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维多层的Mn-Bi-Te材料可以用来实现多种拓扑相
基于对Mn-Bi-Te家族成员MnBi 2
南方科技大学
2021-04-14
证明了这个二维体系的带隙是拓扑平庸的
交换场为零时，非磁性拓扑绝缘体Bi 2
南方科技大学
2021-04-14
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14
一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
华中科技大学
2021-04-11
超高压同塔四回交流/双回双极直流线路零序参数测量法
本发明涉及一种超高压同塔四回交流/双回双极直流线路零序参数测量法，通过建立基于分布参数的 超高压同塔四回/双回双极输电线路模型，利用全球卫星定位系统技术(GPS)，同时测量四回/四极输电 线路首末两端的零序电压和零序电流，实现对零序电压和零序电流的同步采样;再通过本专利给出的测 量与计算方法得到超高压同塔四回/双回双极输电线路的零序电阻、零序电感、零序电容参数。本发明方 法基于分布参数模型和传输线方程，极大提高了测量精度，可满足实际工程测量的需要。
武汉大学
2021-04-14
一种耦合变压器型直流断路器用空芯脉冲变压器及其参数获取 方法
本发明提供了一种耦合变压器型直流断路器用空芯脉冲变压器 及其参数获取方法，空芯脉冲变压器包括原方绕组、副方绕组、原方 绕组高压端、原方绕组低压端、副方绕组高压端、副方绕组低压端、 副方绕组匝间绝缘膜、原方绕组匝间绝缘膜、主绝缘膜和绝缘支撑架； 副方绕组沿绝缘支撑架径向绕制，副方绕组具有径向电压梯度，且副 方绕组的匝间绝缘由副方绕组匝间绝缘膜实现；副方绕组低压端和原 方绕组低压端之间采用主绝缘膜绝缘；原方绕组绕制在主绝缘膜外， 且原方绕组的匝间绝缘由原方绕组匝间绝缘膜实现。
华中科技大学
2021-04-14
教育部科学技术与信息化司司长周大旺：强化输出端改革，让更多科技成果尽快转化为现实生产力
为深入学习贯彻习近平总书记重要讲话和全国教育大会精神，进一步凝聚思想共识、强化使命担当，推动党中央关于建设教育强国的重大决策部署落实落地，教育部直属机关党委、教育部新闻办、中国教育报刊社联合开设“学习贯彻全国教育大会精神笔谈”专栏。
中国教育报
2024-10-22
重庆市人民政府 国家知识产权局关于印发《共建现代化新重庆知识产权强市实施方案》的通知
为全面贯彻落实习近平总书记关于加强知识产权工作的重要论述和视察重庆重要讲话重要指示精神，认真落实中共重庆市委六届二次、三次、四次、五次、六次全会决策部署，根据《知识产权强国建设纲要（2021—2035年）》《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》等，重庆市人民政府和国家知识产权局决定共建现代化新重庆知识产权强市，并制定本实施方案。
重庆市人民政府
2024-11-08
国家知识产权局办公室关于重点推进“双五星”专利转化运用 加快实施一批专利产业化项目的通知
“双五星”专利是指在高校和科研机构存量专利盘活系统中，高校和科研机构自评价值为五星级、且有一家及以上企业他评价值为五星级的专利。
国家知识产权局
2025-08-11
张娜：助力高校数字化转型建设，打造可拓展、可定制的教育国产化方案
中国电子是我国民族电子工业摇篮，始终以服务国家战略为核心使命，坚持科技自立自强，着力发展计算产业、集成电路、网络安全、数据治理、高新电子等重点业务，打造国家网信事业核心战略科技力量。麒麟软件是中国电子旗下的中国操作系统代表企业，致力于打造安全创新操作系统产品和相应解决方案。
中国高等教育学会
2023-01-10