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地球仪
产品详细介绍
浙江省杭州市新安江地理模型厂
2021-08-23
虚拟观察仪
产品详细介绍 利用抛物镜面的上下多重反射，将底部的物体影像，聚焦在上盖之上，神奇的模拟出沙漠中海市蜃楼的幻景。让大家看得到，却模不到它。
杭州文思必得科教仪器有限公司
2021-08-23
扫频仪
产品详细介绍
徐州隆宇电子仪器有限责任公司
2021-08-23
地球仪
产品详细介绍广州市广昌教学设备厂
专业制作：
地理模型、生物模型 地理园、生物园、生态园
立体（平面）地球仪、校园文化 大型立体（平面）地图、理化生实验实验室
地动仪、浑天仪、仿真动物 实验台、实验室设备、气象仪器
中央实验台、实验室边台 学生凳、教师转椅、实验室成套设备
日晷、九月星空亭、动植物进化图 仪器柜、药品柜、储物柜、标本柜、展示台
广州市海珠区广昌教学设备厂
2021-08-23
三球仪
产品详细介绍
吉安市卓钢教学仪器有限公司(原吉安市第六教学仪器厂）
2021-08-23
混凝土流变仪
NELD-CRH610型流变仪是一种全新多功能和轻便的混凝土流变仪，用于检测骨料32mm以下的混凝土流变性。NELD-CRH610型混凝土流变仪是耐尔得根据混凝土试验室及现场测量的经验设计开发，可用于研究单位的配合比设计及现场流变性监控使用。
软件自动控制采集数据，自动计算Bingham流变参数—屈服应力和塑性粘度，绘制曲线，储存试验结果及导出试验数据。
北京耐尔得智能科技有限公司
2023-03-17
上海仪研YJ-0613C药物凝固点测定器（0-100度）
YJ-0613C药物凝固点测定器（0-100度）
本仪器按《中华人民共和国药典》2020年版四部 通则 0613凝点测定法设计制造，测定药物由液体凝结为固体时候，在短时间内停留不变的最高温度。某些药品具有一定的凝点、纯度变更,凝点亦随之改变。测定凝点可以区别或检查药品的纯杂程度。
一、主要技术特点
1、本仪器的设计完全符合《中华人民共和国药典》的要求。
2、仪器设计合理，安装简单，使用方便。
3、内外试管采用磨口配合，操作方便。
4、本仪器采用透明高硼玻璃烧杯，能很好的观察试样。
5、聚四氟乙烯或不锈钢固定盖，坚固耐用，抗腐蚀性强。
6、高精度水银温度计，使温度精度达到0.1度。
7、配有低温恒温槽是自带制冷和加热的高精度恒温源， 可在机内水槽进通过软管与恒温杯相连，作为恒温源配套使用，为用户工作时提供一个热冷受控，温度均匀恒定的场源。
8、隐藏推拉式排水管路，方便排液。
9、内置新一代温度控制程序,确保设备运行稳定。
10、全封闭压缩机组制冷,制冷系统具有过热、过电流多重保护装置。
11采用XMT模拟数字PID自动控制系统，温度数字显示。 12、内胆、台面均为全不锈钢，清洁卫生，美观耐腐蚀。 13、恒温杯1000ml，双层夹套设计，上下各带一个螺纹小嘴，用于连接胶管，可通冷热介质，玻璃烧杯外层为平底设计，内层可做成平底或圆底。
二、主要技术参数及指标
1、双层凝固点试管：
内试管为内径约25mm、长约170mm的试管
外试管为内径约40mm、长约160mm的试管
2、水银温度计：
(0～50)℃，分度0.1℃，符合药典的要求
(50～100)℃，分度0.1℃，符合药典的要求
3、搅拌器：
高硼玻璃制，上端略弯，末端先铸一小圈，
直径约为18mm，然后弯成直角。
4、1000毫升透明高硼玻璃烧杯
仪研智造（上海）药检仪器有限公司
2025-02-20
一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉及用途
本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉，该发明首先将配好的原料进行感应熔炼，制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；将制得的速凝片进行氢破碎，脱氢后得到粗破碎磁粉；然后在惰性气体保护气氛下，进行气流磨，得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉；然后将磁粉放入管式炉中，通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气，即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果，具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。
浙江大学
2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学
2021-01-12
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11