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基于多足旋转压电驱动器实现的跨尺度驱动激励方法
多足旋转压电驱动器及其实现跨尺度驱动的激励方法,属于压电驱动技术领域.解决了现有压电驱动器的驱动方法在具备快速,大行程响应能力的同时,难于兼具高精度,纳米尺度定位功能这一突出问题.本方法基于多足旋转压电驱动器的两组弯振压电陶瓷实现的,并根据目标输出位移选择三种激励模式之一,两种激励模式的组合或者三种激励模式的组合来实现不同位移尺度的输出,所述激励模式包括交流连续激励模式,脉冲步进激励模式和直流微驱动模式,使得驱动器不仅具备快速,大行程响应能力,同时具备高精度,纳米尺度定位功能,最终实现真正的跨尺度,超精密驱动.它用于压电驱动领域中实现跨尺度,超精密驱动.
哈尔滨工业大学
2021-05-04
大功率高可靠性的逆变高压电源
大功率高可靠性的逆变高压电源包括高压加速电压、灯丝加热和偏压控制电源是电子束快速成形设备的动力装置，高压电源技术是电子束快速成形技术中的关键技术之一，高压电源技术水平的高低直接影响到电子束快速成形设备的水平，是电子束快速成形加工设备的必不可少的部分，其性能的优劣直接影响真空电子束加工装备的性能。与常规传统真空电子束高压电源相比，逆变高压电源具有高效节能、精度高、可控性好、纹波小等优点，是当今真空电子束高压电源主流发展趋势。本成果为逆变高压电源成套技术，在大功率高可靠性的逆变高压电源主电路拓扑设计、高频高压大功率变压器设计及制造工艺、高精度低纹波逆变高压电源闭环控制技术、驱动电路的高压隔离控制技术、逆变高压电源的放电保护技术等关键技术方面取得了较大突破。
北京航空航天大学
2021-04-10
铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷
本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域，特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷，该无铅压电陶瓷由通式(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5M0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05，0≤y≤0.3，M为K或Li。本发明所述无铅压电陶瓷具有良好的压电和介电性能，所用原料价格相对低廉，不含贵金属或有毒金属原料。
四川大学
2021-04-11
基于多足旋转压电驱动器实现的跨尺度驱动激励方法
项目成果/简介:多足旋转压电驱动器及其实现跨尺度驱动的激励方法,属于压电驱动技术领域.解决了现有压电驱动器的驱动方法在具备快速,大行程响应能力的同时,难于兼具高精度,纳米尺度定位功能这一突出问题.本方法基于多足旋转压电驱动器的两组弯振压电陶瓷实现的,并根据目标输出位移选择三种激励模式之一,两种激励模式的组合或者三种激励模式的组合来实现不同位移尺度的输出,所述激励模式包括交流连续激励模式,脉冲步进激励模式
哈尔滨工业大学
2021-01-12
一种基于压电分流阻尼技术的液压管路流体脉动衰减装置
本发明公开了一种基于压电分流阻尼技术的液压管路流体脉动衰减装置,衰减器(31)的中部为一长方体密封腔体，腔体的左右两端分别具有流入液压流体的进口圆管(1)和流出液压流体的出口圆管(11)，进口圆管(1)和出口圆管(11)的部分伸入衰减器腔体内；腔体内表面的上部和下部分别设置有PVDF压电薄膜，PVDF压电薄膜上置有将其两面引出密封腔体外与外部形成电连接的引出线。本发明利用主动滤波衰减低频脉动，被动滤波衰减中、高频脉动，将主、被动滤波结合，既可保持液压系统原有的动特性，又可在较宽频带内提高脉动衰减效果。
西南交通大学
2018-09-19
一种通过压电元件对电机定子振动进行控制的定子结构
本实用新型公开了一种通过压电元件对电机定子振动进行控制的定子结构。包括压电执行器、振动传感器、振动控制器和功率放大器，电机定子表面上固定铺设有压电执行器及振动传感器，振动传感器检测采集电机定子的振动信号并发送给振动控制器，振动控制器驱动铺设在电机定子上的压电执行器进行振动来改变电机定子的动力特性，从而实现对电机定子的机械及电磁振动和噪声进行主动控制。本实用新型能够对电机定子的机械及电磁振动进行主动控制，使电机的振动得到显著地减小。
浙江大学
2021-04-13
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11