高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
基于计算机视觉的产品质量在线监测技术
 该成果是面向产品质量在线检测应用领域,一种基于计算机视觉和高性能计算机构成产品在线监测系统。采用基于摄像机参数、运动目标信息状态参数和模糊控制策略的主动视觉测控模型,利用一种抽样算法的视频快速解读技术运动目标快捷检测技术,又采用高鲁棒的Camshift和Kalman滤波相结合的运动目标高可靠快捷智能识别与跟踪方法,以达到具有高可靠感知、高清晰、智能化、高精度定位、高可靠跟踪和智能信息处理检测的优势。 该成果是面向产品质量在线检测应用领域,如食品用朔料制品的在线质量检测与告警
南京航空航天大学 2021-04-14
一种质量自适应的无线视频编码方法
本发明公开了一种质量自适应的无线视频编码方法,首先利用动态纹理合成方法,由已编码图像的 重建帧来构建待编码帧的虚拟重建帧,然后以结构相似性(SSIM)作为指标,设置一个阈值来确定该 虚拟重建帧中的低质量宏块,最后调节这些低质量宏块的编码参数,在编码时对这些宏块采取更精细的 编码,从而更好的处理复杂纹理及边缘区域宏块,提升整幅图像的用户体验质量。 
武汉大学 2021-04-14
一种调节TH1/TH2细胞比例的组合物及制法
【发 明 人】潘苏华;高青【技术领域】本发明属于中药保健技术领域,具体涉及一种调节Th1/Th2细胞比例的组合物及制法.【摘要】本发明涉及一种调节Th1/Th2细胞比例的组合物,它所含的活性成分由下列重量份的原料制备而成:蛹虫草40-80份,太子参300-700份,香橼100-300份,佛手100-300份,银杏叶提取物1-5份,经提取后按常规工艺制备成颗粒剂、散剂、片剂或胶囊剂,本发明还公开了其在制备升高Th1型细胞、降低Th2型细胞和调节Th1/Th2细胞比例的健康食品中的应用。
南京中医药大学 2021-04-13
胆汁酸不仅促进肠道脂类的吸收,也参与肾脏水盐代谢的调节
证明了胆汁酸不仅促进肠道脂类的吸收,也参与肾脏水盐代谢的调节。胆汁酸通过激活肾脏集合管主细胞TGR5受体,增加水通道蛋白表达,促进肾脏水的重吸收,缓解肾源性尿崩症。该研究揭示了胆汁酸及其特异受体在肾脏功能调节的新作用,有助于理解某些肝脏疾病发生发展过程中伴有的水盐代谢紊乱如肝硬化腹水或肝肾综合征等病理生理学变化,提出了新的分子机制,具有一定的理论意义。
中山大学 2021-04-13
一种用于窄间隙焊接的能自动调节导电咀伸出长度的焊枪
本发明公开了一种用于窄间隙焊接的能自动调节导电咀伸出长 度的焊枪,尤其适用于激光-电弧复合焊。它包括喷咀、气体分流器、 导电咀、高度传感器、中央处理器以及执行机构;气体分流器上开有 裸露在外的出气孔,气体分流器通过保护喷咀的紧箍力防止滑落;导 电咀呈扁平状,与气体分流器相连,在导电咀端部安装两个对称布置 的高度传感器,用以检测它与焊缝表面之间的距离;中央处理器根据 高度传感器的采集信号控制执行机构以调节导电咀的伸长和收缩。本 发明可以通过高度传感器检测焊缝底部与导电咀之间的距离,以自动 调节导电咀伸出的长度,保证焊丝干伸长在合理的范围内,使得在激 光-电弧复合焊过程中电弧能稳定存在,最终实现厚板的高质量焊接。
华中科技大学 2021-04-13
一种上肢外骨骼康复机器人的臂长调节装置
本发明属于医疗康复训练设备相关领域,具体公开了一种上肢 外骨骼康复机器人的臂长调节装置,其包括上部左支架、上部右支架、 下支架和设置在上下支架之间的蜗轮蜗杆组件,蜗轮蜗杆组件包括蜗 轮、蜗杆和丝杆,蜗杆轴向固定在上部左、右支架之间,丝杆安装在 上部左支架和下支架之间,蜗轮同轴安装在丝杆上方,上部右支架的右端还设置有摇杆组件,上部右支架和下支架之间还设置有光杆,丝 杆和光杆均穿过设置在上下支架之间的水平连接板和下移动架,水平 连接板和下移动架的一侧还固定安装有上下移动组件。
华中科技大学 2021-04-14
专家报告荟萃㉔ | 昆明医科大学副校长殷建忠:新医科统领医学教育创新加快推进西部医学高等教育高质量发展
昆明医科大学副校长殷建忠以“新医科统领医学教育创新加快推进西部医学高等教育高质量发展”为题作专题报告。他指出,当前西部地区医学教育仍然面临不平衡与不充分的挑战。
中国高等教育博览会 2025-02-11
中共中央办公厅 国务院办公厅关于加快构建普通高等学校毕业生高质量就业服务体系的意见
加快构建高校毕业生高质量就业服务体系,畅通教育、科技、人才良性循环。
新华社 2025-04-08
超低氧压控制和测定氧化动力学的固体电化学装置
本项目是一种首创的基于固体电化学原理的氧泵。该氧泵具有两大功能:一、测定金属氧化动力学;二、可以在1~10-25 atm范围获得任意的氧分压。测定金属氧化动力学时,氧泵通过将金属氧化过程消耗的氧量经过电化学过程转化为电荷量来获取氧化动力学曲线。由ZrO2固体电解质管、隔断阀和石英管构成一个封闭体系,在ZrO2固体电解质管内外壁上沉积或涂覆铂电极构成电化学氧泵,将氧化样品与固体电解质电化学氧泵分别处于不同的温度,实现氧化温度和氧压可调,将氧泵电流积分与氧化时间做图可获得氧化动力学曲线,可用于金属及合金氧化动力学测定,包括产生挥发性氧化物的体系的动力学测定,以及其它吸收氧过程的动力学测定。本发明方法的结构简单,操作简便,测试数据精度高,运行费用低,控制和数据处理计算机化。本仪器可以替代电子热天平,为高新科技产品。 氧泵还可以在不同的温度,在1~10-25 atm范围获得任意的氧分压,可广泛用于科研和生产。 国际首创,成果列入1998年4月美国出版的“High-temperature Research in Progress:1997”,采用本技术的研究结果多次在 Oxidation of Metals 上发表。获得发明专利,发明专利号:98101027.X 氧泵还可以在不同的温度,在1~10-25 atm范围获得任意的氧分压。 本发明的氧泵操作简便,控制和测试数据精度高,运行费用低,控制和数据处理计算机化,为高新科技产品。可以根据实际需要提供特定的技术与产品。
北京科技大学 2021-04-11
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 36 37 38
  • ...
  • 357 358 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1