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村镇污水膜法处理技术
基于膜生物反应器原理,通过核心膜材料的研发,针对村镇村级单体小水量的特点,开发出一体化城镇污水膜法处理技术,以膜组件取代二沉池,在生物反应器中保持高活性污泥浓度减少污水处理设施占地,并通过保持低污泥负荷减少污泥量,提高农村污水排放的就地处理率,建设美丽乡村。成果可用于小型污水处理,农村、养殖、食品、印染、纺织等行业废水。
南京工业大学 2021-01-12
膜法超高效除尘技术
本技术主要产品为空气净化膜及成套分离设备,包括中低温与高温空气净化膜两大类主要产品。除尘膜材料为碳化硅等无机材料或改性聚四氟乙烯材料,化学稳定好,机械强度高。可经受各种有机气体腐蚀,能够进行频繁的反吹和化学清洗,寿命在3年以上。可用于冶金、化工、水泥等工业过程烟气处理及家庭、商场、写字楼、汽车等民用场所空气净化。
南京工业大学 2021-01-12
读努门环保绿膜
产品详细介绍     读努门绿板绿膜 环保性:采用无毒,无异味的环保材料,选用最合适人的眼睛的色彩和低反光膜,眼睛不易疲劳,保护师生视力; 需用性:一块绿板正常使用情况下,一般使用寿命可达8年以上(使用读努门绿板笔),绿膜使用可达3年以上。 实用性:配合读努门绿板笔,不易摩擦笔头,色彩显好,即可坐咋宽大的教室后排,字迹依然清晰亮丽。  
广州读努门教育科技有限公司 2021-08-23
自动包装机卷膜
卷膜特性:可满足120℃蒸煮及抽真空 长度及宽度:不大于60cm 厚度:双面8-40丝 材质:复合袋,根据不同的要求设计复合膜 印刷:凹版印刷,九色 质量认证:ISO9001/SGS 产地:山东青岛 交货期:十万条以内七天交货,不含制版时间
青岛正大环保科技有限公司 2021-09-02
生物降解-水溶膜
山东森工新材料科技有限公司 2021-09-02
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域,具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺,通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度,有效提升单晶的尺寸完整性,控制缺陷密度;具体包括:配制合适浓度前驱体溶液;量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上;将液滴蒸干批量获得单晶;进行热退火以释放晶格应力;所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶,元素分布均匀,具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料,在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学 2021-01-12
一种崩塌落石模型试验装置
成果描述:本发明公开了一种崩塌落石模型试验装置,由全角度旋转斜面(1)和可调节全角度旋转斜面(1)的坡角、坡高和坡型的辅助支撑机构组成;全角度旋转斜面(1)由前板(10)和后板(11)通过合页连接器(12)铰接构成;所述辅助支撑机构包括:小底板(4)和设置于小底板(4)上的支座(3)构成的第一支承、中底板(6)和设置于中底板(6)上的具有弧形滑槽的中立板(5)构成的第二支承、大底板(9)和设置于大底板(9)上的具有弧形滑槽的大立板(8)构成的第三支承;本发明装置可改变坡角、坡型、坡高,可研究不同坡体结构条件对崩塌落石块体运动特性的影响,联合振动台可研究地震条件下崩塌落石的相关特性,试验装置结构简单,安装、拆卸容易,操作性强,具有广阔的推广前景。市场前景分析:轨道交通基础设施建设领域。与同类成果相比的优势分析:技术先进,性价比较高。
西南交通大学 2021-04-10
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