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有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
一种利用微孔薄膜进行植被恢复的方法
本发明提供一种利用微孔薄膜进行植被恢复的方法，其操作步骤包括：1）场地清理；2）铺设微孔薄膜；3）铺装土工格室并固定；4）填充营养基质；5）播撒植物种子；6）铺设微孔薄膜；7）固定；8）浇水管养。本发明施工工艺简单，后期管养方便，且能为植物生长提高持续有效的营养，能够有效抑制土壤水分蒸发，改善土壤透气性，提高植物种子萌发率，最终达到有效绿化，改良土壤，改善生态环境的目的，可广泛应用于荒山、工程废弃地及城市等的植被恢复。
四川大学
2016-10-11
一种薄膜在线激光测厚系统及方法
本发明属于非接触式在线测厚领域，并具体公开了一种薄膜在 线激光测厚系统及方法，包括大理石框架和设于大理石框架内部的 C 形架，大理石框架内顶部及底部设置有钢片和导轨；C 形架具有上梁 和下梁，上、下梁之间放置待测薄膜，上梁上下端部设置第一、第二 激光位移传感器，第一、第二激光位移传感器分别用于测量各自发射 点到钢片及待测薄膜上表面的距离，下梁上下端部设置第三激光位移 传感器和滑块，第三激光位移传感器用于测量待测薄膜下
华中科技大学
2021-04-14
一种兼具张力控制的薄膜输送纠偏装置
本发明提供一种兼具张力控制的薄膜输送纠偏装置，包括薄膜输入导向辊和输出导向辊，用于分别将薄膜导向输入和输出纠偏执行机构；偏移检测机构，用于检测薄膜是否偏移；张力检测机构，用于检测薄膜张力；控制器，用于依据检测信息产生纠偏或\和张力控制指令；纠偏执行机构，包括球形电机、偏转框架和纠偏辊；球形电机的动子带动偏转框架在薄膜进给面上转动，纠偏辊与薄膜间的摩擦驱使薄膜逆方向的转动实现纠偏；同时，球形电机的动子带动偏转框架在薄膜进给面的垂直面上转动，拉紧或放松薄膜实现张力控制。本发明同时实现薄膜的纠偏和张力控制
华中科技大学
2021-04-14
用CuCl薄膜处理生物难降解有机废水的方法
本发明涉及一种有机工业废水的催化氧化处理方法，特别是用CuCl薄膜处理生物难降解有机废水的方法。采用CuCl2溶液浸泡铜网产生的CuCl薄膜为催化剂，把CuCl/铜网催化剂置入反应器中，以900～1200ml/h的流速通入pH＝5～9的有机废水，并通入空气进行氧化反应，空气流速为0.09m3/h，反应1～9小时，反应后的溶液加入聚合硫酸铁沉降。本发明在常温常压下能将COD为1500～3800mg/l有机助剂废水降到600mg/l，COD去除率达到60～7
南开大学
2021-04-14
薄膜太阳能电池材料光谱响应测量系统
产品详细介绍■ 光谱测量范围：200-1100nm■ 测量重复性：≤3%（主要波长位置）■ 光源：高稳定、高输出能量氙灯光源■ 标准探测器经国家一级计量单位定标■ 标准探测器、待测探测器自动切换■ 光谱响应度曲线自动生成■ 样品室内包含标准样品架、固体样品架和液体电解池样品架■ 被测太阳光伏器件可为无机晶体、有机样品，可固体，也可固体，可加偏执电压等
北京卓立汉光仪器有限公司
2021-08-23
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，缓解了衬底与薄膜之间的应力产生，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用，该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14
智能控温节能氧化钒（VO2）薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射，是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用（20℃-40℃）节能减排（无需能源）满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学
2021-04-11