基于颅内压反馈调节脑室内脑脊液引流量的装置，包括压力传感器、引流管、程控开关、装载板、第一电子控制系统、第一电源、第二电子控制系统和第二电源；引流管依次由脑室段、被控制段和腹腔段组成，程控开关设置在安装引流管被控制段的装载板上的凹槽处，用于导通或截断脑脊液通过引流管进入腹腔的通路，压力传感器用于对颅内的压力进行采集，第一电子控制系统用于根据颅内的压力状况控制程控开关所处的状态，并将相关信息传输给第二电子控制系统，第二电子控制系统用于接收和显示第一电子控制系统的信息，并向第一电子控制系统发送指令。

本发明公开了一种可快速拆装的压力管件试压装置，包括支撑座，支撑座内设置有内腔，支撑座上安装有夹具，支撑座的相对的两侧壁上分别螺纹连接有第一螺杆和第二螺杆，第一螺杆上螺纹连接有第三螺杆，第一螺杆和第三螺杆伸入支撑座内腔的一端分别连接有用于伸入被测管件内的轴套和密封圆盘，轴套与密封圆盘之间设置有第一密封圈，第三螺杆伸入支撑座内腔的一端连接有定位筒，定位筒上设置注液口、排气孔以及第二密封圈，注液口和排气孔处分别安装有

（专利号：ZL 201410527700.6） 简介：本发明公开一种带液压背压的板料热渐进成形方法，属于金属成形加工技术领域。该方法是在数控渐进成形机床上设置一套含有液池的支撑底座，液池通过管路和油温加热与控制系统连接，支撑底座和油温加热与控制系统通过连接管路形成液压环路，液池内充满导热油；待成形板料固定在支撑底座上，油温加热与控制系统运转，导热油在液压环路内形成一定的压力，该压力使板料在变形前产生一定程度的预胀；系统运转一定时间后，支撑

一种底板带压浆装置的吸力式沉箱基础，包括负压筒和压浆装置，负压筒的下端开口，负压筒的上端设有封盖，封盖上设有导缆孔、排水阀与引线孔，排水阀、引线孔与负压筒的内腔连通；负压筒内设置有若干层十字钢板，十字钢板处设有交叉式压浆管道；交叉式压浆管与竖向压浆管连接，竖向压浆管上部穿过引线孔与压浆装置相连，底层竖向压浆管道沿负压筒外壁对称布置，其他各层竖向压浆管道沿负压筒内壁对称布置，且内外竖向压浆管道设有保护性钢管；竖向压浆管道不开设注浆孔洞，交叉式压浆管道开设多个压浆孔洞。本发明可以通过筒内筒底的注浆加固作用，使浆液与十字板固结成整体，增加负压筒内土体的重量及端阻力，从而提高了吸力式沉箱基础的承载力。

本项目属光、机、电、材一体化技术领域，具有多学科综合的特点。半导体激光器具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高、便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大。半导体激光技术已成为一种具有巨大吸引力的新兴技术并在工业中得到了广泛的应用。高功率半导体泵浦激光器是半导体激光技术中最具发展潜力的领域之一。 半导体激光器最大的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大。封装成本占半导体激光器组件成本的一半，封装技术不仅直接影响泵浦激光器组件的可靠性，而且直接关系到泵浦激光器芯片的性能能否充分发挥。本项目对非致冷高功率980nm泵浦激光器的封装技术进行了研究，整个封装技术涉及光学、电学、热学、机械等，精度达微米数量级。通过采用激光器芯片的倒装贴片技术，小型化、全金属化无胶封装技术，最终满足了光纤放大器对泵浦激光器小体积、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合则采用透镜光纤直接耦合，最大限度地减小耦合系统的元件数和相关损耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用双光纤光栅波长锁定技术，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的边模抑制比和波长稳定性。项目组通过采用这些技术，最终解决了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术。 经国家光学仪器质量监督检测中心测试，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技术指标如下：    1. 管壳尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作温度：0-70℃    3. 中心波长：980nm    4. 谱 宽：1nm    5. 阈值电流：24mA    6. 输出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本项目的研究成果，通过与相关企业开展产学研合作，经过近五年的技术研发和不断改进，非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术研究成果已成功应用于相关产品的批量生产，为企业创造了较好的经济效益。在社会效益方面，填补了我国非致冷高功率半导体泵浦激光器方面的不足，对行业技术进步和产业结构优化升级起到了积极的推动作用。 耦合封装是对精度要求非常高的一系列工艺过程，这注定它很难实现自动化技术。因此，小型化泵浦激光器封装技术的研究成果，特别适合在中国这样人力成本低且技术基础好的环境。通过对小型化980nm泵浦激光器封装技术的研究，实现了封装技术的源头性创新，有助于向其他半导体泵浦激光器和光电器件的耦合封装拓展。该技术在光电子器件的应用方面具有广阔的市场潜力和广泛的推广应用前景，将成为形成光电子器件封装技术产业的重要技术支撑。

本发明公开了一种适于柔性电子标签封装过程的多参数协同控制方法，包括：输入天线基板和热压头的工艺参数参考值，并采集获取当前状态参数值；将热压头的当前工作温度与其温度参考值比较处理，输出控制信号并实现温度的闭环控制；将基板、热压头各自的当前状态参数与其参考值相比较，并通过张力-位置混合控制方式对基板的张力和位置共同进行调整；通过热压头执行热压固化处理，由此实现柔性电子标签的封装过程。通过本发明，综合考虑了基板张力、基板与热压头的对位以及热压头压力之间的相互耦合影响，从系统上对多个工艺参数进行闭环控制，相

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宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线