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一种动平台激光红外融合检测识别系统
本发明公开了一种激光红外融合检测识别系统，包括非均匀性校正 SoC 芯片、图像旋转 ASIC 芯片、多级滤波 ASIC 芯片、连通域标记 ASIC 芯片、主 DSP 处理器、从 DSP 处理器、主 FPGA 处理器和从 FPGA 处理器，其中，从 FPGA 处理器控制各 ASIC/SoC 芯片完成激光和红外图像的预处理，主 FPGA 处理器控制主 DSP、从 DSP 及标记 ASIC 协助完成远距离、中距离和近距离的目标融合检测识
华中科技大学
2021-04-14
四川农业大学动科院羊遗传育种团队在动物棕色脂肪产热研究取得新进展
该研究利用环状染色质构象捕获技术，绘制了棕色脂肪组织（BAT）和白色脂肪组织（WAT）中Ucp1的高分辨率染色质互作图谱，揭示了BAT和WAT之间Ucp1染色质互作的显著差异。
四川农业大学
2025-02-24
可视化各向异性、分步记忆压致变色MOF单晶
提出了一种配位空间双配体定向配置策略，分别将刚性三角配体和具有柔性动态压敏变色属性的四角配体定向配置于微晶格的“基座”和“立柱”方位。这种设计赋予三维MOF框架单向形变的特征，并由此带来各向异性压力响应的荧光分步变色性能。利用微米尺度的MOF单晶，首次可视化观察到独特的各向异性压致变色效应，即沿六棱柱状单晶的上下底面施压，荧光颜色由蓝色变为黄绿色，而沿侧面施压则无变色效应。该压致变色特性同时具有超敏感（Pa~MPa压力范围）、分步化和信号记忆与逐级放大的效果，为多色压敏荧光纸、高等级防伪条形码、单向压敏荧光开关、程序性压力-荧光信号收集和放大器等微材料与器件构造提供了相关的模型基础，在微纳光电子学等材料和信息产业领域具有重要的应用前景。
中山大学
2021-04-13
基于磁致伸缩扭转波检测导磁构件缺陷的装置
基于磁致伸缩扭转波检测导磁构件缺陷的装置，属于超声波无损检测装置，目的在于克服纵向模式导波衰减较大，存在明显频散效应的不足，检测时无须对构件表面进行处理。本发明包括脉冲信号发生器、功率放大器、磁致伸缩扭转波传感器、信号预处理器、A/D 转换器以及计算机；磁致伸缩扭转波传感器包括激励单元和接收单元。计算机控制脉冲信号的产生，经功率放大器放大，通过激励单元在构件中产生扭转波，接收单元接收构件中传播的扭转波，经信号预处理器处理，通过 A/D 转换器转换为数字信号，通过计算机处理获得构件的缺陷信息。本发明可
华中科技大学
2021-04-14
一种确定磁致伸缩导波检测工作点的方法
一种磁致伸缩导波检测中工作点的确定方法，属于无损检测技术领域。本发明通过将检测信号的第一个非电磁脉冲信号作为参考信号，分别通过改变激励单元偏置磁场的磁化强度和接收单元偏置磁场的磁化强度，得到一系列参考信号的峰峰值。通过求取信号峰峰值最大值对应的偏置磁场的磁化强度，得到构件磁致伸缩导波检测的工作点，保证了磁致伸缩导波检测的效率，从而为提高磁致伸缩导波检测的精度提供一种方法。
华中科技大学
2021-04-14
高强度大磁致伸缩铁铩合金系列产品
项目简介： 铁稼合金是介于铁铝等常规磁致伸缩材料与昂贵的 Terfeno l
西华大学
2021-04-14
一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法。该薄膜为聚苯胺与三氧化钨的复合薄膜，其中含有5～80％质量分数的三氧化钨，薄膜厚度为50～300nm，表面具有纳米棒阵列形貌。该制备方法包括：将表面经羟基化处理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直竖立并固定于反应容器中，将过氧化钨酸溶液与苯胺溶液的混合溶液倒入其中并搅拌；再加入过硫酸铵溶液，搅拌下进行反应；反应完成后，取出沉积有薄膜的基底并冲洗、干燥而得。本发明制备方法实现了聚苯胺/氧化物在分子层次复合，工艺简单，成分可方便控制，成本较低，易于实现工业化。制得的薄膜光谱调节范围大、颜色丰富、响应速度快、循环寿命长，应用范围广泛。
浙江大学
2021-04-13
一种磁致伸缩导波检测信号处理方法及装置
本发明公开了一种磁致伸缩导波检测信号处理方法及装置，方 法截取原始检测信号得到分析信号 u(n)，再进行带通滤波得到 x(n)。 设激励信号长度为 L，令 M=[L/4]，R=[M/2]。初始 i=0，截取数据x(i),…,x(i+M-1)，构造 R*(M-R+1)的矩阵 A，对矩阵 A 进行奇异值分 解得到奇异矩阵 B 和特征值λ，将λ中小于中位数的值置零得到矩阵 C，对矩阵 C 进行逆奇异变换得到矩阵 D，从矩阵 D 中还原出处理后 的信号 y，计算其能量 z。令 i=i+1，重复上述步骤，直至计算完所选 分析区域的信号经处理后的能量，根据能量分布图的畸变特征判断信 号中有无缺陷。实施本发明可有效提高磁致伸缩导波检测信号的信噪 比及检测精度。
华中科技大学
2021-04-11
一种高居里温度、高压电性能的钛钪铌酸铅铋锂系压电陶瓷
本发明公开了一种属于功能陶瓷制备技术领域的具有高Tc、高压电性能的钛钪铌酸 铅铋锂系压电陶瓷。提出由以用通式(1-x)BiScO3-xPb(1-y)LiyTi(1-y)NbyO3表示的压电陶瓷 材料，其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各组元中所占的原子数，即原子百分比， 0.50≤x≤0.90，0≤y≤0.10。该压电陶瓷可采用传统压电陶瓷制备技术和工业用原材 料、在1150℃或更低温度下烧结而获得，其工艺稳定。本发明压电陶瓷具有良好的压电 性能、实用的平面机电耦合系数，其kp大于40％，d33达300pC/N以上，Tc大于400℃，在 高温电子设备中具有实际应用的价值。
四川大学
2021-04-11
活断裂孕震区压电效应实时监测系统
本技术的理论基础和技术路线与现有各种地震前兆监测完全不同，其特点是在可能的孕震断裂内钻 探，在钻孔中放置仪器，实时和连续监测断裂深部应力集聚区（潜在 震源区）应力变化而产生的压电效应（见附图）；在一条或相邻的多 条断裂上建站组成监测网，通过来自不同站点的区域数据对比，利用 反向模拟等方法，寻找断裂深部的应力集聚区（前者震源区）及计 算、模拟断裂失衡的临界点。
中山大学
2021-04-10