本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，包括：(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度 T1，根据所述稳态温度 T1 计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度 M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值 A，根据所述磁化强度变化信号的幅值 A 计算得到

本发明公开了一种基于微流控芯片粒子捕获式单粒子散射测量 方法，包括微流控芯片的设计制作、测量环境配置、对准、单粒子的 捕获和单粒子环境的构建以及单粒子大角度的散射分布的测定等相关 方法。与现有技术相比，由于结合了微流控芯片粒子捕获技术，克服 了单粒子的大角度散射、大动态范围内的光散射特性测量方法的不足， 实现了单粒子大角度散射分布的测量

本发明公开了一种用于光学散射测量的基于拟合误差插值的库匹配方法，包括：确定样品待测结构参数的变化范围并对其执行离散化处理，将所获得的离散网格点及其对应理论光谱值储存到光谱库中；获得待测样品的测量光谱并计算出离散网格点对应的测量光谱值与理论光谱值之间的拟合误差，然后将其同样储存到光谱库中；为拟合误差设定阈值并执行粗搜索，利用搜索出的拟合误差所对应的离散网格点来构建候选参数集，并对拟合误差执行多维插值处理获得相应的拟合误差插值函数；基于拟合误差插值函数细搜索找出全局最优点，其所对应的参数值即为最终确定的

本发明公开了一种基于叉指电极的树脂基复合材料纤维取向测 量方法，包括以下步骤：1)将待测试样固定在旋转载物台上；2)在待测 试样上表面涂一层润滑油，将叉指电极与待测试样上表面贴合并将叉 指电极与电容测试仪连接；3)让载物平台带动待测样品旋转 360 度， 采用电容测试仪测量叉指电极在待测样品旋转时的电容变化情况；4) 获取电容值最大时电容测试仪采集数据量的个数 N，获得纤维取向与 所述叉指宽度方向所成的角。本发明利用叉指电极的结构优势，实现 了通过材料的介电各向异性测量树脂基复合材料的纤维取向。本发明 无需待测试样准备过程，采用无损检测，方法简单易实施，且为电学 量测量，精度高，便于树脂基复合材料物理机械性能的判断。

本发明公开了一种应用于光栅三维投影测量中的相位误差补偿方法，包括如下步骤：生成正弦光栅条纹；采集经物体表面调制之后的光栅条纹；对图像预处理；根据预处理的条纹图像利用相移法解相位；投射单一灰度值的灰度图像于标准白板表面；将步骤(5)的分区域结果，通过求得的理想相位映射到投影仪靶面；根据分区域结果建立不同区域的分区域校正模型； 向物体投射正弦光栅条纹；利用相移法求解初相位，根据建立的分区域误差补偿对相位进行补偿，求解实际相位； 利用标定好的相机参数和求取的绝对相位，根据空间交汇法计算出被测物体的三维坐标信息。本发明可以解决由于Gamma非线性所导致的相位误差和测量误差。

产品详细介绍Enlogic的EN2000 系列产品---IRMC级别测量，输出端口可开断系列将电能测量，功率和环境监测与远程控制输出端口开/断技术有机结合在一起，实现了保护和管理您的机柜环境的功能。输出端口上电顺序开启能防止浪涌电流造成的危害并允许用户自定义设备的启动顺序及延时。远程开/端控制技术允许授权用户远程控制设备，可通过关闭空载的输出端口实现机柜电源的管理。 计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。 持续地为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测。该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%每相输入电流：: 32APhase Type: 1-phase最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 516P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 32IEC C13 输出端口数：: 32内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: 10A物理尺寸长,mm：: 1826 mm深,mm：: 50 mm宽,mm：: 55 mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 55°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsUL: 否EMC: 是安全认证：:环境认证::

产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%每相输入电流：: 32APhase Type: 1-phase最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 332P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 42IEC C13 输出端口数：: 36Total # of IEC C19 Outlets: 6内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: (C13)10A, (C19)16A物理尺寸长,mm：: 1826 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mmMax Depth at Circuit Breaker, mm: 56mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsUL: 否EMC: 是安全认证：:环境认证::

在传统贵金属（金、银等）之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料，是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质，对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构，从而获得丰富可调的等离激元效应；此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略，在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢（即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变），从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明，氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区，且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征，研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证，研究人员在一系列表面增强拉曼光谱（SERS）实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107（相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8），检测灵敏限低至纳摩量级（1×10-9mol L-1）。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略，不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料，而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围，为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。

项目成果/简介:在传统贵金属（金、银等）之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料，是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质，对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构，从而获得丰富可调的等离激元效应；此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略，在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢（即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变），从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明，氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当（譬如H1.68MoO3：~1021cm-3；Au/Ag：~1022cm-3），这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区，且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征，研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证，研究人员在一系列表面增强拉曼光谱（SERS）实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107（相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8），检测灵敏限低至纳摩量级（1×10-9mol L-1）。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略，不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料，而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围，为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。