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磷、氮、硅协同阻燃的环氧树脂
环氧树脂作为一种运用广泛的高分子材料，主要优点有：①耐湿性、耐碱性、耐酸性和耐溶剂性好；②固化收缩率低；③介电绝缘性、力学性能优良；④与多种基材的粘接性能优异。但是，环氧树脂耐热阻燃性能差，极大限制了它在高性能化方向的应用。本项目采用磷、硅、氮三者协同阻燃体系改性环氧树脂，不仅使环氧树脂的阻燃性能达到不燃物标准，同时各元素比重都较低，相对降低由于某一种元素含量过高造成对环氧固化体系基体性能的过多影响。
厦门大学
2021-01-12
硅基光电子集成技术
基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术，可实现低成本、批量化生产，并具有和微电子单片集成的潜力，是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连，也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。
在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下，针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题，提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构，形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程，成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。
该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑，也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”，对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底，Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。
上海交通大学
2021-04-13
山东硅科新材料有限公司
山东硅科新材料有限公司于2013年10月成立，位于金乡县济宁市化学工业经济技术开发区，注册资本5000万元，固定资产6000万元，厂区占地230亩。山东硅科新材料有限公司是一家致力于生产硅烷偶联剂及有机硅中间体的民营高科技企业，以精细化工为基础，集生产、经营、科研与一体，拟新建年产硅烷偶联剂系列产品（包括中间体）21000吨，产品项目涉及三大系列，包括乙烯基系列硅烷及其中间体6850吨/年、氨基系列硅烷及其中间体5500吨/年、环氧基系列硅烷及其中间体8650吨/年，分列三大车间生产，共计10套生产装置。本项目中间体总量为10100吨/年，最终产品重量为10900吨/年。
晨光化工一直以来是有机硅精细化工及其衍生产品的生产商和相关产品应用方案的提供商。作为有机硅行业的先行者之一，凭借多年的不懈追求，我公司目前在中国同业中确立了领先地位，并积极开展国际市场的供应服务。我公司已获得ISO9001:2008质量管理体系认证和ISO14001:2004环境管理体系认证，主要产品已经进行了REACH预注册。
山东硅科新材料有限公司
2021-09-01
一种去除半环表面多余橡胶的切割装置
成果描述：本发明提供了一种去除半环表面多余橡胶的切割装置，加工机械技术领域。它能有效地解决链条表面橡胶的多余部分的切割问题。包括机架和连接空压机的储气罐及气缸，储气罐设在机架下方，通过管路与气缸连接，调整平台通过螺栓与设在底座上的立柱连接，气缸通过其导向套与调整平台定位并固定，气缸的活塞与定制的法兰通过螺纹连接；法兰通过螺钉与连接板固定，连接板与上刀具安装座贴合设置并通过螺纹连接；下刀具安装座中设有一片刀口呈U型的刀片及两片刀口呈凹半圆的刀片，下刀具安装座通过贴合的表面安装在底座上，上刀具座工作面与下刀具座工作面对称，设有一片刀口呈U型刀片和两片刀口呈凹半圆刀片。主要用于切割链条半环橡胶。市场前景分析：机械工程领域。与同类成果相比的优势分析：技术先进，性价比较高。
电子科技大学
2021-04-10
液化气/天然气切割与焊接机具
切割与焊接是各行各业广泛采用的金属加工形式。 其中，气割与气焊是利用可燃气体在燃烧时放出的热量加热金属和进一步实现对金属进行切割或焊接的一种气体火焰加工方法。由于气割和气焊具有设备简单、使用灵活方便和比其它焊割方式（例机械切割）效率高、能在各种部位实现焊割作业等特点，目前应用还十分普遍，特别是广泛用于钢板下料、铸件冒口切割和较薄的工件及熔点较低的有色金属的焊接。 在气体焊、割中，传统的氧－乙炔焰切割与焊接技术目前在我国还占据着大约90％以上的市场，但是由于乙炔是由电石与水反应生成的，而生产电石要消耗大量电能和其它一些贵重工业原料，加之乙炔还是重要的化工原料，可以进一步合成多种化工产品，因此将乙炔作为工业燃气烧掉不仅对资源是一种浪费，而且对环境有着严重污染，所以如果能广泛使用天然气或液化气（液化石油气）代替乙炔进行火焰切割和焊接，将不仅可以收到节约能源、降低成本（80％以上）的效果，而且十分有利于资源的合理利用和环境保护。 本技术已在大庆、新疆、吉林、胜利等几个油田获得工业应用，并已取得了国家专利，专利号为：射吸式液化气、天然气焊炬，实用新型专利98 2 04699.5和射吸式液化气、天然气焊割两用炬，实用新型专利98 2 04670.5 应用于油田、铸造、机械、建筑等行业的大批量切割或焊接，一切天然气或液化气方便的地方的切割或焊接。 其优越性在于：切割质量高，环境污染轻，投资少 使用性能比乙炔安全可靠
北京科技大学
2021-04-11
太阳能硅片电磨削多线切割技术及装备
太阳能硅片多线切割机是一种大型、复杂、精密的核心光伏制造装备，长期依赖进口。目前，国外已能采用多线切割的方法生产出面积较大而又较薄的硅片(300mm×300mm)，但由于仍属于非刚性切割，在切割过程中切割线必然产生变形从而不断产生瞬间的冲击作用，要使目前的大尺寸硅片厚度和切割损耗进一步降低，实现低成本高效切割，技术难度相当大。因此，针对现阶段国内外晶硅太阳能电池的制造技术瓶颈，寻求解决降低成本和提高光电转换效率的有效方法和途径，2009年，南京航空大学基于硅片磨削/电解多线切割原理，发明一种低宏观
南京航空航天大学
2021-04-14
一种去除半环表面多余橡胶的切割装置
本发明提供了一种去除半环表面多余橡胶的切割装置，加工机械技术领域。它能有效地解决链条表面橡胶的多余部分的切割问题。包括机架和连接空压机的储气罐及气缸，储气罐设在机架下方，通过管路与气缸连接，调整平台通过螺栓与设在底座上的立柱连接，气缸通过其导向套与调整平台定位并固定，气缸的活塞与定制的法兰通过螺纹连接；法兰通过螺钉与连接板固定，连接板与上刀具安装座贴合设置并通过螺纹连接；下刀具安装座中设有一片刀口呈U型的刀片及两片刀口呈凹半圆的刀片，下刀具安装座通过贴合的表面安装在底座上，上刀具座工作面与下刀具座工作面对称，设有一片刀口呈U型刀片和两片刀口呈凹半圆刀片。主要用于切割链条半环橡胶。
西南交通大学
2018-09-19
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14