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关于高Tc薄膜铁电材料机制的研究
基于过去发展的基于第一性原理电子结构计算的有限温度下铁电-顺电相变模拟手段，指出Fisher等人提出的有限尺寸标度理论存在缺陷，并针对铁电-顺电相比提出修正方法。此理论缺陷存在的本质原因是理论推导过程中对体材到薄膜演变过程中哈密顿量变化的忽视，是由当时实验技术与针对具体材料物性理论模拟手段的局限造成的。新发展出来的修正方法可广泛适用于类似铁电材料的物性模拟。 研究中，以SnTe作为一个例子，来研究标度律不成立的体系；以BaTiO3为一个例子，来描述标度律成立的体系。通过对比两类材料在从体材到薄膜变化过程中电子结构与相变温度变化的规律，作者发现相变序参量的变化可以作为一个描述子，来区分此两类系统。在标度律成立的体系，体材与薄膜的相变序参量并不发生变化，这个也是70年代Fisher等人提出标度律的一个基本假设。而对SnTe这类材料，在从体材到薄膜的演化过程中，相变序参量已经发生了变化。这一机制也为寻找、预测和设计低维高Tc铁电材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加应变等外部调制手段，新机制预测的低维铁电材料具备本征高Tc，更易于脱离实验室条件走向工业生产。课题组期待这一工作能激发更多高Tc铁电材料的发现。图1. 材料的相变序列(a) 满足标度律的传统铁电材料；(b) 不满足标度律的二维铁电材料；(c) 不满足标度律的一维铁电材料。当且仅当材料的低维相变序列发生改变时，标度律不成立，该材料有可能发现高Tc，即(b)(c)，有待于进一步的实验发现。
北京大学
2021-04-11
单晶LaB6空心阴极
北京工业大学
2021-04-14
超大尺寸单晶铜箔库制备
在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech
南方科技大学
2021-04-14
基于纳米材料与纳米结构的全固态薄膜电池
全固态薄膜电池具有非常诱人的应用前景，可作为各种小型化长寿命 军用电源，在智能卡，传感器，微电子与微机械系统等方面与之匹配 的微电源。为将来的信息化，电子化，智能化和武器先进化提供新型 高效可靠的电源。 例如:结合射频识别(RFID)技术，组成配有薄 膜电源的射频卡，能够对军队的武器弹药进行 RFID 标签，从而提高 军用物资的有效管理。 美国国家航空和宇宙航行局(NASA)的喷气推进实验室，将全固态 薄膜锂离子电池与太阳能电池相结合，利用微机械系统，研制在微型 卫星上需要的高度
复旦大学
2021-01-12
薄膜太阳能电池材料光谱响应测量系统
产品详细介绍■ 光谱测量范围：200-1100nm■ 测量重复性：≤3%（主要波长位置）■ 光源：高稳定、高输出能量氙灯光源■ 标准探测器经国家一级计量单位定标■ 标准探测器、待测探测器自动切换■ 光谱响应度曲线自动生成■ 样品室内包含标准样品架、固体样品架和液体电解池样品架■ 被测太阳光伏器件可为无机晶体、有机样品，可固体，也可固体，可加偏执电压等
北京卓立汉光仪器有限公司
2021-08-23
石墨烯基透明导电薄膜、复合导热膜及吸附材料
将石墨烯进行二维或三维组装，制备透明可导电薄膜、复合导热膜及吸附材 料技术。
上海理工大学
2021-01-12
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学
2021-01-12
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
液相剥离大尺寸 2D 材料及透明导电薄膜
1.亚毫米尺寸单层导电纳米材料，实现高产量产率原 子级薄样品的宏量制备。
2. 成膜平整，粗糙度在 10 纳米以内，平整度远好于 ITO 和银纳米线薄膜。
3. 膜具高透光率和柔性，其导电性优于 ITO 。
中国科学技术大学
2021-04-14
殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14