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白细胞介素6
白细胞介素6（IL6）是一种多功能的细胞因子。大量的基础及应用研究证明，IL6是机体免疫网络中最重要的细胞因子，对淋巴细胞，造血干细胞，巨核细胞，肝细胞，神经细胞具有促进生长，诱导分化的功能。IL6可促进B淋巴细胞分化和抗体蛋白的分泌，诱导细胞毒性T细胞活化，增加IL2诱导的LAK细胞的杀伤瘤细胞的活性，可明显促进小鼠骨髓移植后的免疫功能重建，因而有增强免
西安交通大学
2021-01-12
IPv6综合实验环境
IPv6综合实验环境主要由北京交通大学自主研制的IPv6路由器、IPv6无线/移动路由器以及IPv6网络安全防护系统等核心设备组成。各设备的功能如下： （1）IPv6路由器采用北京交通大学IP网络实验室自主研发的“高性能IPv6路由器协议栈软件”。该软件主要包括IPv6、ICMPv6、ND、TCPv6、UDPv6等支撑协议；RIPng、OSPFv3、BGP4+等动态路由协议；SNMPv2网管协议和主要协议的MIB；以及IPSec安全协议和密钥交换协议IKE，具有良好的良好可移植性，能够在多操作系统（VxWorks、Linux和BSD等）、多种硬件平台运行。该协议栈软件已于2004年8月通过了国家科技成果鉴定。 （2）IPv6/移动无线路由器实现了路由器的无线接入和无线转发技术；实现了移动IPv6技术和移动子网（NEMO），具备家乡代理功能，可以快速搭建局域网络环境。IPv6无线/移动路由器于2004年8月通过了国家科技成果鉴定，并获2005年度北京市科学技术一等奖。 （3）IPv6网络安全防护系统可以对IPv6、IPv4、TCP、UDP、FTP、HTTP、TELNET、ICMP、ICMPv6等多种协议的数据包进行捕获、分析和还原；可以添加各种过滤规则以保护内部的网络。
北京交通大学
2021-04-13
LDAC6交流充电枪
YD25系列智能电网连接器是城乡改造中柱上真空自动配电开关的产品，主要用于智能化断路器的控制器（FTU）上面，亦可适用于其他领域，现有3、4、5芯三种产品。该型号产品的外壳用铜合金制造，表面采用能耐严重腐蚀的镍铬复镀层，接触件全部采用镀金，接触件尾部与导线连接方式为焊接，插头与插座采用螺纹连接。
山东龙立电子有限公司
2021-06-17
11010-6电子天平
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电脑人体秤HGM-6
HGM-6型电脑人体秤是采用微电脑控制，无需任何人工操作，可以自动快速测量人的身高、体重。
此款电脑人体秤的测量结果可以显示、语音报出，并可以根据测量结果判断人的体形胖瘦，是医院、体检站及各种健身场所的理想选择。
电压：220V
功率：14W
测量范围：
身高：75-199.5cm
分度值：0.5cm
体重：8.0-160kg
分度值：0.2kg
相关产品：
投币型超声波人体秤
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本文中所有关于电脑人体秤http://www.xinman8.com/348.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
台式车床 C6系列
产品详细介绍台式车床 C6-550 5980.00 商品属性车床类 [ 台式车床 ] : 比C6-550 更胜一筹，无级变速，电机功率大，效率高。金属车床，可以加工钢，铜，铝等[ 模型工具 ] : 模型发烧友的必备工具[ 适用范围 ] : 学校教育,工厂加工,实验室,以及拥有工作间的家庭[ 保修政策 ] : 六个月商品技术参数床身上工件最大回转直径 250毫米最大工件长度 550毫米主轴通孔直径 20毫米主轴内孔锥度 莫氏3号尾轴孔锥度 莫氏2号主轴转速（无级变速） 0-2000转/分±10℅拖板横向行程 110毫米拖板纵向行程 75mm可加工螺纹范围 公制 0.4-3.0毫米（12种规格）电机输出功率 800瓦电压 220V车床外形尺寸（长x宽x高） 1230X680X450毫米净重/毛重 145/180公斤 包装尺寸（长x宽x高） 1200x680x610毫米包装状态 木箱车床特征安全开关 无级变速 四定位刀架 带过载保护 全套交换齿随机附件125毫米三爪卡盘 莫氏2号呆顶尖 交换齿轮套件 扳手套件 油壶等 买就送特殊附件。套机价格更优惠。欲了解，更多优惠，更多产品 ，更多详情请访问 www.51sieg.com或者咨询 021-39118300 C6B与C6的差别C6B是800W的电动机、可以无级变速的C6是550W的电机、6级变速（皮带调速）
上海富沛森电子商务有限公司
2021-08-23
6米福尊旅居车
趣蜂江铃福尊房车采用经典的考斯特客车车身，外观经典而低调，大隐隐于世，不张扬、有内涵。整车车辆性质为“小型专用客车”，蓝牌C照，过路、过桥费与普通家轿相同。国六排放，全国（除北京外）均可正常上牌。业内领先的趣蜂标准48V电路系统，采用新能源汽车标准的高端48V锂电系统，配备趣蜂专用的房车充电系统，让趣蜂江铃福尊房车真正可以不插电。业内独创的变频空调系统，超低功耗、超静音、制冷效果远超顶置空调。
趣蜂江铃福尊房车基于江铃考斯特客车原车，秉承江铃底盘的优越性能，配备五十铃、VM等全球顶级柴油机和江铃麦格纳变速箱，动力匹配和操控性十分优越；全车金刚闭合环骨架车身，非承载式车身结构，后双胎，让趣蜂江铃福尊房车具备卓越的安全性
带金刚闭合环的骨架式车身，后双胎，非承载式客车底盘，整车的安全性和通过性远高于普通C型房车。
趣蜂江铃福尊房车车身长度为5990mm，宽度达到2050mm，由于是平头车身造型，内部空间利用率超高，房车内饰可用面积超过10平方米，远超普通B型房车；经典的一室一厅一厨一卫格局，让房车实用好用；趣蜂江铃福尊房车从车身降噪、发动机隔音、内饰降噪等多方面进行了全方位降噪处理。
江西江铃集团晶马汽车有限公司
2021-11-02
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11