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动力博石（广东）智能装备有限公司
动力博石（广东）智能装备有限公司
动力博石(广东)智能装备有限公司，成立于2019年01月09日，坐落于广东省江门鹤山市，研发总部位于深圳南山区，为深圳市动力飞扬智能装备有限公司控股子公司。
动力博石是一家以AI视觉技术为核心，在光学设计、软件算法、机电控制等领域自成体系的高端智能装备的高新技术企业，集产品研发，系统集成，营销及技术支持于一体，扎根机器视觉与工业自动化，公司拥有各类专利180多项。
动力博石（广东）智能装备有限公司
2023-08-02
JYF1884石油产品密度试验器
产品详细介绍
华鲁电热仪器（天津）有限公司
2021-08-23
滴定台 大理石滴定台 铁架台 03010
产品详细介绍
1.产品由方座和支架组成；
2.底座尺寸为300mm×150mm×18mm，由大理石制造，方座下面的四个塑料脚垫与方座四个角粘接牢固，平整光洁，颜色均匀，边角光滑；立杆直径为11mm，其高度为600mm，表面镀铬。
郑州利生科教设备有限公司
2021-08-23
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置及其成膜方法
本发明公开了一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置，包括蒸 发腔、与蒸发腔连通的喷印头及与喷印头相距一定间隙的基板载台， 基板载台受控制相对喷印头分别沿喷印头主轴方向、与喷印头主轴垂 直平面内的水平方向以及平面内与水平方向垂直的第三方向直线移 动。喷印头包括喷印头基体、包覆喷印头基体的加热套、位于喷印头 基体一端的图形喷嘴、与图形喷嘴连通的混合腔以及连通所述蒸发腔 与混合腔的气体入口。图形喷嘴的开口具有一定形状，蒸发腔用于蒸 发固体有机材料得到气相有机材料并通过喷印头的气体入口进入喷印 头的混合腔，接着
华中科技大学
2021-04-14
用于测量试件壁厚的电磁超声传感器及其测量方法
本发明公开了一种用于测量试件壁厚的电磁超声传感器及其测量方法，该传感器包括：上壳体；与上壳体相互对接组合且其底部具有二级阶梯孔的下壳体；设置在下壳体底部最深的阶梯孔内的激励平面线圈；设置在下壳体底部次深的阶梯孔内并与所述激励平面线圈同轴层叠的接收平面线圈；依次设置在接收平面线圈上的屏蔽层和磁铁件；以及安装在上壳体上通过绝缘导线分别与两个平面线圈相连、用于连接测厚仪相连以便执行对试件壁厚的测量的接头。通过上述设计的双线圈及其他元件的布置，使得两个平面线圈在空间上不再相互干涉，使得传感器具有高激励效率、高接收灵敏度和高信噪比，同时降低测量盲区。
华中科技大学
2021-04-11
一种处治黄土边坡中厚层剥落病害的方法
我国黄土和黄土状土分布的总面积约 64 万 km2 ，占陆地面积的 9.3% 。由于黄土地区特定的气候环境条件以及独特的物理力学性质，在外在因素作用下导致坡体稳定性降低、坡面出现剥落破坏的情况十分普遍。本发明提出一种处理中厚层黄土剥落病害的方法。本发明将配制好的营养麦草泥通过人工涂覆在被处治边坡坡面上，形成类似于自然土壤且能储存水分和养分的适宜于植物生长基层，再在所涂抹营养麦草泥外层按照一定间距采用 “T” 形螺旋钢进行挂网，待植物恢复后，发达的根系可深入到黄土坡体，与坡面和所挂镀锌铁丝网结合成一个整体，从而达到护土固坡、美化环境的目的。总之，该方法通过麦草秸秆的加筋作用、淤泥的黏结作用、营养麦草泥的保墒作用及保温作用、 “T” 螺旋钢锚固网的固定作用，达到护坡、绿化的目的，使坡面平稳、平定、持久，获得绿化美观、固坡护坡的效果，能对被处理坡面进行有效加固，防止坡面局部剥落和崩塌。对比穴种植草处治黄土边坡剥落和客土喷播处治黄土边坡剥落效果发现，本发明处理黄土边坡中厚层剥落效果最佳。
西安科技大学
2021-04-11