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大功率LED全自动透镜塑封压模成型机
目前,国内进行压模封装透镜成型中的压模封装,普遍采用人工进行操作。上下料、注胶、透镜封装、压模成型等工序不仅需要可观的人工成本,而且生产效率低,产品质量难于保障。华南理工大学胡跃明团队为改变这一现状,围绕国家产业迫切需求,在广东省新兴战略产业LED重大专项支持下,自主发明和研制了系列全自动透镜塑封压模成型(Molding)机,填补了国内在该高端制造领域的空白,实现了全自动上下料、全自动高精度注胶、全自动透镜成型、全自动压模封装等功能,单台机器单模组可达到50个人工半自动化工艺产能。
华南理工大学 2021-04-14
基于颅内压反馈调节脑室内脑脊液引流量的装置
基于颅内压反馈调节脑室内脑脊液引流量的装置,包括压力传感器、引流管、程控开关、装载板、第一电子控制系统、第一电源、第二电子控制系统和第二电源;引流管依次由脑室段、被控制段和腹腔段组成,程控开关设置在安装引流管被控制段的装载板上的凹槽处,用于导通或截断脑脊液通过引流管进入腹腔的通路,压力传感器用于对颅内的压力进行采集,第一电子控制系统用于根据颅内的压力状况控制程控开关所处的状态,并将相关信息传输给第二电子控制系统,第二电子控制系统用于接收和显示第一电子控制系统的信息,并向第一电子控制系统发送指令。
四川大学 2016-10-20
一种可快速拆装的压力管件试压装置
本发明公开了一种可快速拆装的压力管件试压装置,包括支撑座,支撑座内设置有内腔,支撑座上安装有夹具,支撑座的相对的两侧壁上分别螺纹连接有第一螺杆和第二螺杆,第一螺杆上螺纹连接有第三螺杆,第一螺杆和第三螺杆伸入支撑座内腔的一端分别连接有用于伸入被测管件内的轴套和密封圆盘,轴套与密封圆盘之间设置有第一密封圈,第三螺杆伸入支撑座内腔的一端连接有定位筒,定位筒上设置注液口、排气孔以及第二密封圈,注液口和排气孔处分别安装有
华中科技大学 2021-04-14
一种带液压背压的板料热渐进成形方法
(专利号:ZL 201410527700.6) 简介:本发明公开一种带液压背压的板料热渐进成形方法,属于金属成形加工技术领域。该方法是在数控渐进成形机床上设置一套含有液池的支撑底座,液池通过管路和油温加热与控制系统连接,支撑底座和油温加热与控制系统通过连接管路形成液压环路,液池内充满导热油;待成形板料固定在支撑底座上,油温加热与控制系统运转,导热油在液压环路内形成一定的压力,该压力使板料在变形前产生一定程度的预胀;系统运转一定时间后,支撑
安徽工业大学 2021-01-12
一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础
一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础,包括负压筒和压浆装置,负压筒的下端开口,负压筒的上端设有封盖,封盖上设有导缆孔、排水阀与引线孔,排水阀、引线孔与负压筒的内腔连通;负压筒内设置有若干层十字钢板,十字钢板处设有交叉式压浆管道;交叉式压浆管与竖向压浆管连接,竖向压浆管上部穿过引线孔与压浆装置相连,底层竖向压浆管道沿负压筒外壁对称布置,其他各层竖向压浆管道沿负压筒内壁对称布置,且内外竖向压浆管道设有保护性钢管;竖向压浆管道不开设注浆孔洞,交叉式压浆管道开设多个压浆孔洞。本发明可以通过筒内筒底的注浆加固作用,使浆液与十字板固结成整体,增加负压筒内土体的重量及端阻力,从而提高了吸力式沉箱基础的承载力。
东南大学 2021-04-11
G型支架
产品详细介绍
江苏红叶视听器材股份有限公司 2021-08-23
F型支架
产品详细介绍
江苏红叶视听器材股份有限公司 2021-08-23
U型磁铁
产品详细介绍
芜湖震洋教仪磁电科技有限公司 2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件,该器件包括入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5);入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、贴附于矩形波导(5)的上表面或下表面;入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5)贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学 2021-04-11
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