动脉瘤是由于动脉血管壁因发生疾病、损伤或先天性因素引起的血管壁局部变得薄弱，在承受血流的冲击下，该处动脉血管壁的薄弱点向外突出，逐渐扩张，形成的圆形、椭圆形或棱形的囊状膨大。动脉瘤是一种有潜在生命危险的疾病，动脉瘤在血流的冲击下不断生长，压迫周围器官或组织引起症状。由于血压增高或其他因素引起的动脉瘤破裂，发生急剧的出血。动脉瘤可发生在身体的不同部位，最常见的是腹主动脉瘤和颅内动脉瘤。为避免外科手术高风险，血管内介入治疗逐渐成为治疗动脉瘤的主要方法，血管内介入治疗具有创伤小、并发症少、安全性高、患者痛

青岛正大定制防尘膜参数 常规尺寸：3*2.6m, 4*5m, 5*5m 其他可以定做。 宽度：6-500cm 长度：任意,建议50m以内 厚度：0.5~20s（5~200μm） 颜色：通常为半透明白色 材质：HDPE 原料：食品级全新料 质量认证：ISO9001/ SGS 包装：1片/袋；2片/袋；可按要求包装 Logo印制/包装印刷: 支持 产量：50000件/天

工艺：离子膜法 物理属性：纯品为无色透明液体，吸湿性很强，腐蚀性强。 主要用途：是重要的化工基础原料，广泛用于纺织印染、冶炼、医药、涂料等行业。同时具有食品级的生产许可证，可作为食品添加剂使用。 技术指标 序号 项目 液碱 优等品 一等品 1 浓度 32% 熔点(℃) 318.4 沸点(℃)  1390 相对密度(水=1)  2.130 2 氢氧化钠          ≥ 32.0 3 碳酸钠           ≤ 0.04 0.06 4 氯化钠           ≤ 0.004 0.007 5 三氧化二铁         ≤ 0.0003 0.0005 6 二氧化硅          ≤ 0.0015 0.003 7 氯酸钠           ≤ 0.001 0.002 8 硫酸钠           ≤ 0.001 0.002 9 三氧化二铝         ≤ 0.0004 0.0006 10 氧化钙           ≤ 0.0001 0.0005

成果描述：在α-Al2O3、TiO2介孔膜上接枝或接枝聚合一层薄的具有特殊功能的，诸如疏水的、亲水的、荷负电纳米孔的或者荷负电纳米孔的活性过滤膜，从而制备出特定工艺专用的膜，如脱水膜、膜蒸馏膜，超滤膜和纳滤膜，可广泛应用于醇类的除水，海水和苦咸水淡化，难分离污水的脱水，酸的浓缩，给水的软化，废水处理的中水回用等领域。另外，由α-Al2O3和TiO2制备的各种大孔和介孔膜可被广泛应用于苛性介质如酸和碱中的颗粒杂质去除工艺。 流体机械密封端面变形、传热和密封端面间隙流场的研究，考虑流体流动、热量传递和端面变形之间的相互影响，并提供机械密封和干气密封的通用设计软件。市场前景分析：环保领域：烟气脱硫硫酸的净化过滤与浓缩，污水处理的中水回用，MBR，难分离、有毒有害和放射性废水的处理。 其它领域：给水的软化，海水和苦咸水淡化，无加热源的吸收式制冷空调系统，有机物的分离。与同类成果相比的优势分析：1.疏水膜表面接触角大于130°，平均孔径0.5微米； 2.亲水膜的水渗透蒸发通量大于610 g m-2 h-1，选择性大于139； 3.荷电纳滤复合膜的通量大于2.6 L m-2 h-1 bar-1，对二价离子的截留率大于90%； 4.超滤陶瓷膜的截留分子量在7,000～100,000范围可任意选定； 5.微滤陶瓷膜的孔径在0.1～3微米之间可调。 国际先进

本发明公开了一种通过膜侧种植方法防除苜蓿田间杂草的技术。使用该技术可以有效控制苜蓿田杂草的盖度，使苜蓿田的盖度降低21‑46％；同时大幅提高当年的苜蓿干草产量，提高幅度19.8％‑152.6％。可以使每公顷3年总的产量增加9387.6‑9438.4kg，按每吨价格2400元计算，可以使每公顷增加经济效益22530‑22652元，折合每亩增效1502‑1510元。同时降低了除草剂的使用量，减少了对环境的污染，可以有效促进苜蓿产业的低环境消耗生产的目标。

本发明公开了一种适用于陶瓷PTC装配技术的卷膜装置。四个推杆组分别为上竖直推杆组、下竖直推杆组、上水平推杆组和下水平推杆组，机架上面板和机架下面板的四角之间均通过面板撑杆固定支撑连接，上竖直推杆组安装在机架上面板顶面中心，上水平推杆组安装在机架上面板顶面的一侧，下竖直推杆组安装在机架下面板顶面中心，下水平推杆组安装在机架下面板顶面与上水平推杆组相反的一侧，发热芯位于上竖直推杆组和下竖直推杆组之间，四个推杆组按固定顺序运动，将薄膜全部卷在发热芯上。本发明采用自动卷膜技术，相比手工卷膜技术，极大提高了生产效率并使产品规格统一。

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。

北京大学工学院科研团队通过多年的研究，开发了具有自主知识产权的粉煤灰等工业固废制备生态透水砖新技术。此技术旨在以粉煤灰等固废作为粘结剂粉料，以煤矸石、陶瓷渣等作为骨料进行级配，级配后的原料进行陈腐、压摸成型，丕体烧结，制备出结构、性能优良的新型生态透水砖。目前，该项目正在进行中试示范。

聚合物基复合材料表面金属化常用的方法有真空蒸镀金属法、真空离子镀金属法、电镀法、化学镀法、电铸法、表面直接喷涂金属法等。这些方法各有其优缺点：如真空蒸镀和真空离子镀的镀层厚度均匀，但所需设备昂贵且制件尺寸受设备大小限制，涂层较薄且制备成本较高。电镀法工序复杂，镀层附着力相对较低；化学镀是大多数电镀工艺中都必须涉及到的，通常作为塑料制品电镀的前处理工艺，其优点是镀层致密、孔隙率低、适用的基体材料范围广，可在金属、无机非金属及有机物上沉积镀层；缺点是镀液寿命短、稳定性差，镀覆速度慢、不易制备厚涂层，存在环境污染。电铸法可制取高光洁度、高导电性、高精度、内腔结构复杂的制件，但每做一个制件就需一个模具，模具成本高、生产周期长。热喷涂法是把金属颗粒加热到熔融状态后沉积到基板或工件表面形成涂层；但聚合物基板材料的熔点很低，热喷涂时熔融金属颗粒和高温焰流将对聚合物基板材料表面产生严重的破坏；而且由于热喷涂的加热温度较高，所制备的金属涂层由于氧化和孔隙的产生很难满足使用要求。 冷喷涂技术不需要或者只需要很少量的热量输入，加热温度低、颗粒飞行速度高，这就有效防止了热喷涂时的热影响，减少了基体表面三维畸变，涂层中氧化、相变的发生，涂层残余热应力小，可制备厚涂层；另外，与热喷涂一个相同的技术优势是通过机械手挟持喷枪或者把基体工件放在数控工作台上，能够实现对一些复杂表面、较大工件的喷涂，加工灵活，适应性强。目前可制备纯Al涂层和Al-Cu等多层结构。 已申请专利：“一种聚合物基复合材料表面金属化涂层的制备方法及装置”，中国发明专利申请号：201010588064.X.，专利申请时间：2010.12.14，专利公开日：2011.05.18

钛酸锶是一种电子工业的重要原料，主要用来制造自动调节加热元件和消磁元器件，陶瓷电容器，陶瓷敏感元件，微波陶瓷元件等，尤其是高质量纳米钛酸锶可用来制造PTC热敏电阻，晶界层电容器等电子元件，具有高性能、高可靠性和体积小等优点。 早期的高压瓷介质电容器多为BaTiO3基陶瓷，但易受外界影响，加高直流偏置电场作用引起了极化，造成介质电压击穿，同时介电常数随着附加电场的增大而急剧下降，使电容量大幅度下降，而SrTiO3基陶瓷电容器克服了上述缺点，且具有介电损耗低，温度稳定性好等优点，大有逐渐取代BaTiO3基陶瓷的趋势。日本东京电学化学公司和太阳诱电公司用钛酸锶材料制成晶界型陶瓷电容器。在大电容量方面可与有机薄膜电容器相媲美，受到了人们的普遍重视。 钛酸锶的制备方法主要有高温固相反应法、水热法、化学共沉淀法、溶胶-凝胶法和直接沉淀法等。国内钛酸锶主要采用SrCO3和TiO2混合经高温反应而制得的，产品质量差，粒径大，不能满足电子工业对高质量SrTiO3的需求。本技术采用超重力场结合直接沉淀法制备纳米钛酸锶，利用超重力技术来强化反应、微观混和，控制钛酸锶晶体成核和生长等关键环节，因此生产高质量的纳米SrTiO3，市场前景广阔，符合国家需求及科技发展趋势。