|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
自动包装机卷膜
卷膜特性：可满足120℃蒸煮及抽真空
长度及宽度：不大于60cm
厚度：双面8-40丝
材质：复合袋，根据不同的要求设计复合膜
印刷：凹版印刷，九色
质量认证：ISO9001/SGS
产地：山东青岛
交货期：十万条以内七天交货，不含制版时间
青岛正大环保科技有限公司
2021-09-02
一种交流发光二极管灯具
本实用新型公开了一种交流发光二极管灯具，包括交流发光二极管灯具，包括光引擎模组、散热体和灯罩，所述光引擎模组包括铝基板、焊接至所述铝基板的多个交流发光二极管、焊接至所述单相全波桥式整流芯片、以及焊接至所述铝基板上并且用于驱动所述多个交流发光二极管的分段线性恒流驱动芯片，其中，所述铝基板的背面贴合至所述散热体并且固定至所述散热体上，所述灯罩固定连接至所述散热体上并且覆盖所述光引擎模组。本交流LED灯具的功率因数较普通LED照明电路大幅提高，所有元器件焊接安装，优化灯具结构及其组装流程，降低生产成本，光
安徽建筑大学
2021-01-12
发光二极管阵列铁路信号装置
本专利技术提供一种发光二极管阵列铁路信号装置，能满足铁路信号机光学性能和技术指标，应用铁路信号灯，发光效率高，节电，发散角小，可靠性强；专为铁路部门设计的新型铁路信号机光学系统，可替代目前用白炽灯和螺纹有色聚光镜构成的各种铁路信号灯（机），远远优于白炽灯。
南开大学
2021-04-14
一种交流发光二极管灯具
本实用新型公开了一种交流发光二极管灯具，包括：壳座、灯罩、交流发光二极管光引擎、以及隔热件，其中，所述交流发光二极管光引擎包括基板、焊接至所述基板上的单相全波桥式整流电路、分段线性恒流驱动电路和多个交流发光二极管，其中，所述基板由散热器、导热绝缘层和由铜箔层形成的印刷电路组成，所述散热器支撑在所述壳座上并且二者之间通过所述隔热件隔离，所述灯罩上设有空气过孔结构。本实用新型由散热体代替了原先的散热器、导热硅脂和导热基板，简化了LED灯具构造，使得光引擎的可靠性、散热效果、寿命均大幅提高，本实用新型对光
安徽建筑大学
2021-01-12
上海极课信息技术有限公司（中外合资）
极课中国是由韩国KOSDAQ上市公司 株清潭乐宁（CHUNGDAHM Learning, Inc.）与 GenVision建炜技术共同出资组建的高新技术企业，总部位于中国上海。极课的“智慧教育”生态链产品，旨在通过高度互动的教学方式，提高学生在课堂的参与度，实现学生从被动学习到主动学习的转换；通过将传统的线下教学模式与互联网线上学习模式相结合，实现从传统教育向个性化、差异化教育的转换，最终实现自适应学习（Adaptive Learning）。
上海极课信息技术有限公司（中外合资）
2021-01-15
一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置及其成膜方法
本发明公开了一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置，包括蒸 发腔、与蒸发腔连通的喷印头及与喷印头相距一定间隙的基板载台， 基板载台受控制相对喷印头分别沿喷印头主轴方向、与喷印头主轴垂 直平面内的水平方向以及平面内与水平方向垂直的第三方向直线移 动。喷印头包括喷印头基体、包覆喷印头基体的加热套、位于喷印头 基体一端的图形喷嘴、与图形喷嘴连通的混合腔以及连通所述蒸发腔 与混合腔的气体入口。图形喷嘴的开口具有一定形状，蒸发腔用于蒸 发固体有机材料得到气相有机材料并通过喷印头的气体入口进入喷印 头的混合腔，接着
华中科技大学
2021-04-14
一种双三唑并五苯醌类化合物及其制备方法
取代的并五苯醌 LUMO 轨道能量低，具有 N 型半导体的性质。如四氟取代的并五苯醌及双噻二唑并五苯醌等都具有较高的电子迁移率。但这些并五苯醌类化合物在溶剂中的溶解度极差，给器件加工带来了很大的不便。 本发明提供了一种性能优良且能溶解在有机溶剂中 N 型有机半导体材料及其合成方法。其能通过溶液加工的方法制成半导体器件。本发明所要解决的技术针对现有技术中的并五苯醌类有机 N 型半导体材料溶解度差而提供一种用于制作半导体器件且能溶解在有机溶剂中的双三唑并五苯醌类化合物
兰州大学
2021-04-14
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成，在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用，且具有良好的稳定性和生物相容性，可重复使用，成本低廉，有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂，制成均一的纺丝制膜液，将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后，通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜，然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学
2021-04-11
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用：协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术
天津大学
2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10～20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学
2021-04-14