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单晶LaB6空心阴极
北京工业大学
2021-04-14
超大尺寸单晶铜箔库制备
在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech
南方科技大学
2021-04-14
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14
低辐射薄膜
已有样品/n该项目提供了一种新型低辐射薄膜，分别采用金属薄银层来抑制长波长红外波和短波长紫外波的透射，采用周期性结构来增强可见光波段的透射；对可见光的透射率达到70~96%，对紫外波段的透射率降低到15%、对780nm~1200nm 红外波段的透射率降低到10%以下、对1200nm~3000nm 红外波段的透射率降低到25%以下，层数显著降低，很大程度上缩减了成本，简化了工艺流程。该项目提供的薄膜具有防紫外线、透明和
华中科技大学
2021-01-12
薄膜萃取系统
产品特点：
· 整机功能集成化，外观简洁、大方
· 电气化控制简洁、实用
· 内部结构采用多分区、模块化设计，满足不同工艺下使用要求
· 设备可以整体移动、固定，对于需要在不同环境使用具有较高适用性。
· 操作、维护方便，性能安全可靠
· 可以通过不同的萃取时间、方案，完全模拟出萃取线的过程及其结果
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 萃取样品尺寸规格——850mm×850mm
· 样品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 内部分区——3区
· 萃取介质进出——双泵单独控制
· 辅助萃取（可选）——强力超声波发生器
· 设备尺寸—— 1m×1m×1.3m （长×宽×高）
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸机
产品特点：
· 符合人体工程学设计
· 简单、直观的电气化控制
· 通过循环空气或红外加热，薄膜达到精确、可靠的温度
· 通过精准的温度平衡实现完美的工艺控制
· 调试维修方便简单，使用性能可靠
· 可进行纵向、横向或在任何位置的双向同步或异步拉伸
· 可通过不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模拟薄膜拉伸流水线工艺
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 设备配置——5铗子配置
· 推荐的初始样品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含铗头区域）
· 拉伸样品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夹紧力——1000N
· 每一轴拉伸力——2000N
· 设备尺寸——4m×2m×2m（长×宽×高）
· 拉伸样品膜加热系统可到300°C
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11
氮掺杂石墨烯大单晶制备的研究
本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。
北京大学
2021-04-11