双方合作，将