低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法
简介:本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法,属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元;控制方法的步骤为:(1)控制S1与S4处于导通状态,S2与S3处于关断状态;(2)控制S1、S2、S3和S4处于关断状态,Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变;(3)控制S2与S3处于导通状态,S1与S4处于关断状态,Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上,Q瞬间被关断;(4)控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态,Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力,可有效防止开关器件的误导通。
安徽工业大学
2021-04-13